1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：还包括多个绝缘隔断结构，所述绝缘隔断结构贯穿所述第一叠层结构，并连接位于所述第一阶梯结构和所述第四阶梯结构中相邻的所述子栅线缝隙。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：所述绝缘隔断结构包括底部选择栅切口结构或虚设沟道孔。
4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述阶梯结构还包括位于所述第一阶梯结构和所述第四阶梯结构之间的第二阶梯结构和第三阶梯结构，所述三维存储器还包括第二触点结构，所述第二触点结构分布于所述第二阶梯结构或所述第三阶梯结构的台阶上，并与所述第一指状结构中的所述底部选择栅层连接。
5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：包括两个挡墙结构，且在所述第二方向上所述阶梯结构位于两个所述挡墙结构之间。
6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：在所述第一阶梯结构向所述第四阶梯结构延伸的方向，所述第一阶梯结构的台阶依次降低，所述第四阶梯结构的台阶依次升高。
7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述阶梯结构位于所述第二指状结构中，所述第一触点结构与所述第二指状结构的所述底部选择栅层连接。
8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述存储区块还包括第三指状结构，所述第一指状结构、第二指状结构和第三指状结构沿所述第二方向排列设置。
9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于：所述三维存储器还包括第三触点结构，所述第三触点结构分布于所述第一阶梯结构及所述第四阶梯结构的台阶上，并与所述第三指状结构中的所述底部选择栅层连接。
10.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：还包括主栅线缝隙，所述主栅线缝隙将所述堆叠结构划分为多个所述存储区块。
11.一种三维存储器，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于：所述第二叠层结构包括多层所述顶部选择栅层，所述堆叠结构中还设有第五阶梯结构及第六阶梯结构，所述第五阶梯结构位于所述第一顶部选择栅连接区，所述第六阶梯结构位于所述第二顶部选择栅连接区。
13.根据权利要求12所述的三维存储器，其特征在于：所述第五阶梯结构的台阶上分布有多个第四触点结构，所述第六阶梯结构的台阶上分布有多个第五触点结构，所述第四触点结构与所述第五触点结构分别与对应台阶中的所述顶部选择栅层连接。
14.根据权利要求12所述的三维存储器，其特征在于：在所述第五阶梯结构向所述第六阶梯结构延伸的方向，所述第五阶梯结构的台阶依次降低，所述第六阶梯结构的台阶依次升高。
15.根据权利要求12所述的三维存储器，其特征在于：包括两个所述挡墙结构，所述第五阶梯结构和所述第六阶梯结构位于两个所述挡墙结构之间。
16.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于：还包括主栅线缝隙，所述主栅线缝隙将所述堆叠结构划分为多个所述存储区块。
17.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
18.根据权利要求17所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，包括步骤：
19.根据权利要求17所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，包括步骤：形成两个所述挡墙结构，所述阶梯结构位于两个所述挡墙结构之间。
20.根据权利要求17所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：所述栅线缝隙结构将所述存储区块划分为第一指状结构和第二指状结构，所述挡墙结构位于所述第一指状结构中，所述阶梯结构位于所述第二指状结构中。