真空除电系统的制作方法

本发明涉及真空除电系统，尤其涉及包括提供在真空环境中用于去除静电的离子束的离子源单元及包括该离子源单元的真空除电系统。

背景技术：

1、静电由包括摩擦、玻璃等在内的各种原因产生。上述静电可在固体、液体、绝缘体、导电体等各种环境中产生。所产生的的静电中等量产生正电荷和负电荷，但在实际的工艺中，因两给静电容量的差异，大多数情况下只表现出一个极性的静电。

2、在制造存储器元件、平板显示装置、集成电路等电子装置的工艺中，因静电的产生，异物附着于电子装置或因静电的放电导致图案的损伤。

3、尤其是，在显示面板的沉积工艺中，基板(例如，玻璃)的表面有可能产生静电，在有机发光二极管(oled，organiclightemittingdiodes)显示面板的沉积工艺中，因基板搬运时产生的静电，在掩模的附着/解附时，发生因掩模棒(maskstick)基板物理受损的问题。

4、在oled面板的沉积过程中，为抑制或除去静电的产生而提出各种方法，主要有利用离子化装置去除静电的方法。离子化装置生成阳离子和阴离子并利用风扇或压缩空气排出至空气中，排出的粒子通过提供与产生静电的基板的带电粒子相反的离子粒子中和带电粒子，从而去除静电。

5、但是，用于去除静电的离子化装置，因在非真空环境中向空气中排出离子，存在难以适用于需维持高清洁度的真空环境的问题。现有的静电去除工艺，经过在真空环境中形成电子装置的薄膜之后，在非真空环境中通过另外的除电工艺去除静电的两个步骤。

6、现有的静电去除装置，因薄膜工艺和除电工艺相分离，无法立即去除形成薄膜时生成的静电，因此，在防止由静电导致的元件的损伤方面存在限制。

7、另外，现有的静电去除装置，因直接向基板照射离子束的生成过程中产生的离子粒子及离子光，从而导致基板的损伤。

技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有技术的不足而提供一种可在真空物流线的真空环境内提供离子束的真空除电系统。

2、本发明的另一目的在于，提供一种能够在高真空环境下提供离子粒子的真空除电系统。

3、本发明的又一目的在于，提供一种利用单一线型闭环加速离子束并可调节上下距离，不仅可适用于oled真空物流线，而且还可适用于片状基板的预处理工艺(例如，去除静电)的真空除电系统。上述真空除电系统解决因结构问题难以在真空装置内部装设离子源或将离子化的中性粒子照射至真空装置内部的问题，从而可在真空环境下连续执行oled物流工艺。

4、本发明的还一目的在于，提供一种为在真空环境下通过除电工艺去除静电，使空气汤森放电(townsenddischarge)，并将由此产生的离子束排出至基板，从而可同时达到防止光产生导致的基板损伤及去除静电效果的真空除电系统。

5、为达到上述目的，在一实施例中，本发明提供一种真空除电系统，防止包含于离子束的光导致的基板损伤，包括：离子源单元，使空气汤森放电(townsenddischarge)，在基板上生成产生除电反应的离子束，及将上述离子束排出至工艺室；及真空泵，在上述工艺室维持可点火真空度(vacuum degree)。

6、在真空除电系统中，上述离子源单元及上述中控室的内部压力维持10-4至10-8托。

7、在真空除电系统中，上述空气不包含用于离子束生成的另外的工艺气体。

8、在真空除电系统中，上述离子源单元利用离子的电荷排斥原理。

9、在真空除电系统中，还包括选择性地向上述工艺室排出从上述离子源单元排出的上述离子束或进行阻断的源门开闭器。

10、在真空除电系统中，上述离子源单元，包括：离子源，生成包含离子粒子的离子束；及离子源外壳，从外部阻断气体流入。

11、在真空除电系统中，上述离子源单元，包括：线型离子源单元，形成为线型以与通过上述工艺室的基板的第一侧面对应；及圆形离子源单元，形成为圆形以与通过上述工艺室的基板的第二侧面对应。

12、在真空除电系统中，还包括根据基板的特性调节传递至上述离子源单元的电压或电流的设定值的电力控制装置。

13、在真空除电系统中，还包括：涡轮分子泵(tmp)，调节用于上述离子源单元的放电反应的内部压力；及真空阀，结合于上述涡轮分子泵并控制上述离子源单元的真空排气流速。

14、在真空除电系统中，上述离子源单元还包括可调节与上述基板的上下距离的夹具结构体。

15、如上述说明，根据本发明，可在真空环境内稳定供应离子束，并可增加oled物流工艺的生产收率。

16、另外，根据本发明，因利用不产生光(或产生微弱的光)的汤森放电生成离子束，可防止基板损伤，并可减少制造工艺中产生的噪声。另外，因不利用另外的工艺气体而利用空气生成离子束，可节省费用。

17、以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

1.一种真空除电系统，防止包含于离子束的光导致的基板损伤，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于：上述离子源单元及上述中控室的内部压力维持10-4至10-8托。

3.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于：上述空气不包含另外的工艺气体。

4.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于：上述离子源单元利用离子的电荷排斥原理。

5.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于，还包括：选择性地向上述工艺室排出从上述离子源单元排出的上述离子束或进行阻断的源门开闭器。

6.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于，还包括：根据基板的特性调节传递至上述离子源单元的电压或电流的设定值的电力控制装置。

9.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求1所述的真空除电系统，其特征在于：上述离子源单元还包括可调节与上述基板的上下距离的夹具结构体。