形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列与流程

本文中所公开的实施例是针对形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列。

背景技术：

1、存储器是一个类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。可将存储器制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可称为字线)来使存储器单元被写入或从存储器单元读取。数字线可沿阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。

2、存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在包含计算机断电时的长时间内存储数据。易失性存储器是耗散型的且因此在许多例项中需要被每秒多次刷新/重写。无论如何，存储器单元经配置以将存储器保存或存储成至少两个不同可选状态。在二进制系统中，将状态视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的多于两个级别或状态。

3、电容器是可用于存储器单元中的一个类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。可将作为电场的能量静电地存储在此材料内。取决于绝缘体材料的组合物，所述存储电场将为易失性或非易失性的。例如，仅包含sio2的电容器绝缘体将为易失性的。一个类型的非易失性电容器是铁电电容器，其具有铁电材料作为绝缘体材料的至少部分。铁电材料的特征在于具有两个稳定极化状态且借此可包括电容器及/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态会因施加适合编程电压而改变且在移除编程电压后保持不变(至少达一段时间)。每一极化状态具有不同于另一极化状态的电荷存储电容，且其可在不使极化状态反转的情况下理想地用于写入(即，存储)及读取存储器状态，直到期望使此极化状态反转。不幸地的是，在具有铁电电容器的一些存储器中，读取存储器状态的动作会使极化反转。相应地，在确定极化状态后，进行存储器单元的重写以在极化状态确定后使存储器单元实时进入读前状态中。无论如何，并入铁电电容器的存储器单元理想地是非易失性的，此归因于形成电容器的部分的铁电材料的双稳态特性。一个类型的存储器单元具有与铁电电容器串联电耦合的选择装置。

4、可将其它可编程材料用作用于使电容器呈现非易失性的电容器绝缘体。此外且无论如何，电容器的阵列可形成为存储器单元的阵列或其它集成电路中的阵列的部分。

技术实现思路

1、本技术的一方面涉及阵列。所述阵列可包括：若干对竖直相对电容器，共享电容器电极及电容器绝缘体。所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬。所述共享电容器电极由所述对中的个别者中的所述竖直相对电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间。所述电容器绝缘体介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间，所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面，所述电容器绝缘体横向向外延伸超过所述上电容器电极内衬和所述下电容器电极内衬的每一者的横向最外边缘。

2、本技术的另一方面，一种阵列可包括：若干对竖直相对上下电容器，共享电容器电极，电容器绝缘体。所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的所述上电容器的上电容器电极及所述下电容器的下电容器电极。所述共享电容器电极由所述对中的个别者中的所述竖直相对上下电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极及所述下电容器电极的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极与所述下电容器电极之间。所述电容器绝缘体介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极及所述下电容器电极之间。所述上电容器电极包括面向下的容器形状的导电材料，所述容器形状包括侧壁及径向延伸到所述侧壁且延伸在所述侧壁之间的顶部，所述电容器绝缘体在其径向中心处的所述上电容器电极的所述顶部与所述共享电容器电极之间的竖向厚度大于其在所述上电容器电极的所述侧壁与所述共享电容器电极之间的横向厚度。

3、在本技术的又一方面，一种存储器阵列可包括：若干对竖直相对电容器，共享电容器电极，电容器绝缘体，若干上晶体管及若干下晶体管。所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬，所述对中的个别者中的所述电容器个别地位于所述存储器阵列的两个不同存储器单元中。所述共享电容器电极由所述对中的个别者中的所述竖直相对电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间。所述电容器绝缘体介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间，所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面。所述若干上晶体管个别地位于所述上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬以构成所述阵列的一个1t-1c存储器单元。所述若干下晶体管个别地位于所述下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬以构成所述阵列的另一1t-1c存储器单元。

4、在本技术的又一方面，一种存储器阵列可包括：若干对竖直相对电容器，共享电容器电极，电容器绝缘体，若干上晶体管及若干下晶体管。所述对竖直相对电容器个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬，所述对竖直相对电容器中的个别者中的所述电容器个别地位于所述存储器阵列的相同个别2t-2c存储器单元中。所述共享电容器电极由所述对竖直相对电容器中的个别者中的所述竖直相对电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间。所述电容器绝缘体介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间，所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面。所述若干上晶体管个别地位于所述上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬。所述若干下晶体管个别地位于所述下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬。所述上晶体管中的一者及所述下晶体管中的一者的对使其相应栅极直接电耦合在一起以构成所述存储器阵列的所述个别2t-2c存储器单元。

5、在本技术的又一方面，一种存储器阵列可包括：若干对竖直相对电容器，共享电容器电极，电容器绝缘体，若干上晶体管及若干下晶体管。所述对竖直相对电容器个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬，所述对竖直相对电容器中的个别者中的所述电容器个别地位于所述存储器阵列的两个不同存储器单元中。所述共享电容器电极由所述对竖直相对电容器中的个别者中的所述竖直相对电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间。所述电容器绝缘体介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间，所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面。所述若干上晶体管个别地位于所述上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬，所述上晶体管的直接横向相邻对使其相应栅极直接电耦合在一起以构成所述阵列的一个2t-2c存储器单元。所述若干下晶体管个别地位于所述下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬，所述下晶体管的直接横向相邻对使其相应栅极直接电耦合在一起以构成所述阵列的另一2t-2c存储器单元。

6、在本技术的又一方面，一种存储器阵列可包括：若干对竖直相对电容器，共享电容器电极，电容器绝缘体，若干上晶体管及若干下晶体管。所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的所述上电容器的上电容器电极及所述下电容器的下电容器电极，所述对中的个别者中的所述上电容器及所述下电容器个别地位于所述存储器阵列的两个不同存储器单元中。所述共享电容器电极由所述对中的个别者中的所述竖直相对上下电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极及所述下电容器电极的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极与所述下电容器电极之间。所述电容器绝缘体介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极及所述下电容器电极之间。所述上电容器电极包括面向下的容器形状的导电材料，所述容器形状包括侧壁及径向延伸到所述侧壁且延伸在所述侧壁之间的顶部，所述电容器绝缘体在其径向中心处的所述上电容器电极的所述顶部与所述共享电容器电极之间的竖向厚度大于其在所述上电容器电极的所述侧壁与所述共享电容器电极之间的横向厚度。所述若干上晶体管个别地位于若干上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬以构成所述阵列的一个1t-1c存储器单元。所述若干下晶体管个别地位于若干下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬以构成所述阵列的另一1t-1c存储器单元。

7、在本技术的又一方面，一种存储器阵列可包括：若干对竖直相对电容器，共享电容器电极，电容器绝缘体，若干上晶体管及若干下晶体管。所述对竖直相对上下电容器个别地包括彼此竖向分离且间隔的所述上电容器的上电容器电极及所述下电容器的下电容器电极，所述对竖直相对上下电容器中的个别者中的所述上电容器及所述下电容器位于所述存储器阵列的相同个别2t-2c存储器单元中。所述共享电容器电极由所述对竖直相对上下电容器中的个别者中的所述竖直相对上下电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极及所述下电容器电极的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极与所述下电容器电极之间。所述电容器绝缘体，其介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极及所述下电容器电极之间。所述上电容器电极包括面向下的容器形状的导电材料，所述容器形状包括侧壁及径向延伸到所述侧壁且延伸于所述侧壁之间的顶部，所述电容器绝缘体在其径向中心处的所述上电容器电极的所述顶部与所述共享电容器电极之间的竖向厚度大于其在所述上电容器电极的所述侧壁与所述共享电容器电极之间的横向厚度。所述若干上晶体管个别地位于若干上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬。所述若干下晶体管个别地位于若干下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬。所述上晶体管中的一者及所述下晶体管中的一者的对使其相应栅极直接电耦合在一起以构成所述存储器阵列的所述个别2t-2c存储器单元

8、在本技术的又一方面，一种存储器阵列可包括：若干对竖直相对电容器，共享电容器电极，电容器绝缘体，若干上晶体管及若干下晶体管。所述对竖直相对上下电容器个别地包括彼此竖向分离且间隔的所述上电容器的上电容器电极及所述下电容器的下电容器电极，所述上电容器及所述下电容器位于所述存储器阵列的两个不同存储器单元中。所述共享电容器电极由所述对竖直相对上下电容器中的个别者中的所述竖直相对上下电容器共享，所述共享电容器电极位于所述上电容器电极及所述下电容器电极的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极与所述下电容器电极之间。所述电容器绝缘体介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极及所述下电容器电极之间。所述上电容器电极包括面向下的容器形状的导电材料，所述容器形状包括侧壁及径向延伸到所述侧壁且延伸在所述侧壁之间的顶部，所述电容器绝缘体在其径向中心处的所述上电容器电极的所述顶部与所述共享电容器电极之间的竖向厚度大于其在所述上电容器电极的所述侧壁与所述共享电容器电极之间的横向厚度。所述若干上晶体管个别地位于若干上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬，所述上晶体管的直接横向相邻对使其相应栅极直接电耦合在一起以构成所述阵列的一个2t-2c存储器单元。所述若干下晶体管个别地位于若干下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬，所述下晶体管的直接横向相邻对使其相应栅极直接电耦合在一起以构成所述阵列的另一2t-2c存储器单元。