集成存储器阵列与外围的金属硅化物的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器系统，且更具体来说涉及存储器装置及其形成。

背景技术：

1、存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)、静态ram(sram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等等。非易失性存储器可在未被供电时保存所存储数据，且其包含快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)、磁阻式随机存取存储器(mram))或三维(3d)xpointtm存储器等。可通过增强存储器装置的组件的设计及制造来改进存储器装置的性质。

技术实现思路

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述金属硅化物具有由在制造中能完全转换为所述金属硅化物的多晶硅的厚度定义的厚度。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述金属硅化物是硅化钛。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述存储器装置在所述硅化钛与所述金属触点之间具有金属势垒区，所述金属势垒区在所述金属硅化物上且与之接触，其中所述金属触点在所述金属势垒区上且与之接触。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述金属势垒区包含硅化钨。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述金属组成包含钨。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述数字线通过硅化钨与所述电介质分离。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包含在所述金属栅极上且与之接触的所述金属硅化物及在所述金属硅化物上且与之接触的所述金属触点。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述数字线在所述电介质上且与之接触。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在所述外围中的所述晶体管上的所述金属触点的顶部层级与所述存储器阵列区中的所述数字线的顶部层级之间的台阶高度约为14nm。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述晶体管是互补金属氧化物半导体cmos装置的晶体管，其中所述金属栅极是高k金属栅极。

12.一种形成存储器装置的方法，所述方法包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述金属硅化物包含形成多晶硅区且将所述多晶硅区完全转换为所述金属硅化物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中将所述多晶硅区转换为所述金属硅化物包含所述多晶硅区的快速热处理。

15.根据权利要求12所述的方法，其中在与形成所述金属触点的共同制造程序中执行形成所述数字线。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述方法包含：

17.一种形成存储器装置的方法，所述方法包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述方法进一步包含形成在所述外围中的所述金属硅化物上且与之接触且在所述存储器阵列区中的所述数字线触点上且与之接触的金属势垒区。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述方法包含：

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述方法包含：

技术总结
各种应用能包含设备，所述设备具有存储器装置，所述存储器装置具有金属数字线，其在金属线与存储器阵列区的外围中的晶体管的金属触点的集成工艺流程中耦合到存储器阵列的各种数字线触点，其中金属硅化物形成于晶体管的栅极上。每一晶体管的金属硅化物能耦合到所述晶体管的所述金属触点。在所述集成工艺流程中，所述金属数字线的材料能用作到存储器阵列区的外围中的晶体管的金属触点。在所述集成工艺流程中，能通过转换形成在所述存储器阵列区及所述存储器阵列区的所述外围上的多晶硅来形成所述金属硅化物。

技术研发人员：S·斯里瓦斯塔瓦,R·辛噶纳马拉,R·A·本森
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4