实现cpad缓和效应的装置和方法
【技术领域】
[0001]本公开内容总体上涉及电子电路。更具体地而非排他地，本公开内容涉及一种用以实现焊盘电容(Cpad)缓和效应的电路和方法。
【背景技术】
[0002]在计算机和电信中输入/输出(I/O)起着至关重要的作用。高速串行通信相比于并行通信可提供更大的优势。在距离方面，线缆的成本和同步要求使得串行通信成为一种实用的选择。在速度方面，一旦数据速率超过了约lGb/s，则并行通信可能就不能再提供可靠的、成本有效的手段来保持信号同步。
[0003]然而，基于串行I/O的设计随着信号处理变得更加复杂，有着自身的性能局限性。焊盘电容可能是高速串行I/O性能的一个关键限制。Cpad可能会降低上升/下降沿速率、在接收端引入插入损耗和终端失配、并产生符号间干扰(ISI)的抖动。
【附图说明】
[0004]参考以下附图将描述非限制性和非排他性实施例，其中，除非另有说明，在各个视图中相似的附图标记指代相似的部件。
[0005]图1是根据一个实施例的终端电阻(Rterm)调节系统的示意图。
[0006]图2是根据一个实施例的电流调节系统的示意图。
[0007]图3是根据各个实施例的用于Rterm调节的示例性过程的流程图；
[0008]图4是示出了根据各个实施例的适用于实施用以实现Cpad缓和效应(mitigat1neffect)的所公开的电路和方法的示例计算机系统的框图。
【具体实施方式】
[0009]这里描述了用于Rterm调节以实现Cpad缓和效应的装置和方法的实施例。在下面的描述中，给出了许多具体细节以提供对实施例的透彻理解。实施例可以在没有一个或多个具体细节的情况下实施，或者采用其它方法、组件、材料等来实施。在其它实例中，没有具体地示出或描述公知的结构、材料或操作，以避免混淆本实施例的方面。
[0010]说明书通篇引用的“一个实施例”或“实施例”表示结合该实施例所描述的特定的特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，该说明书通篇中多处出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”并非必须指代同一个实施例。此外，特定的特征、结构或特性可在一个或多个实施例中以任何适合的方式被组合。
[0011]一个实施例提供了一种调节电流模式驱动器的Rterm以缓和Cpad的影响从而实现Cpad缓和效应的装置以及相关方法。该装置的实施例可增大Rterm值，从而当其Cpad在从低到高转变时能够使得親合的焊盘被迅速地充电。同样，Rterm的值可被减小以当焊盘在从高到低的转变时使得Cpad能够被迅速地放电。因此，可以实现诸如急剧的转变边缘、信号离开驱动器的较快的转变时间、从驱动器发送的信号增大的眼图容限(eye margin)等之类的Cpad缓和效应。这些Cpad缓和效应可改善高速串行I/O性能。
[0012]现在参照图1，总体上示出了一个实施例中的Rterm调节系统100。在实施例中，系统100可具有耦合到子系统120和140的电源110。子系统120可包括缓冲器122、开关124，脉冲发生器126、输出端132、焊盘134和电阻器136。子系统140可类似地包括缓冲器142、开关144、脉冲发生器146、输出端152、焊盘154和电阻器156。
[0013]在实施例中，电源110可为一个电流源，其可提供恒定电流至子系统120和140。电源110可耦合到开关124的一个端子。开关124的另一个端子可耦合到缓冲器122。开关124的另外的一个端子还可以耦合到输出端132、焊盘134和电阻器136。缓冲器122可以耦合到脉冲发生器126，并且两者都可接收控制信号Di+。脉冲发生器126还可以耦合到电阻器136。
[0014]类似地，电源110可耦合到开关144的一个端子。开关144的另一个端子可以耦合到缓冲器142。开关144的另外的一个端子还可耦合到输出端152、焊盘154和电阻器156。缓冲器142可以耦合到脉冲发生器146，并且两者都可接收控制信号D1-。脉冲发生器146还可以耦合到电阻器156。
[0015]在实施例中，开关124或144可使用P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)来以P型金属氧化物半导体(PMOS)逻辑的方式实现。在实施例中，开关124或144可使用η型MOSFETs来以N型金属氧化物半导体(NMOS)逻辑的方式实现。开关124或144可具有至少两种状态，即一个导通状态和一个关断状态，从而可以起开关的作用以被接通或断开。当开关124或144被导通时，来自电源110的电流可分别流向输出端132或152。输出端132或152可以是输出驱动器以输出电信号，例如，将电信号输出至通信信道(未不出)。
[0016]在实施例中，开关124或144的状态可分别由控制信号Di+或D1-进行控制。在一些实施例中，控制信号Di+或D1-可以被配置为彼此相反的差分信号。例如，当Di+为高且D1-为低时，开关124将进入关断状态，而开关144将进入导通状态。由此，来自电源110的电流可以通过开关144流向输出端152。同理，当Di+从高变为低且D1-从低变为高时，开关124将进入导通状态，而开关144将进入关断状态。由此，来自电源110的电流可以通过开关124流向输出端132。因此，根据控制信号Di+或D1-，来自电源110的电流可以交替地流入子系统120和140。当控制信号Di+或D1-是差分信号时，输出端132和152也可以是差分的。因此，系统100可显示出对称行为，并且可以用于在串行链路中发送差分信号。
[0017]对应于通信信道中的接收器的实际有效数据时间的在输出端132和152处的眼图容限(或眼开程度(eye opening))可被焊盘134的充电/放电速率所限制。在实施例中，焊盘134可具有焊盘电容。当电流流经子系统120或140时，它需要被灌入它们各自的电阻器136或156，并对焊盘134或154进行充电，从而使得输出端132或152上升到期望的电压电平。因此，在开关124或144改变其状态与在输出端132或152处见到足够的电压之间会具有一定滞后，这是由于焊盘134和154的焊盘电容。由此，由于Cpad，输出端132和152的眼图容限可能被降低。
[0018]对于高速串行通信来说期望改进眼图容限，因为眼图容限对应于通信信道中的接收器的实际有效数据时间。在实施例中，电阻器136或156的电阻可以被调节以缓和Cpad效应，从而增大输出端132或152的眼图容限。例如，当输出端132或152的电压从低变为高时，电阻器136或156的电阻可以被增大以限制分流到电阻上的电流并且使得更多的电流流入焊盘134或154以使得它们被更快的充电。相反，当输出端132或152的电压从高变为低时，电阻器136或156的电阻可以减少，以使得焊盘134或154较快地放电。结果是，输出端132或152的眼图容限可能被增大。
[0019]在实施例中，系统100可以是电流模式驱动器，并且用于高速串行通信。焊盘134或154的焊盘电容越高，则预期可能产生越多的信号损失。电阻器136和156可以是终端电阻器，其被配置为终止线缆或吸收例如由阻抗失配所引起的从信道反弹回来的信号反射。通过本公开内容中的教导的加深理解，电流模式驱动器可以调节其终端电阻器，从而实现焊盘134或154的较快的充电或放电。这可以缓和Cpad效应，并且由此增大用于高速通信的输出端132或152上的眼图容限。
[0020]在实施例中，可以在焊盘134或154的转变边沿期间调节电流模式驱动器的Rterm，例如当数据从传送器进入信道中时，或者当焊盘134或154进行充电或放电时。利用本公内容中的教导的加深理解，并且当与具有静态电阻器的系统相比时，向下传播至信道的信号转变的边沿可以更陡峭，并且信道插入损耗可以得到改进，由于焊盘1