带有温度补偿和各种操作模式的精确弛豫振荡器的制作方法

专利名称：带有温度补偿和各种操作模式的精确弛豫振荡器的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及产生时钟脉冲频率的集成电路，尤其涉及在环境温度、制造工艺和电压发生很大变化的范围内产生稳定时钟脉冲频率的精确弛豫振荡器。本发明在单个单片集成电路上实现。此外，该精确弛豫振荡器能够在几种模式下操作。
本申请是1998年3月19日申请的发明名称为“带有温度补偿的精确弛豫振荡器”(“Precision Relaxation Oscillator With TemperatureCompensation”)的美国专利申请第09/044，361号的部分继续申请，1998年3月19日申请的美国专利申请第09/044，361转让给与本申请相同的受让人，并与本申请拥有至少一个共同发明人。特此引用，以供参考。
现有技术描述现有技术的现状描述了主要依赖于两种方案之一的RC弛豫振荡器。在

图1所示的第一个例子中，单比较器与脉冲发生器耦合，交替充放电电容器以产生用于“D型”触发器的时钟脉冲。在这种设计中存在着几种误差源。电阻和电容器通常具有不可预测的电压和温度系数。充电电流和比较器输入摆动(slew)是也经受漂移的电源电压的函数。此时，脉冲发生器输出也可能随着温度和电源电压而变化。这些因素导致了时钟脉冲频率在整个温度范围内发生变化。
在图2所示的第二个实施例中，RC电路提供了到两个比较器的每一个的公用输入。独立的参考电压耦合到比较器其余输入端的每一个。两个比较器每一个的输出端都耦合到“置位复位型”触发器。触发器的输出用于交替充放电电容器。尽管这种电路消除了如上面图1所讨论的脉冲发生器存在的不精确性，但它们本身仍显示出其它问题。由于不可能以相同的速率对电容充放电，尤其在温度发生变化的情况下，因此，可能发生占空比误差。此外，由于难以提供对温度步调一致地相互跟踪的两个参考电压，也会引起误差。
因此，存在着提供能够与温度无关保持稳定时钟脉冲频率的弛豫振荡器的需要。
发明概述本发明的目的之一是提供一种能够保持稳定时钟脉冲频率与温度无关的弛豫振荡器。稳定时钟脉冲定义为在经历温度振荡的环境下保持稳定频率的时钟脉冲。
本发明的另一个目的是提供一种使振荡器的温度系数最小的弛豫振荡器，其中振荡器的温度系数是用时钟脉冲频率的百万分之几被温度除后的值(ppm/℃)来量度的。例如，4MHz时钟脉冲频率的百万分之一每摄氏度等于4个时钟脉冲周期。
本发明还有一个目的是提供一种不受由于处理过程和电源电压引起的频率漂移影响的弛豫振荡器。
本发明还有一个目的是提供包括快模式、慢/低功率模式和休眠模式的三种操作模式。
本发明还有一个目的是当在慢模式和休眠模式下操作时降低功率消耗。
根据本发明的一个实施例，本发明公开了在环境温度发生很大变化的范围内产生稳定时钟脉冲频率的精确弛豫振荡器。精确弛豫振荡器包括振荡发生器；产生第一输出电流的第一电流产生器和产生第二输出电流的第二电流发生器。本发明在单个单片集成电路上得以实现。
根据本发明的另一个实施例，外部电阻可以与第一电流发生器或第二电流发生器耦合，生成确定时钟脉冲频率所需要的相应输出电流。
根据本发明的另一个实施例，在第一和第二电流发生器中配置了几个内部电阻，用于选择振荡器的时钟脉冲速率。
根据本发明的另一个实施例，配置了转换检测器电路。
根据本发明的另一个实施例，配置了与振荡发生器的输出端耦合的时钟脉冲禁止器。
通过结合附图对本发明的优选实施例进行如下更具体的描述，本发明的上述和其它目的、特征和优点将更加清楚。
附图简述图1是显示带有脉冲发生器和简单RC弛豫振荡器的现有技术的示意图2是显示双比较器RC弛豫振荡器的现有技术的示意图；图3是本发明的方框图；图4是存在于本发明中的CTAT电流发生器的方框图；图5是存在于本发明中的PTAT电流发生器的方框图；图6是本发明的特定参数的时序图；和图7是在慢模式与快模式之间时钟脉冲转换的时序图。
优选实施例详述参照图3，图3显示了在环境温度发生很大变化的范围内产生稳定时钟脉冲频率的精确弛豫振荡器1。最好，精确弛豫振荡器1在大约1kHz至8MHz的范围内产生稳定时钟脉冲频率。然而，本领域的普通技术人员应该认识到，本发明并不仅限于特定的频率范围。
精确弛豫振荡器1具有三种模式。第一种模式是快模式，也是标准工作模式。
第二种模式是慢模式，可以选用于节省电力(power)，还让精确弛豫振荡器1使用的电路的一些功能保持有效。第三种模式是休眠模式，在这种模式中，精确弛豫振荡器1处于无效状态，既没有时钟脉冲输出，也没有任何功率消耗。模式之间的转换可以产生“不工作”(“on the fly”)，亦即，从一种模式到另一种模式的转换不必暂停CPU正在进行的处理活动。但是，在优选实施例中，CPU或微处理器在转换模式之前将已完成当前指令周期。
精确弛豫振荡器1包括振荡发生器100；第一电流发生器200，通常是绝对温度互补(CTAT)电流发生器；第二电流发生器300，通常是绝对温度正比(PTAT)电流发生器；转换检测器400；以及时钟脉冲禁止器500。在本发明的优选实施例中，精确弛豫振荡器是在单个单片集成电路上得以实现的。
CTAT 200和PTAT 300电流发生器是彼此独立地实现的，并对本发明产生几种重要的功能。CTAT 200和PTAT 300电流发生器通过提供补偿(offseting)电流CTAT电流220和PTAT电流320，即，相对于温度具有相反斜率的电流，来补偿温度变化对器件诸如电阻、电容器和比较器之类的内部部件所产生的影响。CTAT电流290和PTAT电流390(图4和5)组合在一起形成电容器充电电流Iccc190(Iccc190=CTAT电流290+PTAT电流390)。CTAT电流290和PTAT电流390的组合或相加发生在当引入到振荡发生器100对第一电容器110和第二电容器120充电的时候。由于CTAT 290和PTAT 390电流是近似线性的，并相对于温度具有相反的斜率，因此，相加的结果是Iccc190几乎与温度无关。
在优选实施例中，振荡发生器100包括置位复位触发器160；比较器电路180，进一步包括两个比较器182和184；两个电容器110和120；四个晶体管开关130、132、134和136；两个反相器140和142；和用于产生参考电压152的带隙参考电压。
晶体管开关130和134分别为电容器110和120提供充电路径。晶体管开关132和136分别为电容器110和120提供放电路径。在本优选实施例中，晶体管开关130、132、134和136是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)晶体管，但是，本领域的普通技术人员应该认识到，本发明并不仅限于这种技术。
振荡发生器100通过在一个电容器放电的同时另一个电容器充电进行工作。电容器110的放电路径通过晶体管开关132连接到比较器182的输入端。电容器120的放电路径通过晶体管开关136连接到比较器184的输入端。
在本优选实施例中，以及为了达到最佳性能，使用了诸如带隙参考电压电路150的稳定参考电压电源。带隙参考电压电路150提供单个参考电压152，它连接到比较器182和184的第二输入端，并用于将公用模式电压设置(set)在比较器182和184每一个上和设置在CTAT电流发生器200上。带隙参考电压电路150的PBIAS输入325是下面将要说明的PTAT偏置发生器310的输出。带隙参考电压电路150的优点是稳定电容器充电电流和使由于比较器输入摆动的变化和传播延迟引起的误差最小。
此外，为了消除参考电压漂移的影响，或将参考电压漂移的影响降低到最低程度，CTAT电流发生器200依赖于与比较器182和184相同的参考电压152。例如，如果参考电压152升高，其值等于VREF/R的CTAT电流290(图4)也随之增大。如果没有补偿的话，这个增大的CTAT电流将会导致更快的时钟脉冲频率166，因为产生了更大的Iccc190，它导致更快地对电容器110和120充电。然而，电容器110和120必须充电到更高的电平，以使比较器182和184相对升高的参考电压152解扣(trip)。因此，本发明需要更简单、更低廉的参考电压电源以取得时钟脉冲频率稳定性。存在各种各样的带隙参考电压电路150的实施例，以及象分压器那样的其它参考电压电源，这些都是本领域普通技术人员所熟知的。但是，本发明实现带隙参考电压电路150的新方法并没有在现有技术中公开。
比较器82的输出端连接到触发器160的置位输入端162。比较器184的输出端连接到触发器160的复位输入端164。因此，随着电容器110和120交替充放电，比较器182和184的输出交替置位复位触发器160，从而生成时钟脉冲输入。
触发器160的Q输出166提供了独立于温度变化的稳定时钟脉冲频率INTCLK。在本优选实施例中，Q输出166也传送到晶体管开关132，和通过反相器140到晶体管开关130。因此，Q输出166提供了控制打开和关闭电容器110充电和放电路径的晶体管开关130和132的信号。
触发器160的互补Q输出168提供了也独立于温度但与Q输出166互补的第二稳定时钟脉冲频率。互补Q输出168传送到晶体管开关136，并通过反相器142到晶体管开关134。因此，互补Q输出168提供了控制用于打开和关闭电容器120充电和放电路径的晶体管开关134和136的信号。
转换检测器400执行两种基本功能将异步快/慢信号(ASYNCHFAST/SLOW)转换成同步快/慢信号(SYNCH FAST/SLOW 404)并初始化时钟脉冲禁止器500。时钟脉冲禁止器500的作用是，当INTCLK 166可能不稳定时，在一可编程的数目的时钟脉冲周期内，禁止在模式转换期间将INTCLK 166作为CLKOUT 502输出。当电路1从一种操作模式转换到另一种操作模式时，例如，从慢模式转换到快模式时，由诸如同步单触发电路(one-shot)之类的简单组合和顺序逻辑单元组成的转换检测器400传送RSTCLK 402信号，来初始化时钟脉冲禁止器500。
一旦从转换检测器400接收到RSTCLK 402信号，可以是简单可编程计数器的时钟脉冲禁止器500就在一预定数目的时钟脉冲周期内禁止将CLKOUT502传送到相连的电路，例如，CPU(中央处理单元)。因此，时钟脉冲禁止器500用于防止由于不稳定时钟脉冲频率或转换中的时钟脉冲频率引起的逻辑异常。在紧随模式转换的预定数目时钟脉冲周期之后，当估计精确弛豫振荡器1的工作状态趋于稳定时，时钟脉冲禁止器500将让CLKOUT 502通过到相连的电路。
此外，RSTCLK 402信号的后沿触发SYNCH FAST/SLOW 404信号。SYNCHFAST/SLOW 402信号被CTAT电流发生器200和PTAT电流发生器300用来就快或慢模式操作调整相应的电流290和390，下面对此加以说明。
参照图4，其中相同的标号表示相同的单元。CTAT电流发生器200包括CTAT偏置发生器210和用于产生CTAT电流290的电流镜像电路205。CTAT偏置发生器210包括放大器电路220；具有正的小温度系数的至少一个电阻232、233和234，用于调节到放大器的输入电流；和晶体管240，用于将输入电流提供给放大器220。放大器200是共发共基放大器(cascode)结构，用于供电和噪声抑制。参考电压152耦合到放大器220的输入端。
阻抗变化的不同电阻232、233和234是用来控制传送到电流镜像电路250的电流的，由此确定由振荡发生器100产生的、与温度无关的特定稳定时钟脉冲频率。本发明提供了输入SYNCH FAST/SLOW 404的选择逻辑单元230和用于选择三个电阻232、233或234之一的电阻选择单元(RSELECT 236)。如果SYNCH FAST/SLOW 404启用了慢模式，那么，选择内部电阻RINT/LP 233。如果SYNCH FAST/SLOW 404启用了快模式，那么，选择逻辑单元230认为选择中的输入RSELECT236是在内部电阻RINT232与外部电阻REXT234之间。
在本优选实施例中，快模式内部电阻232是利用多晶硅技术制造的，这种多晶硅技术保证了低阻抗，由此提供了较高电流，这又提供了较快时钟脉冲。另外，多晶硅技术还具有低温度系数(ppm/℃)，从而提供了改善了的对温度的频率稳定性。
相比之下，慢模式内部电阻233最好利用掺杂硅基片制造，通常通过注入和/或扩散，例如，轻掺杂耗尽(LDD，Lightly Doped Drain)等方法。掺杂硅产生了高阻抗，它降低到电流镜像电路250的电流，因此允许在低功率下操作。
慢模式内部电阻233也可以利用多晶硅技术制造。但是，多晶硅的单位面积电阻显著低于掺杂硅的单位面积电阻。因此，对于相近阻值，多晶硅电阻需要比掺杂硅电阻有大得多的半导体面积。在典型的应用中，精确弛豫振荡器1的功率消耗范围为从快模式下的250μA(微安)到慢模式下的20μA或更小。当处在休眠模式下时，则没有功率消耗。
电流镜像电路250包括从1到n的若干个电阻252。CTAT偏置发生器的放大器220的输出耦合到电流镜像电路的电阻252。调整CTAT电流290以达到合适的CTAT∶PTAT平衡是通过校准开关254选择或使能一个或多个电流镜像晶体管252来数字化编程的，这些所选择的晶体管252的电流将相加，以获得所希望的CTAT电流290。
校准开关254还通过CTAT校准选择解码器256与SYNCH FAST/SLOW 404信号相耦接。在快模式中，将校准开关254配置成调整用于快时钟脉冲的电流ICTAT。在慢模式中，校准开关254可以要求不同的配置来调整用于慢时钟脉冲的电流ICTAT。因此，校准开关254根据SYNCH FAST/SLOW 404信号的状态，在快模式校准与慢模式校准之间切换。
在本优选实施例中，电流镜像电路250用作本领域普通技术人员所熟知的分流器。在其它实施例中，可以将电流镜像电路250配置成电流倍增器。CTAT电流290是来自电流镜像晶体管252的所选输出的总和。
参照图5，其中相同标号表示相同单元。本领域普通技术人员已知的，作为ΔVBE电路的PTAT电流发生器300包括PTAT偏置发生器310和用于产生PTAT电流390的PTAT电流镜像电路350。PTAT偏置发生器310包括放大器电路320；第一偏置电路330，用于在具有小线性温度系数的可选电阻332、333和334两端产生第一偏置电压；和第二偏置电路340，用于产生第二偏置电压。第一和第二偏置电压提供对放大器320的输入。放大器320的输出是耦合到第一偏置电路330和第二偏置电路340、PTAT电流镜像电路350和带隙参考电压发生器150(图1)的PDIAS325。
阻抗可变的不同电阻332、333和334是用于控制传送到电流镜像电路350的电流的，由此确定由振荡发生器100产生的、与温度无关的特定稳定时钟脉冲频率。
与CTAT偏置发生器210相似，PTAT偏置发生器310提供了输入SYNCHFAST/SLOW 404的选择逻辑单元330和用于选择三个电阻332、333或334之一的电阻选择单元RSELECT236。如果SYNCH FAST/SLOW 404启用了慢模式，那么，选择内部电阻R1NT/LP333。如果SYNCH FAST/SLOW启用了快模式，那么，选择逻辑单元330认为选择中的输入RSELECT336是在内部电阻RINT332与外部电阻REXT334之间。
在本优选实施例中，快模式内部电阻332是利用多晶硅技术制造的，这种多晶硅技术保证了低阻抗，由此提供了较高电流，这又提供了较快时钟脉冲。另外，多晶硅技术还具有低温度系数(ppm/℃)，从而提供改善了的对温度的频率稳定性。
相比之下，慢模式内部电阻333最好利用扩散技术，例如，轻掺杂耗尽方法来制造。扩散技术产生它高阻抗又降低到电流镜像电路350的电流，因此允许在低功率下操作。在CTAT和PTAT偏置发生器210和310中的相应电阻对应该相互匹配以获得最佳稳定性，例如，在快模式中两个电阻REXT234和334或RINT232和332都是多晶硅，在慢模式中，两个电阻RINT/LP233和333都是掺杂硅。
慢模式内部电阻233也可以利用多晶硅技术制造。但是，多晶硅的单位面积电阻显著低于扩散技术的单位面积电阻。因此，对于相近阻值，多晶硅电阻需要比掺杂硅电阻大得多的半导体面积。
PTAT电流镜像电路350包括从1到n的若干个晶体管352。调整是通过编程经校准开关354对一个或多个电流镜像晶体管352的选择或使能以获得所需的PTAT电流390来数字地实现的。
校准开关354也通过PTAT校准选择解码器356与SYNCH FAST/SLOW 404信号相耦接。在快模式中，将校准开关354配置成调整用于快时钟脉冲的电流IPTAT。在慢模式中，校准开关354可以需要不同的配置来调整用于慢时钟脉冲的电流IPTAT。因此，校准开关354根据SYNCH FAST/SLOW 404信号的状态，在快模式校准与慢模式校准之间切换。
在本优选实施例中，电流镜像电路350用作本领域普通技术人员所熟知的分流器。在其它实施例中，可以将电流镜像电路350配置成电流倍增器。PTAT电流390是来自电流镜像晶体管352的所选输出的总和。
参照图6，其中相同标号表示相同单元，图6显示了关于弛豫振荡器1的一般时序图(即，非模式相关的)。V1 112表示电容器110(图1)的充放电。注意，V1 112的正斜率(充电)等于Iccc190除以电容器110的电容值。V1 112的最大幅度等于参考电压152。CMP1表示与触发器160的置位输入端162耦合的比较器182的输出。
V2 122表示电容器120的充放电。在这种情况中，V2 122的正斜率等于Iccc190除以电容器120的电容值。CMP 2表示与触发器160的复位输入端164耦合的比较器184的输出。CLK是触发器160的Q输出166。
对于50％的占空比，电容器110和120的值是相同的，这导致了V1 122和V2 122具有相近的斜率。随着电容器电压超过参考电压152，相应比较器182和184脉冲幅度降低，这引起触发器160改变状态。RST(复位)用于将比较器182和184以及触发器160初始化成已知状态。
参照图7，其中相同标号表示相同单元，图7显示了说明从图3的实施例的慢模式转换成快模式的时序图。当从快模式转换到慢模式时，弛豫振荡器将进行类似的操作。
在该时序图中，弛豫振荡器1(图3)首先以慢模式操作。转换检测器400接收从本发明的外部生成的ASYNCH FAST/SLOW信号。在本优选实施例中，逻辑电平“0”表示慢模式，逻辑电平“1”表示快模式。转换到休眠模式的信号是单独的、有效高信号。
一旦接收到转换到快模式的、满足与内部时钟脉冲INTCLK 160有关的所要求设置时间的ASYNCH FAST/SLOW信号，转换检测器400就生成两个输出。转换检测器400将复位脉冲RSTCLK 402输出到时钟脉冲禁止器500。转换检测器400还使ASYNCH FAST/SLOW信号同步，并在RSTCLK 402的后沿，转换检测器400将SYNCH FAST/SLOW 404输出到电流发生器200和300。此时，电流发生器200和300开始转换，以生成快模式所需要的电流。随着电流发生器200和300开始它们的内部转换，需要几个时钟脉冲周期使偏置电流安定下来(settle)和使INTCLK 166稳定下来。
一旦接收到RSTCLK 402，时钟脉冲禁止器500马上就开始禁止CLKOUT502。在RSTCLK 504脉冲的后沿，弛豫振荡器1开始从慢模式转换到快模式。在一个实施例中，在释放禁止和使CLXOUT 504开始快模式时钟脉冲之前，时钟脉冲禁止器为了稳定，计数并禁止INTCLK 166的八个快时钟脉冲周期。
本发明使由于制造工艺、电源电压和温度的变化所致的时钟脉冲漂移最小化。这是通过以下方式实现的提供当相加时与温度变化无关的补偿偏置电流；通过可编程电流镜像电路250和350进行调整以消除工艺差别(variations)；并使用诸如带隙参考电压电路150和双电容器双比较器振荡发生器110的稳定参考电压。此外，本领域普通技术人员所熟知的模拟设计技术，例如，部件匹配和共发共基电流源也提高了电路的稳定性。
尽管通过参照本发明的优先实施例已经对本发明进行了具体的图示和描述，但本领域的普通技术人员应该明白，可以进行形式上和细节上的改变，但均不偏离本发明的精神和范围之外。
权利要求
1．一种带有温度补偿电路的精确弛豫振荡器，包括振荡发生器；与振荡发生器耦合的第一电流发生器；与振荡发生器耦合的第二电流发生器；与振荡发生器耦合的时钟脉冲禁止器；和与时钟脉冲禁止器耦合的转换检测器；其中该电路是在单个集成电路上实现的。
2．如权利要求1所述的电路，其中，所述电路用于产生时钟脉冲输出和具有多种操作模式，所述操作模式包括第一操作模式；和第二操作模式，其中所述第二操作模式的时钟脉冲输出具有比所述第一操作模式的时钟脉冲输出慢的频率。
3．如权利要求2所述的电路，其中所述第一操作模式产生一电容器充电电流；和所述第二操作模式产生第二电容器充电电流，使第二电容器充电电流小于第一电容器充电电流。
4．如权利要求2所述的电路，其中所述第一操作模式具有第一额定功率消耗；和所述第二操作模式具有第二额定功率消耗，使第二额定功率消耗小于第一额定功率消耗。
5．如权利要求2所述的电路，其中，所述电路具有其中所述电路不产生时钟脉冲输出的第三操作模式。
6．如权利要求5所述的电路，其中，所述第三操作模式不产生电容器充电电流。
7．如权利要求5所述的电路，其中，所述第三操作模式具有接近为零的额定功率消耗。
8．如权利要求2所述的电路，其中，所述第一操作模式是通过选择相对于第一电流发生器来说是内部的电阻和选择相对于第二电流发生器来说是内部的电阻来确定的。
9．如权利要求8所述的电路，其中，所述第一操作模式进一步通过编程相对于第一电流发生器来说是内部的多个校准开关和编程相对于第二电流发生器来说是内部的多个校准开关来确定。
10．如权利要求2所述的电路，其中，所述第二操作模式是通过选择相对于第一电流发生器来说是内部的第二电阻和选择相对于第二电流发生器来说是内部的第二电阻来确定的。
11．如权利要求10所述的电路，其中，所述第二操作模式进一步通过编程相对于第一电流发生器来说是内部的多个校准开关和编程相对于第二电流发生器来说是内部的多个校准开关来确定。
12．如权利要求1所述的电路，其中，所述时钟脉冲禁止器包括计数器。
13．如权利要求12所述的电路，其中，所述时钟脉冲禁止器接收来自转换检测器的转换信号，并且一旦接收到转换信号就在预定数目的时钟脉冲周期内阻止振荡发生器的时钟脉冲输出。
14．如权利要求13所述的电路，其中，所述时钟脉冲禁止器在经过预定数目的时钟脉冲周期之后允许发送时钟脉冲输出。
15．如权利要求13所述的电路，其中，所述预定数目的时钟脉冲周期是可编程的。
16．一种带有温度补偿电路的精确弛豫振荡器，其中该电路产生时钟脉冲输出和具有多种操作模式，所述操作模式包括第一操作模式；和第二操作模式，其中所述第二操作模式的时钟脉冲输出具有比所述第一操作模式的时钟脉冲输出慢的频率。
17．如权利要求16所述的电路，其中所述第一操作模式产生一电容器充电电流；和所述第二操作模式产生第二电容器充电电流，使第二电容器充电电流小于第一电容器充电电流。
18．如权利要求16所述的电路，其中所述第一操作模式具有第一额定功率消耗；和所述第二操作模式具有第二额定功率消耗，使第二额定功率消耗小于第一额定功率消耗。
19．如权利要求16所述的电路，其中所述电路具有其中所述电路不产生时钟脉冲输出的第三操作模式。
20．如权利要求19所述的电路，其中，所述第三操作模式不产生电容器充电电流。
21．如权利要求19所述的电路，其中，所述第三操作模式具有接近于零的额定功率消耗。
全文摘要
一种带有温度补偿的精确弛豫振荡器在环境温度发生很大变化的范围内产生稳定的时钟脉冲频率。本发明包括振荡发生器(100)、两个独立的电流发生器(200、300)、转换检测器(400)和时钟脉冲禁止器(500)。两个可编程的、独立的电流发生器的输出组合在一起提供与温度无关的电容器充电电流。精确弛豫振荡器拥有三种操作模式:快模式、慢/低功率模式和休眠模式。带有温度补偿和各种操作模式的精确弛豫振荡器是在单个单片集成电路上实现的。
文档编号H03B5/04GK1296665SQ99804764
公开日2001年5月23日 申请日期1999年12月6日 优先权日1998年12月4日
发明者詹姆斯·B·诺兰, 瑞安·S·埃利森, 迈克尔·S·派斯卡 申请人:密克罗奇普技术公司