数据的单位时间间隔。
[0065]示例23可包括示例20-22中的任何一个的主题，进一步限定了传送器可包括与该电阻器耦合的PMOS开关，该PMOS开关用于响应于发送至传送器的输入控制信号来控制是增大还是减小该电阻。
[0066]示例24可包括示例23的主题，进一步限定了该传送器可被配置为当开关被转换至导通状态时增大该电阻并且当该开关被转换为关断状态时减小该电阻。
[0067]示例25可包括示例20至24中任何一个的主题，进一步限定了该传送器可被配置为在对该焊盘电容进行充电或放电的转变边沿期间调节该电阻。
[0068]示例26提供了一种装置，其可包括:具有第一状态和第二状态的电压模式驱动器；耦合到该电压模式驱动器的焊盘，并且该焊盘具有一个焊盘电容，当电压模式驱动器切换状态时对该焊盘电容进行充电或放电；以及耦合到该焊盘和该电压模式驱动器的助推(kicker)电路，其被配置为通过调节流至该焊盘的电流来减少该焊盘电容的充电时间或放电时间。
[0069]示例27可包括示例26的主题，并进一步限定了该助推电路可包括脉冲发生器，该脉冲发生器被配置为控制该调节的时序以及持续时间。
[0070]示例28可包括示例26或27的主题，并进一步限定了该第一状态可以是充电状态以使焊盘进行上升转变，并且该第二状态可以是放电状态以使该焊盘进行下降转变。
【主权项】
1.一种用于实现Cpad缓和效应的装置，包括: 耦合到电流源的开关，所述开关具有第一状态和第二状态； 耦合到所述开关的焊盘，所述焊盘具有焊盘电容，所述焊盘电容在所述开关切换状态时进行充电或放电；以及 耦合到所述开关和所述焊盘的电阻器，所述电阻器被配置为被调节以减少所述焊盘电容的充电时间或放电时间。
2.如权利要求1所述的装置，进一步包括: 与所述电阻器耦合的脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置为控制所述调节的时序和持续时间。
3.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一状态是导通状态且所述第二状态是关断状态，并且所述电阻器被配置为当所述开关被转换到所述导通状态时增大电阻且当所述开关被转换到关断状态时减小电阻。
4.如权利要求1所述的装置，其中，所述开关是耦合到缓冲器并由所述缓冲器驱动的第一开关，所述焊盘是第一焊盘，所述电阻器是第一电阻器，所述焊盘电容是第一焊盘电容，并且所述装置还包括: 耦合到所述电流源的第二开关，所述第二开关具有第三状态和第四状态； 耦合到所述第二开关的第二焊盘；以及 耦合到所述第二开关和所述第二焊盘的第二电阻器，所述第二电阻器被配置为被调节以降低所述第二焊盘电容的充电时间或放电时间。
5.如权利要求4所述的装置，其中，所述脉冲发生器是第一脉冲发生器，并且所述装置还包括第二脉冲发生器，所述第二脉冲发生器与所述第二电阻器耦合，并被配置为控制对所述第二电阻器的所述调节的时序和持续时间。
6.如权利要求4所述的装置，其中，所述第三状态是导通状态且所述第四状态是关断状态，并且所述电阻器被配置为当所述开关被转换到所述第三状态时增大电阻且当所述开关被转换到所述第四状态时减小电阻。
7.如权利要求5所述的装置，其中，所述缓冲器是第一缓冲器，所述第二开关是P沟道金属氧化物半导体开关，并且所述第二开关耦合到第二缓冲器并由所述第二缓冲器驱动。
8.如权利要求7所述的装置，其中，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器接收差分输入控制信号。
9.如权利要求1所述的装置，其中，所述电阻器和所述开关并联连接。
10.如权利要求1-9中任一项所述的装置，其中，所述装置是差分的电流模式驱动器。
11.一种用于实现Cpad缓和效应的方法，包括: 由驱动器接收输入控制信号； 响应于所述输入控制信号而由所述驱动器操作开关；以及 由所述驱动器调节串行链路的终端电阻，以减小与所述开关耦合的焊盘电容的充电时间或放电时间。
12.如权利要求11所述的方法，进一步包括: 当所述开关被转换到导通状态时由所述驱动器增大所述终端电阻；以及 当所述开关被转换到关断状态时由所述驱动器减小所述终端电阻。
13.如权利要求11所述的方法，进一步包括: 当所述开关被转换到关断状态时由所述驱动器增大所述终端电阻；以及 当所述开关被转换到导通状态时由所述驱动器减小所述终端电阻， 其中，所述终端电阻与所述开关并联连接。
14.如权利要求11所述的方法，进一步包括: 由所述驱动器操作分别连接到多个电阻器的多个开关，以使得所述终端电阻增大或减小。
15.如权利要求11所述的方法，进一步包括: 由所述驱动器设置在所述开关被切换到导通或关断状态之后至开始调节所述终端电阻的延迟；以及 由所述驱动器设置对所述终端电阻进行调节的持续时间。
16.如权利要求11-15中任一项所述的方法，其中，调节在对所述焊盘电容进行充电或放电的转变边沿期间进行。
17.一利用于实现Cpad缓和效应的系统，包括: 通信信道； 与所述通信信道耦合的传送器，所述传送器被配置为将数据变换为信号流以在所述通信信道上传播； 其中，所述传送器被配置为调节所述传送器中的电阻器的电阻，以减小与所述电阻器耦合的焊盘的焊盘电容的充电时间或放电时间。
18.如权利要求17所述的系统，其中，所述传送器包括与所述电阻器耦合的脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置为对所述电阻的调节的时序和持续时间进行调节。
19.如权利要求18所述的系统，其中，所述脉冲发生器将所述调节的所述持续时间设置为实质上等于所述数据的单位时间间隔。
20.如权利要求17所述的系统，其中，所述传送器包括与所述电阻器耦合的P沟道金属氧化物半导体开关，所述P沟道金属氧化物半导体开关用于响应于传送至所述传送器的输入控制信号而控制是增大还是减小所述电阻器的电阻。
21.如权利要求20所述的系统，其中，所述传送器被配置为当所述开关被转换至导通状态时增大所述电阻器的电阻，以及当所述开关被转换为关断状态时减小所述电阻器的电阻。
22.如权利要求17-21中任一项所述的系统，其中，所述传送器被配置为在所述焊盘的转变边沿期间调节所述电阻器的电阻。
23.一种用于实现Cpad缓和效应的装置，包括: 具有第一状态和第二状态的电压模式驱动器； 耦合到所述电压模式驱动器的焊盘，所述焊盘具有当电压模式驱动器切换状态时进行充电或放电的焊盘电容；以及 耦合到所述焊盘和所述电压模式驱动器的助推电路，所述助推电路被配置为通过调节流至所述焊盘的电流来减少所述焊盘电容的充电时间或放电时间。
24.如权利要求23所述的装置，其中，所述助推电路包括脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置为控制所述调节的时序和持续时间。
25.如权利要求23或24所述的装置，其中，所述第一状态是使得所述焊盘能够进行上升转变的充电状态，并且所述第二状态是使得所述焊盘能够进行下降转变的放电状态。
【专利摘要】本发明提供了实现CPAD缓和效应的装置和方法，其中，装置被配置为实现Cpad缓和效应。该装置可包括耦合到电流源的具有第一状态和第二状态的开关。该装置还可包括耦合到该开关的焊盘，并该焊盘具有基于第一开关状态和第二开关状态的改变来进行充电和放电的焊盘电容。该装置还可包括耦合到该开关和该焊盘的电阻器，并且该电阻器被配置为被调节以减少对该焊盘的充电时间或放电时间。
【IPC分类】H03K19-0175
【公开号】CN104734690
【申请号】CN201410858280
【发明人】H·穆尔约诺, K·肖
【申请人】英特尔公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2014年11月20日
【公告号】US20150180459, WO2015094559A1