用于三维存储器阵列中的字线复用的结构的制作方法

本涉及用于三维存储器阵列中的字线复用的结构。

背景技术：

1、存储器装置广泛用来在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储。例如，二元存储器单元可被编程为两种受支持状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，所述状态中的任何一者可被存储。为了存取经存储信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储在存储器装置中的状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入(例如，编程、设置、指派)状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术、或非(nor)及与非(nand)存储器装置等等。存储器单元可按照易失性配置或非易失性配置进行描述。即使在缺乏外部电源的情况下，以非易失性配置进行配置的存储器单元也可长时间维持经存储逻辑状态。当与外部电源断开连接时，以易失性配置进行配置的存储器单元可能会丢失经存储状态。

技术实现思路

1、描述一种设备。所述设备可包含：多个字线导体，其沿着远离存储器裸片的衬底的第一方向布置成堆叠，所述多个字线导体中的每一字线导体在所述衬底上方沿着第二方向延伸且可操作以存取所述衬底上方的一组相应的一或多个存储器单元；半导体材料的多个第一部分，其沿着所述第二方向布置，所述半导体材料的每一第一部分与所述多个字线导体中的相应字线导体电耦合；及栅极材料部分，其可操作以至少部分地基于所述栅极材料部分的电压来调制所述衬底上方的所述半导体材料的每一第一部分与所述半导体材料的多个第二部分中的相应第二部分之间的相应电导率。

2、描述一种方法。所述方法可包含：在存储器裸片的衬底上方形成材料层堆叠，所述材料层堆叠包括第一材料与第二材料的沿着远离所述衬底的第一方向的交替层，所述第二材料包括半导体材料；形成沿着所述第一方向布置成堆叠的多个字线导体，所述多个字线导体中的每一字线导体可操作以存取一组相应的一或多个存储器单元；至少部分地基于穿过所述第二材料的层从每一第一部分周围移除所述第二材料来形成所述第二材料的多个第一部分，所述第二材料的每一第一部分与所述多个字线导体中的相应字线导体电耦合；至少部分地基于穿过所述第二材料的所述层从每一第二部分周围移除所述第二材料来形成所述第二材料的多个第二部分；及形成栅极材料部分，所述栅极材料部分可操作以至少部分地基于所述栅极材料部分的电压来调制所述第二材料的所述多个第一部分中的每一第一部分与所述第二材料的所述多个第二部分中的相应第二部分之间的电导率。

3、描述一种设备。所述设备可通过工艺来形成，所述工艺包含：在存储器裸片的衬底上方形成材料层堆叠，所述材料层堆叠包括第一材料与第二材料的沿着远离所述衬底的第一方向的交替层，所述第二材料包括半导体材料；形成沿着所述第一方向布置成堆叠的多个字线导体，所述多个字线导体中的每一字线导体可操作以存取一组相应的一或多个存储器单元；至少部分地基于穿过所述第二材料的层从每一第一部分周围移除所述第二材料来形成所述第二材料的多个第一部分，所述第二材料的每一第一部分与所述多个字线导体中的相应字线导体电耦合；至少部分地基于穿过所述第二材料的所述层从每一第二部分周围移除所述第二材料来形成所述第二材料的多个第二部分；及形成栅极材料部分，所述栅极材料部分可操作以至少部分地基于所述栅极材料部分的电压来调制所述第二材料的所述多个第一部分中的每一第一部分与所述第二材料的所述多个第二部分中的相应第二部分之间的电导率。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体材料的所述多个第一部分在所述衬底上方沿着第三方向位于所述半导体材料的所述多个第二部分与所述多个字线导体之间。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体材料的所述多个第一部分中的每一第一部分及所述半导体材料的所述多个第二部分中的每一第二部分具有沿着所述第一方向的相应范围，且其中沿着所述第一方向的所述相应范围沿着所述第一方向至少部分地重叠。

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体材料的所述多个第一部分中的每一第一部分包含在沿着所述第一方向布置的所述半导体材料的一组相应的多个第一部分中。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述一组相应的多个第一部分的每一第一部分经由沿着所述第一方向的导电材料与所述多个字线导体中的所述相应字线导体电耦合。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体材料的所述多个第二部分中的每一第二部分包含在沿着所述第一方向布置的所述半导体材料的一组相应的多个第二部分中。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述一组相应的多个第二部分的每一第二部分经由沿着所述第一方向的导电材料彼此电耦合。

9.根据权利要求1所述的设备，其中：

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个字线导体中的每一字线导体与沿着所述第二方向的不同范围相关联。

11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

12.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述半导体材料的所述多个第四部分中的每一第四部分与所述半导体材料的所述多个第二部分中的相应第二部分电耦合。

14.根据权利要求12所述的设备，其中所述一组相应的一或多个存储器单元的每一存储器单元及所述一组相应的一或多个第二存储器单元的每一第二存储器单元与所述存储器裸片的同一板节点电耦合。

15.一种方法，其包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述栅极材料部分是至少部分地基于在所述沟槽中沉积栅极材料。

18.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：

21.根据权利要求15所述的方法，其中每一字线导体能够操作以存取与所述第二材料的相应层相关联的相应多个存储器单元。

22.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

23.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

24.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括：

25.一种通过工艺形成的设备，所述工艺包括：

技术总结
本申请涉及用于三维存储器阵列中的字线复用的结构。存储器裸片可包含用于阶梯区附近或之间的区中的存取线复用的电路。例如，对于字线堆叠的每一字线，复用区可包含半导体材料的相应第一部分及所述半导体材料的相应第二部分，且还可包含可操作以调制所述第一部分与所述第二部分之间的电导率的栅极材料。每一字线可与所述半导体材料的所述相应第一部分耦合，使得所述栅极材料的偏置可将所述字线与所述半导体材料的所述相应第二部分耦合。此类特征可支持用于与所述字线堆叠相关联或在多个字线堆叠当中或两者的复用的各种技术。

技术研发人员：F·A·席赛克·艾吉,崔铭栋,R·E·法肯索尔
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4