34或154的Cpad的降低ο
[0021 ] 在实施例中，脉冲发生器126或146可被配置为在分别接收控制信号Di +或D1-之后，控制对电阻器136或156的调节的时序以及持续时间。例如，脉冲发生器126或146可以被配置为控制脉冲频率、脉冲宽度、延迟、脉冲电压电平以及脉冲的上升时间和下降时间。在一个实施例中，脉冲发生器126或146可以被配置为设置在开关124或144改变其状态之后到开始进行电阻器136或156的电阻调节时的延迟，例如，从关断到导通。在另一个实施例中，脉冲发生器126或146可以被配置为设置电阻调节的持续时间，例如，调节的持续时间可以被设置为基本上等于数据的单位时间间隔(DI)，其对应于实际的数据的时间，以实现高性能。在其它情况下，为了节能，调节的持续时间可以被设置为Π的一部分，但是，该设置可能导致相关性能的降低。由此，调节的持续时间可基于节能与性能之间的权衡来确定。
[0022]在实施例中，电阻器136或156可以是用以最小化信号反射的终端电阻器。电阻器136或156可以具有多个并联的实体并且与可编程开关串联连接从而被编程为与信道的线路阻抗相匹配。在实施例中，这些可编程开关可以由脉冲发生器126或146进行控制，以实现动态电阻调节。例如，开关可以基于脉冲发生器126和/或146的输出而被选择性地导通或关断。由此，电阻器136或156的电阻可被调节。在实施例中，如果需要，可以增加附加的新电阻器到电阻器136或156上以产生较低的电阻。
[0023]在实施例中，系统100可以包括附加的电阻器(未示出)，附加的电阻器被配置为与开关124和/或144并联连接。例如，这样的电阻器可具有与电源110親合的一个端子和与电阻器136、焊盘134和输出端132親合的另一个端子。作为另一实施例，这样的电阻器可具有与电源110親合的一个端子和与电阻器156、焊盘154和输出端152親合的另一个端子。在这些实施例中，脉冲发生器126或146可被连接到与开关124或144并联的这些电阻器，以补充或者替代与电阻器136或156的连接。在这些实施例中，这样的与开关124或144并联的电阻器可以由脉冲发生器126或146进行调节，以减少焊盘134或154的焊盘电容的充电时间或放电时间。例如，当开关124导通时，这样的并联至开关124的电阻器的电阻将被降低，以增大至焊盘134的电流从而以对其较快的充电。作为另一示例，当开关124关断时，这样的并联至开关124的电阻器的电阻将被提高，以减小至焊盘134的电流从而允许其较快的放电。
[0024]图2是根据一实施例的电流调节系统200的示意图。在实施例中，系统200可具有与子系统220和240耦合的缓冲器210。子系统220可包括开关224、脉冲发生器226、开关228、电阻器232和电阻器234。子系统240可包括开关244、缓冲器246、开关248、电阻器252和电阻器254。而且，系统200可具有焊盘264和输出端262。
[0025]在子系统220中，开关224的一个端子可以被耦合到电源(未示出)，开关224的另一个端子可以被耦合到脉冲发生器226，并且开关224的另外的一个端子可以耦合到电阻器232。开关228的一个端子可以被耦合到地，开关228的另一个端子可以被耦合到脉冲发生器226，并且开关228的另外的一个端子可以被耦合到电阻器234。缓冲器210可接收一个控制信号Di+。脉冲发生器226可以被耦合到缓冲器210以接收来自缓冲器210的控制信号。
[0026]在子系统240中，开关244的一个端子可以被親合到电源(未不出)，开关244的另一个端子可以被耦合到缓冲器246，并且开关244的另外的一个端子可以被耦合到电阻器252。开关248的一个端子可以被親合到地，开关248的另一个端子可以被親合到缓冲器210以接收来自缓冲器210的控制信号，并且开关248的另外的一个端子可以被耦合到电阻器254。缓冲器246可以被耦合到缓冲器210以接收来自缓冲器210的控制信号。
[0027]在实施例中，子系统240可以起到电压模式驱动器的功能，电压模式驱动器可以使得输出端262在电流从O至全部额定电流汲取到输出端262时都保持在恒定的输出电压。子系统240可具有两种状态，例如第一状态是充电状态，以使得焊盘264进行上升转变，第二状态是放电状态，以使得焊盘264进行下降转变。
[0028]在实施例中，子系统220可以起到助推(kicker)电路的功能，助推(kicker)电路可调节传送至焊盘264的电流。在操作中，当焊盘264在开关244的导通切换之后进行上升转变时，可以暂时地允许开关224提供对焊盘264的Cpad进行充电所需的较多电流。同样的，当焊盘264在开关248的导通切换之后进行下降转变时，可以暂时转换开关228以协助对焊盘264的Cpad进行放电。在实施例中，脉冲发生器226(类似于图1的脉冲发生器126)可以被配置为在接收来自缓冲器210的控制信号之后控制电阻器232或234的调节时序和调节持续时间。结果是，焊盘转变变得较快。可以实现Cpad缓和效应，例如在接收器处可获得的较宽的眼图容限。这些Cpad缓和效应可改进高速串行I/O性能。
[0029]图3是用于Rterm调节的示例性过程300的流程图，其可以在根据各个实施例的示例性装置中实施。过程300可以由系统100来执行，以实现本公开内容的一个或多个实施例。在实施例中，可以参考子系统120和/或140来执行过程300。
[0030]在实施例中，该过程可以开始于方框310，其中，输入控制信号例如可以由子系统120或140接收。在实施例中，控制信号相对于子系统120和140可以是差分的，以产生从低到高和从高到低的信号的相同斜率，因此允许发送差分信号，例如在串行链路中。
[0031 ] 接下来，在方框320，可以响应于输入控制信号来操作开关。在实施例中，开关可实现为PMOS或NMOS开关，并且开关可基于所接收的控制信号而从一个状态切换到另一个状态。当开关切换至导通状态时，电流可从电流源流动至子系统120或140。在使得子系统120或140的输出电压达到期望电平之前，电流可能需要首先对子系统中的焊盘进行充电。
[0032]接下来，在方框330，可以调节串行链路的终端电阻以减少耦合到开关的焊盘的充电时间或放电时间。在实施例中，终端电阻器可以在系统100中被配置为终止线缆或吸收从连接至系统100的串行链路信道反弹回去的信号反射。可以调节终端电阻器的电阻以实现对系统100的焊盘的较快的充电或放电，由此缓和Cpad效应并增大在串行链路上传送的信号的眼图容限。在实施例中，在数据从传送器传送至信道时或者在焊盘充电或放电的时可调节Rterm。在实施例中，还可配置这样的调节的时序以及持续时间。
[0033]这里所描述的Rterm调节的实施例可用于包括高速串行链路接口的多个实施方式和应用中。例如，移动设备，包括但不限于智能手机、平板电脑和其它移动互联网设备(MIDs)，其可具有能够受益于缓和Cpad效应的电路。由此，这些设备的高速串行I/O性能可以被提尚。
[0034]图4是一个方框图，其示出了适合于实施所公开的各个实施例的装置或方法的示例性计算机系统400。如图所示，计算机系统400可包括电源单元420，多个处理器或处理器核410，其中储存有处理器可读和处理器可执行指令480的系统存储器430，也可储存有指令480的非易失性存储器(N VM)/存储器440，I/O接口 450以及通信接口 460。对于这种应用(包含权利要求)的目的，术语“处理器”和“处理器核”可被认为是同义词，除非文中另有明确的指不。
[0035]该NVM/存储器440和/或存储器430可包括一个有形的、非临时性计算机可读存储设备(例如软盘，硬盘驱动器，光盘只读存储器(CDROM)，硬件存储单元，闪存，相变存储器(PCM)，固态驱动(S