显示装置和制造该显示装置的方法与流程

一个或更多个实施例涉及一种显示装置。更具体地，一个或更多个实施例涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置是显示用于向用户提供视觉信息的图像的装置。在显示装置之中，有机发光二极管显示器最近受到关注。

2、与液晶显示装置不同，有机发光显示装置具有自发射特性并且不需要单独的光源，从而可以减小厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器表现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。

技术实现思路

1、本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种具有高分辨率的显示装置。

2、本公开的一个或更多个实施例的方面提供了一种制造显示装置的方法。

3、另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述，并且部分地将通过所述描述而清楚，或者可以通过对公开的所呈现的实施例的实践来获知。

4、根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置可以包括：基底；金属图案，在基底上，金属图案包括第一合金层和第一金属层，其中，第一合金层包括包含铜和锌中的至少一种的钛合金，并且第一金属层在第一合金层上；有源层，在金属图案上；以及栅电极，在有源层上，栅电极包括第二合金层和第二金属层，其中，第二合金层包括包含铜和锌中的至少一种的钛合金，并且第二金属层在第二合金层上。

5、在一个或更多个实施例中，第一金属层和第二金属层中的每个可以包括铜。

6、在一个或更多个实施例中，有源层可以包括氧化物半导体。

7、在一个或更多个实施例中，第一合金层和第二合金层可以包括相同的材料。

8、在一个或更多个实施例中，钛合金中的钛的含量(例如，量)可以为约10at％至约80at％，并且钛合金中的铜或锌的含量(例如，量)可以为约20at％至约90at％。

9、在一个或更多个实施例中，钛合金中的钛的含量(例如，量)可以为约20at％至约50at％，并且钛合金中的铜或锌的含量(例如，量)可以为约50at％至约80at％。

10、在一个或更多个实施例中，第一合金层和第二合金层中的每个可以包括包含钛、铜和锌的钛合金。

11、在一个或更多个实施例中，第一合金层和第二合金层中的每个的厚度可以在约至约之间。

12、在一个或更多个实施例中，第一金属层和第二金属层中的每个的厚度可以在约至约之间。

13、在一个或更多个实施例中，金属图案的厚度可以与栅电极的厚度相同。

14、根据本公开的一个或更多个实施例的制造显示装置的方法可以包括：在基底上形成包括包含铜和锌中的至少一种的钛合金的第一合金层；在第一合金层上形成第一金属层；通过对第一合金层和第一金属层进行图案化来形成金属图案；在第一金属层上形成有源层；在有源层上形成包括包含铜和锌中的至少一种的钛合金的第二合金层；在第二合金层上形成第二金属层，并且通过对第二合金层和第二金属层进行图案化来形成栅电极。

15、在一个或更多个实施例中，有源层可以由氧化物半导体形成。

16、在一个或更多个实施例中，金属图案的形成可以包括利用湿蚀刻技术蚀刻第一合金层和第一金属层。

17、在一个或更多个实施例中，栅电极的形成可以包括利用湿蚀刻技术蚀刻第二合金层和第二金属层。

18、在一个或更多个实施例中，金属图案的厚度和栅电极的厚度可以相同(例如，金属图案和栅电极在厚度上相同)。

19、在一个或更多个实施例中，第一金属层和第二金属层可以由铜形成。

20、在一个或更多个实施例中，第一合金层和第二合金层可以由钛合金形成，形成钛合金的钛的含量(例如，量)可以为约10at％至约80at％，并且形成钛合金的铜或锌的含量(例如，量)可以为约20at％至约90at％。

21、在一个或更多个实施例中，形成钛合金的钛的含量(例如，量)可以为约20at％至约50at％，并且形成钛合金的铜或锌的含量(例如，量)可以为约50at％至约80at％。

22、在一个或更多个实施例中，第一合金层和第二合金层中的每个的厚度可以在约至约之间。

23、在一个或更多个实施例中，第一金属层和第二金属层中的每个的厚度可以在约至约之间。

24、在根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置中，因为包括在显示装置中的电极或布线包括包含钛合金的合金层，所以可以控制或选择(例如，容易地控制或选择)电极或布线的宽度。因此，可以实现包括在显示装置中的电极或布线的细线宽。在一个或更多个实施例中，电极或布线可以防止或基本上防止氢扩散到有源层中，从而改善晶体管的性能。因此，可以在包括电极或布线的显示装置中实现高分辨率。

25、在一个或更多个实施例中，因为实现了电极或布线的细线宽，所以设置在合金层上的金属层可以包括铜。因此，可以减小电极和布线的电阻。

技术特征：

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的每个包括铜。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有源层包括氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一合金层和所述第二合金层包括相同的材料。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述钛合金中的钛的含量为10at％至80at％，并且

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述钛合金中的钛的含量为20at％至50at％，并且

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一合金层和所述第二合金层中的每个包括包含钛、铜和锌的钛合金。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一合金层和所述第二合金层中的每个的厚度在至之间。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的每个的厚度在至之间。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属图案的厚度与所述栅电极的厚度相同。

11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述有源层由氧化物半导体形成。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，对所述第一合金层和所述第一金属层进行图案化以形成所述金属图案的步骤包括：

14.根据权利要求11所述的方法，其中，对所述第二合金层和所述第二金属层进行图案化以形成所述栅电极的步骤包括：

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述金属图案的厚度和所述栅电极的厚度相同。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一金属层和所述第二金属层由铜形成。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一合金层和所述第二合金层由所述钛合金形成，

18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述钛合金的钛的含量为20at％至50at％，并且

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一合金层和所述第二合金层中的每个的厚度在至之间。

20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的每个的厚度在至之间。

技术总结
公开了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底；金属图案，在基底上，金属图案包括第一合金层和第一金属层，其中，第一合金层包括包含铜和锌中的至少一种的钛合金，并且第一金属层在第一合金层上；有源层，在金属图案上；以及栅电极，在有源层上，栅电极包括第二合金层和第二金属层，其中，第二合金层包括包含铜和锌中的至少一种的钛合金，并且第二金属层在第二合金层上。

技术研发人员：申铉亿,李东敏,金荣绿,朴俊龙,裵俊佑,郑参台
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15