1.一种低磁滞的磁隧道结元件，其特征在于，包括依次连接的底电极层、磁性钉扎层、被钉扎层、非磁势垒层、复合自由层和顶电极层；
2.根据权利要求1所述的低磁滞的磁隧道结元件，其特征在于，所述复合自由层满足以下条件的至少一项：
3.根据权利要求1或2所述的低磁滞的磁隧道结元件，其特征在于，所述复合自由层满足以下条件的至少一项：
4.根据权利要求1或2所述的低磁滞的磁隧道结元件，其特征在于，磁隧道结元件的横截面形状为长方形或椭圆形，长宽比或长轴与短轴之比为(1.5～10)：1。
5.根据权利要求1或2所述的低磁滞的磁隧道结元件，其特征在于，满足以下条件中的至少一项：
6.根据权利要求1或2所述的低磁滞的磁隧道结元件，其特征在于，满足以下条件中的至少一项：
7.一种权利要求1-6任一项所述的磁隧道结元件的制备方法，其特征在于，在基片上依次沉积磁隧道结元件的各个层，然后进行第一次退火。
8.根据权利要求7所述的低磁滞的磁隧道结元件的制备方法，其特征在于，所述第一次退火满足以下条件中的至少一项：
9.根据权利要求7或8所述的低磁滞的磁隧道结元件的制备方法，其特征在于，还包括第二次退火。
10.根据权利要求9所述的低磁滞的磁隧道结元件的制备方法，其特征在于，所述第二次退火满足以下条件中的至少一项：