等离子体监控系统、等离子体监控方法及监控装置与流程

本发明例示的实施方式涉及等离子体监控系统、等离子体监控方法及监控装置。

背景技术：

1、专利文献1中公开了一种涉及等离子体处理装置的技术。该等离子体处理装置包含：处理室，进行等离子体处理；及光学检测器，经由检测窗而设置在处理室的外侧。光学检测器监视在处理室内产生的等离子体的状态。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2004-39952号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、本发明提供用于取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据的技术。

3、用于解决技术课题的手段

4、在一例示的实施方式中，提供测量在等离子体处理装置内所产生的等离子体的发光强度的系统。该系统包含：监控装置；及控制装置。监控装置为载置于等离子体处理装置内的工作台上的装置。监控装置包含：板状的基底基板；及多个分光器，所述多个分光器具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并取得等离子体的发光强度。控制装置基于由多个分光器分别取得的发光强度而取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据。

5、发明效果

6、根据一例示的实施方式的等离子体监控系统，能够取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据。

技术特征：

1.一种等离子体监控系统，测量在等离子体处理装置内所产生的等离子体的发光强度，所述等离子体监控系统包含：

2.根据权利要求1所述的等离子体监控系统，其中，

3.根据权利要求1或2所述的等离子体监控系统，其中，

4.一种等离子体监控方法，使用监控装置测量在等离子体处理装置内所产生的等离子体的发光强度，

5.一种监控装置，测量在等离子体处理装置内所产生的等离子体的发光强度，所述监控装置包含：

技术总结
本发明的等离子体监控系统包含：监控装置；及控制装置。监控装置为载置于等离子体处理装置内的工作台上的装置。监控装置包含：板状的基底基板；及多个分光器，所述多个分光器具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并取得等离子体的发光强度。控制装置基于由多个分光器分别取得的发光强度而取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据。

技术研发人员：照内怜,广濑润,永关一也,桧森慎司
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15