1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元还包括：第一半导体层、第二半导体层；其中，所述第一半导体层、双向阈值开关、第二半导体层沿所述第一方向堆叠设置。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一半导体层的材料和所述第二半导体层的材料均包括掺杂的锗化硅，所述双向阈值开关的材料包括硫系化物。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路包括：写电压驱动电路；所述写电压驱动电路用于根据预写入数据的状态将选中存储单元所连接的第一导电线和第二导电线之间设置为正向压差或负向压差。
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路包括：读电压驱动电路和电流检测电路；其中，
6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括互连层；所述互连层位于所述存储阵列以及所述外围电路之间，用于电连接所述存储阵列以及所述外围电路。
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括隔离层，所述第一导电线、所述双向阈值开关以及所述第二导电线均被所述隔离层部分环绕。
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述隔离层的材料包括碳氮化硅以及氮化硅。
9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储结构包括存储电容，所述存储电容包括第一电极、介质层、第二电极；所述介质层覆盖所述第一电极，所述第二电极覆盖所述介质层，所述第一电极与所述第一导电线连接，所述第二电极与所述双向阈值开关连接。
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第一电极的材料和所述第二电极的材料均包括以下至少之一：
11.一种存储器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述第一导电线，包括：
13.根据权利要求11所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述存储结构包括存储电容，形成所述存储单元，包括：
14.根据权利要求11所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述存储单元包括：
15.根据权利要求11所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述第二导电线，包括：
16.根据权利要求11所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
17.一种存储器的操作方法，其特征在于，应用于权利要求1-10任一项所述的存储器，所述方法包括：
18.一种存储器的操作方法，其特征在于，应用于权利要求1-10任一项所述的存储器，所述方法包括：