OLED显示基板及其制作方法、显示装置与流程

本发明涉及显示，特别是指一种oled显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术：

1、oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示器件由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。

2、在可穿戴设备方面，oled显示器件由于其轻薄、柔软的特性，被广泛应用于智能手表、健身追踪器等可穿戴设备中。在车载领域，oled显示器件也得到了广泛应用，车载中控显示屏、仪表盘、汽车照明和车尾灯等都可以使用oled显示器件。

3、而在可穿戴设备或车载显示应用中，oled显示器件都会频繁或长期暴露在自然环境光中，自然光中的紫外光(uv光)射入到oled显示器件内部会使得有机材料发生化学反应，加速oled显示器件的老化，缩短其寿命；同时部分有机材料会因uv光的照射而变色甚至产生自发光，使oled显示器件出现色偏现象。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是提供一种oled显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高oled显示基板的寿命。

2、为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

3、一方面，提供一种oled显示基板，包括：

4、衬底；

5、位于所述衬底上的驱动电路层；

6、位于所述驱动电路层远离所述衬底一侧的发光器件；

7、位于所述发光器件的出光侧的光学层，所述光学层对于波长为200纳米-400纳米的光的透过率低于70％，对于波长为500纳米-800纳米的光的透过率高于85％。

8、一些实施例中，所述光学层采用氮化硅，所述光学层的厚度为3300纳米-3500纳米；或

9、所述光学层对于波长为240纳米-260纳米的光的折射率为2.13-2.16，消光系数为0.12-0.14；对于波长为340纳米-360纳米的光的折射率为1.94-1.96，消光系数为0.17-0.20；对于波长为440纳米-460纳米的光的折射率为1.87-1.88，消光系数为0.0013-0.0017；对于波长为540纳米-560纳米的光的折射率为1.84-1.85，消光系数小于0.00001；对于波长为640纳米-660纳米的光的折射率为1.82-1.83，消光系数小于0.00001；对于波长为740-760纳米的光的折射率为1.81-1.82，消光系数小于0.00001。

10、一些实施例中，所述光学层包括依次层叠的：

11、第一光学膜，所述第一光学膜的厚度为130纳米-132纳米，对波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.31-1.32，消光系数为0.0002-0.0003；

12、第二光学膜，所述第二光学膜的厚度为44纳米-45纳米，对波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.85-1.95，消光系数为0.06-0.07；

13、第三光学膜，所述第三光学膜的厚度为58纳米-59纳米，对波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.25-1.35，消光系数为0.04-0.05；

14、第四光学膜，所述第四光学膜的厚度为40纳米-41纳米，对波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.35-1.50，消光系数为0.001-0.0015。

15、一些实施例中，所述光学层包括依次层叠的：

16、第五光学膜，所述第五光学膜的厚度为16纳米-20纳米，对波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.30-1.40，消光系数为0.0015-0.002；

17、第六光学膜，所述第六光学膜采用氮化硅，厚度为3300纳米-3500纳米；或

18、所述第六光学膜对于波长为240纳米-260纳米的光的折射率为2.13-2.16，消光系数为0.12-0.14；对于波长为340纳米-360纳米的光的折射率为1.94-1.96，消光系数为0.17-0.20；对于波长为440纳米-460纳米的光的折射率为1.87-1.88，消光系数为0.0013-0.0017；对于波长为540纳米-560纳米的光的折射率为1.84-1.85，消光系数小于0.00001；对于波长为640纳米-660纳米的光的折射率为1.82-1.83，消光系数小于0.00001；对于波长为740-760纳米的光的折射率为1.81-1.82，消光系数小于0.00001。

19、一些实施例中，所述第五光学膜远离所述第六光学膜的表面包括阵列排布的多个凸起的光学结构，相邻所述光学结构之间相距预设距离。

20、一些实施例中，所述第五光学膜的表面包括阵列排布的多个第一光学结构，所述第一光学结构为半球状，相邻的所述第一光学结构在所述衬底上的正投影的中心之间的距离d1为2.00微米-2.40微米，所述第一光学结构在所述衬底上的正投影的直径为0.18微米-2.20微米，且所述第一光学结构在所述衬底上的正投影的直径小于d1，所述第一光学结构的高度为0.09微米-1.10微米。

21、一些实施例中，所述第五光学膜的表面包括阵列排布的多个第二光学结构，所述第二光学结构为棱锥状，相邻的所述第二光学结构在所述衬底上的正投影的中心之间的距离d2为2.00微米-2.40微米，所述第二光学结构在所述衬底上的正投影为正方形，所述正方形的边长为0.18微米-2.20微米，且所述正方形的边长小于d2，所述第二光学结构的高度为0.09微米-1.10微米，所述第二光学结构的侧表面与所述衬底之间所成的角度为40°-50°。

22、一些实施例中，所述第五光学膜的表面包括阵列排布的多个第三光学结构，所述第三光学结构为圆柱状，相邻的所述第三光学结构在所述衬底上的正投影的中心之间的距离d3为2.00微米-2.40微米，所述第三光学结构在所述衬底上的正投影的直径为0.18微米-2.20微米，且所述第三光学结构在所述衬底上的正投影的直径小于d3，所述第三光学结构的高度为0.09微米-1.10微米。

23、一些实施例中，沿远离所述衬底的方向，所述发光器件包括依次层叠的：

24、空穴传输层；

25、辅助发光层；

26、发光层；

27、空穴阻挡层；

28、电子传输层；

29、阴极；

30、第一折射率的微腔调节层；

31、第二折射率的微腔调节层，所述第二折射率小于所述第一折射率。

32、一些实施例中，所述oled显示基板还包括：

33、位于所述空穴传输层远离所述辅助发光层一侧的辅助空穴传输层；或

34、位于所述空穴传输层和所述辅助发光层之间的辅助空穴传输层；

35、其中，所述空穴传输层对于波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.85-1.95，所述辅助空穴传输层对于波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.45-1.75，所述辅助空穴传输层的厚度小于所述空穴传输层的厚度。

36、一些实施例中，沿远离所述衬底的方向，所述发光器件包括依次层叠的：

37、空穴传输层；

38、辅助发光层；

39、发光层；

40、空穴阻挡层；

41、电子传输层；

42、附加空穴传输层；

43、附加辅助发光层；

44、附加发光层；

45、附加空穴阻挡层；

46、附加电子传输层；

47、阴极；

48、第一折射率的微腔调节层；

49、第二折射率的微腔调节层，所述第二折射率小于所述第一折射率。

50、一些实施例中，所述oled显示基板还包括：

51、位于所述空穴传输层远离所述辅助发光层一侧的辅助空穴传输层；或

52、位于所述空穴传输层和所述辅助发光层之间的辅助空穴传输层；或

53、位于所述电子传输层和附加空穴传输层之间的辅助空穴传输层；或

54、位于所述附加空穴传输层和所述附加辅助发光层之间的辅助空穴传输层；

55、其中，所述空穴传输层和所述附加空穴传输层对于波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.85-1.95，所述辅助空穴传输层对于波长为200纳米-800纳米的光的折射率为1.45-1.75，所述辅助空穴传输层的厚度小于所述空穴传输层的厚度，所述辅助空穴传输层的厚度小于所述附加空穴传输层的厚度。

56、一些实施例中，所述发光器件包括蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层，所述蓝色发光层的本征光谱峰位为460纳米-480纳米，半高宽为15纳米-25纳米；所述绿色发光层的本征光谱峰位为520纳米-550纳米，半高宽为30纳米-60纳米；所述红色发光层的本征光谱峰位为620纳米-640纳米，半高宽为25纳米-50纳米；

57、其中，所述半高宽为发光层的本征光谱在一半高度处的宽度。

58、本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的oled显示基板。

59、本发明的实施例还提供了一种oled显示基板的制作方法，包括：

60、提供一衬底；

61、在所述衬底上形成驱动电路层；

62、在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧形成发光器件；

63、在所述发光器件的出光侧形成光学层，所述光学层对于波长为200纳米-400纳米的光的透过率低于70％，对于波长为500纳米-800纳米的光的透过率高于85％。

64、本发明的实施例具有以下有益效果：

65、上述方案中，在发光器件的出光侧设置有光学层，光学层对于波长为200纳米-400纳米的光的透过率低于70％，这样光学层能够阻挡外界的紫外光射入到发光器件内部，避免发光器件内部的有机材料在紫外光的照射下发生化学反应，延缓发光器件的老化，提高显示基板的寿命，另外，还能避免有机材料因紫外光的照射变色或产生自发光，避免显示基板出现色偏现象；同时，光学层对于波长为500纳米-800纳米的光的透过率高于85％，不会影响显示基板的正常显示。