专利名称：一种高频加热时精确控制温度的方法
技术领域：
本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精 确控制温度的装置及方法。
背景技术：
在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处理等金属制造业领域，高频加热的方法已开 始逐渐代替传统的加热方法，高频加热作为一种新型的加热方式具有节约能源、加热灵活、 操作方便等优点。在金属材料热处理领域，由于不同的材料最佳淬火温度有所不同，因此需要能够 精确的控制温度。高频加热的方式虽然具有一系列的优点，但在其温度控制方法上仍然存 在以下的不足1，通过传统的时间控制的热处理的淬火温度在士30°C左右，并且受输入电压、环 境温度、工件尺寸公差、感应器等因素影响可能温度波动还要大，而理想的热处理的淬火温 度是在目标温度士 10°c范围内，因此在加工温度精度要求比较高的材料时，传统的方法不 能满足质量的要求；2，即使通过红外温度控制等方式，排除输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应 器等因素的影响，晶体管高频加热工件，当外界给出高频断开信号时，由于电源控制系统的 问题，高频不能在这一瞬间断开，高频断开往往有个时间滞后，并且这个滞后时间存在一定 误差，这也使得控制温度在目标温度士20°C范围内波动，波动范围较大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够在高频加热时将工件温度控制在目 标温度士5°C范围内的温度控制装置及方法。为达到上述目的，本发明提供一种高频加热时精确控制温度的装置及方法，其中， 装置包括有对物件进行升温的高频机，监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块 和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。加热方法，包括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当 物件温度距目标温度80 120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块 根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第 三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士 5°c的范 围内。采用上述技术方案所达到的技术效果是信号调理模块接受温度测控模块的信 号，动态调节高频机的功率输出，使得物件温度越接近目的温度时，高频机的输出功率越 小，减小因高频时间断开滞后造成的误差，可将工件温度控制在目标温度的士5°C范围内。
进一步，为了保证测控精度，采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。
图1是本发明实施例的结构原理示意图；图2是未采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图；图3为采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明如图1、图2和图3所示，本发明提供一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件 进行升温的高频机1，监测物件温度并反馈正比电压信号的美国雷泰红外线温度测控模块 2和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块3.采用上述精确控温高频加热装置的方法，包括如下步骤第一步，开始高频加热，高频机1满负荷加热升温，美国雷泰红外线温度测控模块 2监测物件温度，当物件温度距目标温度80 120°C时，改为动态功率加热；第二步，美国雷泰红外线温度测控模块2根据不同温度，反馈与温度成正比的电 压值，信号调理模块3根据电压值的大小反比例调节高频机1的功率输出，使其越接近目标 温度，输出功率越小； 第三步，信号调理模块3动态调节高频机1的功率输出，物件温度保持在目标温度 值的士5°C的范围内。本申请人在未采用上述高频加热温度控制装置及方法时，连续生产过程中测试分 析数据，如表1:表 16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C )
权利要求
1.一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件进行升温的高频机，其特征在于，还包 括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输 出功率的信号调理模块。
2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法，其特征在于包 括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件 温度距目标温度80 120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据 电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的 士 5°C的范围内。
3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置，其特征在于所述的温度测控模 块为红外线温度测控模块。
全文摘要
本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法；包括高频机、温度测控模块和信号调理模块；方法为1，开始高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件温度距目标温度80～120℃时，改为动态功率加热；2，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；3，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的±5℃的范围内。采用本技术方案的晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法，可将工件温度控制在目标温度±5℃范围内。
文档编号G05D23/30GK102081416SQ20101055482
公开日2011年6月1日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日
发明者夏明波, 陈海涛 申请人:重庆派斯克刀具制造有限公司