由电容器C1、C3及电感器L1、L3、L4构成低通滤波器LPF1。即，在由第I信号线SLl及接地构成的线路中插入有低通滤波器LPF1。同样，由电容器C2、C4及电感器L2、L4构成低通滤波器LPF2。S卩，在由第2信号线SL2及接地构成的线路中插入有低通滤波器LPF2。在比这些低通滤波器LPFl、LPF2的截止频率要低的频带下，通过将电感器L3、L4的阻抗设定得比电容器Cl、C3的阻抗要低，从而使低通滤波器LPFl起到由电容器C1、C3及电感器LI构成的CLCji型的低通滤波器的作用。同样，低通滤波器LPF2起到由电容器C2、C4及电感器L2构成的CLC π型的低通滤波器的作用。
[0026]另外，在以上的说明中是以对从端口(Pl、Ρ2)入射的共模噪声的传输进行抑制的情况为前提的。即，相对于从端口(Ρ1、Ρ2)入射的共模噪声，第I谐振电路RCl及第2谐振电路RC2起到陷波滤波器的作用，从而抑制共模噪声传输到端口(Ρ3、Ρ4)。在图1中，在共模噪声从端口(Ρ3、Ρ4)入射的情况下，由电容器C3及电感器L3、L4构成的LC串联电路起到第I谐振电路的作用，由电容器C4及电感器L4构成的LC串联电路起到第2谐振电路的作用。通过这样设置电容器C3、C4，不仅构成低通滤波器LPF1、LPF2，还能使共模滤波器具有双向性。
[0027]图2是共模滤波器101的外观立体图，图3是其仰视图。该共模滤波器101是形成有下面所示的各种导体图案的基材层的层叠体。在下表面形成有端口 Pl?P4及接地端子 GND ο
[0028]图4是各基材层的层叠前的俯视图。共模滤波器101是形成有各种导体图案的四个基材层BMLl?BML4的层叠体。基材层BMLl?BML4是树脂片材，基材层BMLl为最下层，基材层BML4为最上层。
[0029]在基材层BMLl的上表面形成有网眼状的接地导体Gl。在该基材层BMLl的下表面形成有图3所示的端口 Pl?P4及接地端子GND。
[0030]在基材层BML2上形成有电感器电极L11、L21、电极E11、E21、E31、E41。在基材层BML3上形成有电感器电极L12、L22、电极E13、E24。在基材层BML4上形成有电感器电极L3、L4、电极 E12、E22、E32、E42。
[0031]电感器电极Lll的第I端与电极Ell、E12导通，电感器电极Lll的第2端经由通孔导体与电感器电极L12的第I端相连。电感器电极L12的第2端经由通孔导体与电极E31、E32导通。电感器电极L21的第I端与电极E21、E22导通，电感器电极L21的第2端经由通孔导体与电感器电极L22的第I端相连。电感器电极L22的第2端经由通孔导体与电极E41、E42导通。
[0032]由形成在基材层BML2、BML3上的电感器电极L11、L12构成第I电感器LI。同样，由电感器电极L21、L22构成第2电感器L2。
[0033]电感器电极L3的第I端经由通孔导体与电极E13导通，第2端经由通孔导体与电极E24导通。此外，电感器电极L3的第2端与电感器电极L4的第I端相连，电感器电极L4的第2端经由通孔导体与接地导体Gl导通。
[0034]由形成在基材层BML3上的电极E13和形成在基材层BML2、BML4上的电极E11、E12构成第I电容器Cl。同样，由形成在基材层BML3上的电极E24和形成在基材层BML2、BML4上的电极E21、E22构成第2电容器C2。此外，由形成在基材层BML3上的电极E13和形成在基材层BML2、BML4上的电极E31、E32构成第3电容器C3。然后，由形成在基材层BML3上的电极E24和形成在基材层BML2、BML4上的电极E41、E42构成第4电容器C4。在图4中，用电路记号来表示这些电容器Cl?C4。
[0035]电极E11、E21经由通孔导体与端口 P1、P2相连接。电极E31、E41经由通孔导体与端口 P3、P4相连接。接地导体Gl经由通孔导体与接地端子GND导通。
[0036]由于接地导体Gl呈网眼状，因此，在电感器电极L11、L21、L12、L22与接地导体Gl之间所产生的寄生电容较小。
[0037]各电路常数如下。
[0038]Ll、L2:7.9nH C1、C2、C3、C4:1.2pF L3:1.65nH
L4:8.9nHkl:0.6
此处，kl是电感器LI与L2的耦合系数。
[0039]图5是表示共模滤波器101的共模噪声的通过特性S21[CC]及差模信号的通过特性S21[DD]的图。共模噪声的通过特性S21[CC]在800MHz?2GHz的宽频带内被抑制在_9dB。差模信号的通过特性S21 [DD]在图5所示的频率范围的全频带内保持在_2dB以上。所述800MHz?2GHz是移动电话所使用的频带。如果在移动电话终端中使用该共模滤波器，则能抑制要作为共模噪声进行重叠的800MHz?2GHz的噪声。
[0040]在图5中，衰减极点APl是通过图1中示出的第I谐振电路RCl所产生的衰减极点，衰减极点APl的频率相当于第I谐振电路RCl的谐振频率。衰减极点AP2是通过图1中示出的第2谐振电路RC2所产生的衰减极点，衰减极点AP2的频率相当于第2谐振电路RC2的谐振频率。这样，第I谐振电路RCl和第2谐振电路RC2的谐振频率互不相同，各自的频率分别与相对于共模噪声所需的衰减频带中的低频端附近和高频端附近的频率相对应。因此，能抑制宽频带的共模噪声的传输。由于所述低通滤波器LPF1、LPF2的截止频率例如为8GHz以上(十几GHz)，因此，差模信号的高次谐波分量、高频噪声被低通滤波器LPF1、LPF2阻断。
[0041]根据实施方式1，除了已经叙述的效果以外还能起到以下的效果。
[0042](I)由电感器电极Lll、L12构成的电感器LI和由电感器电极L21、L22构成的电感器L2以双重螺旋状来进行卷绕，因此，尽管层数较少，但能获得较高的耦合系数。
[0043](2)电极 E11、E21、E31、E41、E13、E24、E12、E22、E32、E42 以包围构成有电感器 L1、L2的区域的方式形成，因此，能在有限的空间构成所需的电感及电容。此外，其它元件、元器件与电感器L1、L2不易进行不需要的耦合。
[0044](3)使电感器L1、L2和电感器L3、L4的形成位置在层叠方向上不重合，利用电极的伸出部J31、J41、J13、J24、J32、J42使电感器L1、L2与电感器L3、L4分离，因此，能防止电感器L1、L2与电感器L3、L4进行不需要的耦合。
[0045](4)通过将电感器电极L11、L12、L21、L22集中配置于基材层BML2、BML3的一部分(局部设置)，能提高由电感器电极Lll、L12构成的电感器LI与由电感器电极L21、L22构成的电感器L2的耦合度。
[0046](5)将电感器电极L11、L12、L21、L22局部设置在基材层BML2、BML3的中央部，并利用电极￡1132133134^13324312322332342 包围电感器电极 L11、L12、L21、L22的周围，因此，即使其它外部的电子元器件、金属体接近该共模滤波器，也能抑制由此引起的电感器L1、L2的电感值的变动。
[0047]《实施方式2》
参照各附图，对实施方式2所涉及的共模滤波器进行说明。实施方式2所涉及的共模滤波器102的电路图与实施方式I中图1所示的图相同。
[0048]图6是共模滤波器102的外观立体图。该共模滤波器102是形成有下面所示的各种导体图案的基材层的层叠体。在下表面形成有端口 Pl?P4及接地端子GND。
[0049]图7是构成共模滤波器102的层叠体的各基材层的层叠前的俯视图。共模滤波器102是形成有各种导体图案的四个基材层BMLl?BML4的层叠体。基材层BMLl?BML4是树脂片材，基材层BMLl为最下层，基材层BML4为最上层。
[0050]在基材层BMLl的上表面形成有格子状的接地导体Gl。在该基材层BMLl的下表面形成有图6所示的端口 Pl?P4及接地端子GND。
[0051]在基材层BML2上形成有电感器电极L11、L21、电极E11、E21、E31、E41。在基材层BML3上形成有电感器电极L12、L22、L32、L42、电极E13、E24。在基材层BML4上形