一种电流型熔丝控制电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种电流型熔丝控制电路。
【背景技术】
[0002]常用的熔丝有金属熔丝、多晶硅熔丝，熔断技术采用激光修调技术，大电流熔断技术，由于激光修调的成本过高，不利于大批量的熔断操作，而多晶硅熔丝由于成本低，并通过大电流熔断技术就可以实现，熔断操作方便，所以得到普遍的运用。
[0003]随着集成电路朝向纳米技术发展，芯片的流片费用也越来越高，由于工艺的偏差直接会影响芯片的性能，为了保证芯片工作时性能的良好性和稳定性，修调显得格外重要。目前，熔丝修调技术在高精度模数和数模转换器等芯片中得到广泛运用，但随之而来的问题是如何通过简单易操作的控制电路来实现熔丝修调从而改善性能。
【发明内容】
[0004]针对现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种电流型熔丝控制电路，该控制电路简单可行并能够对熔丝进行操作，即使在不对熔丝进行操作的情况下也可以模拟熔丝状态，从而修复并改善芯片性能。
[0005]为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0006]一种电流型熔丝控制电路，包括熔断操作电路、熔丝单元、检测输出电路和控制电路；其中，
[0007]所述熔断操作电路设有第一输入端、第二输入端和第三输入端，其第一输入端与外部全局使能端ENT连接，第二输入端通过线网WNOR1TRI2与检测输出电路连接，第三输入端通过线网WDEN与控制电路连接，熔断操作电路直接控制熔丝熔断操作；
[0008]所述熔丝单元设有第一输入端、电源输入端和地输入端，其第一输入端通过线网WGNOR2与熔断操作电路的输出端连接，电源输入端与外部电源端VDD连接，地输入端与外部地端GND连接，熔丝单元实现熔丝的熔断操作；
[0009]所述检测输出电路设有第一输入端、外部数据输入端和输出端，其第一输入端通过线网WFUSEMN1与熔丝单元的输出端连接，外部数据输入端与外部数据端DB连接，检测输出电路检测熔丝状态并将该状态反映到输出端，输出端与端口 Vfuse连接，且检测输出电路还通过线网WAEN、WAE、WBEN、WBE、WCEN、WCE、WAEPBE, WAEPBEN与控制电路连接，以接受控制电路的逻辑控制；
[0010]所述控制电路的输入端与外部端口 A、B、C、D、E连接，其端口 E是端口 A、B、C、D的局部使能端，控制电路通过控制所述熔断操作电路和检测输出电路对熔丝实现伪熔断和真熔断操作。
[0011]本发明提供的电流型熔丝控制电路，可通过控制检测输出电路实现伪熔断，在不熔断熔丝的情况下可以模拟熔断状态，具有易操作的特点；具有全局使能功能，只有使能有效时才可以进行熔断操作，有效避免了误操作；熔断操作受到全局使能、局部使能、外部输入数据的控制，易于拓展熔丝规模并满足芯片需要大量修调的要求；无论伪熔断还是真熔断操作，模拟的熔丝状态和真实的熔丝状态均可以快速锁存并反映到输出端。
[0012]进一步，所述熔断操作电路包括第一或非门、第一反相器、第二反相器和第二或非门，所述第一或非门的正极输入端设为熔断操作电路的第三输入端与端口 DEN连接，负极输入端设为熔断操作电路的第二输入端与端口 NOR1TRI2连接，输出端与所述第一反相器的输入端连接，第一反相器的输出端与所述第二或非门的正极输入端连接，第二或非门的负极输入端与所述第二反相器的输出端连接，第二反相器的输入端设为熔断操作电路的第一输入端与端口 ENT连接，第二或非门的输出端与端口 GNOR2连接。
[0013]进一步，所述熔丝单元包括第一 NMOS晶体管和熔丝，所述第一 NMOS晶体管的栅极设为熔丝单元的第一输入端并通过线网WGN0R2与端口 GN0R2连接，源极设为熔丝单元的地输入端与端口 GND连接，漏极分别与熔丝的负端和端口 FUSEMN1连接，熔丝的正端设为熔丝单元的电源输入端与端口 VDD连接。
[0014]进一步，所述检测输出电路包括第二 NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三或非门、第三反相器、第四反相器、第一缓冲器、第二缓冲器、第一传输门、第二传输门、第三传输门和第四传输门，第二 NMOS晶体管的栅极与端口 BE连接，第二 NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的源极与端口 GND连接，第二 NMOS晶体管的漏极、第三NMOS晶体管的栅极和第三或非门的正极输入端设为检测输出电路的第一输入端并通过线网WFUSEMN1与端口 FUSEMN1连接，第三NMOS晶体管的漏极与第三反相器的输入端和第四反相器的输出端连接，第三反相器的输出端与第四反相器的输入端、第四NMOS晶体管的漏极和第一传输门的输入端连接，第三或非门的负极输入端与端口 BEN连接，第一传输门的栅端负极与端口 BEN连接，栅端正极与端口 BE连接，第一传输门的输出端与第二传输门、第三传输门、第一缓冲器和第二缓冲器的输入端连接，第二传输门的栅端负极与端口AEPBE连接，栅端正极与端口 AEPBEN连接，第三传输门的栅端负极与端口 AEN连接，栅端正极与端口 AE连接，第一缓冲器的输出端设为检测输出电路的输出端与第四传输门的输入端和端口 Vfuse连接，第四传输门的栅端负极与端口 CEN连接，栅端正极与端口 CE连接，第三传输门和第四传输门的输出端设为检测输出电路的外部数据输入端与端口 DB连接，第二传输门和第二缓冲器的输出端通过线网WN0R1TRI2与端口 N0R1TRI2连接。
[0015]进一步，所述控制电路包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、第四与非门、第五与非门、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第三缓冲器、第四缓冲器、第五缓冲器、第六缓冲器和第七缓冲器，所述第一与非门、第二与非门、第三与非门和第四与非门的正极输入端分别与端口 A、B、C、D连接，所述第一与非门、第二与非门、第三与非门和第四与非门的负极输入端与局部使能端口 E连接，第一与非门的输出端、第三缓冲器的输入端和第五反相器的输入端与第五与非门的正极输入端连接，第三缓冲器的输出端与端口AEN连接，第五反相器的输出端与端口 AE连接，第二与非门的输出端、第五与非门的负极输入端和第五缓冲器的输入端与第七反相器的输入端连接，第五与非门的输出端与第四缓冲器和第六反相器的输入端连接，第四缓冲器的输出端与端口 AEPBE连接，第六反相器的输出端与端口 AEPBEN连接，第五缓冲器的输出端与端口 BEN连接，第七反相器的输出端与端口 BE连接，第三与非门的输出端与第六缓冲器和第八反相器的输入端连接，第六缓冲器的输出端与端口 CEN连接，第八反相器的输出端与端口 CE连接，第四与非门的输出端与第七缓冲器的输入端连接，第七缓冲器的输出端与端口 DEN连接。
【附图说明】
[0016]图1是本发明提供的电流型熔丝控制电路原理示意图。
[0017]图2是图1中熔断操作电路的结构示意图。
[0018]图3是图1中熔丝单元的结构示意图。
[0019]图4是图1中检测输出电路的结构示意图。
[0020]图5是图1中控制电路的结构示意图。
[0021]图6是本发明提供的伪熔断操作的时序示意图。
[0022]图7是本发明提供的真熔断操作的时序示意图。
[0023]图中，100、熔断操作电路；200、熔丝单元；300、检测输出电路；400、控制电路。
【具体实施方式】
[0024]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
[0025]请参考图1所示，本发明提供一种电流型熔丝控制电路，包括熔断操作电路100、熔丝单元200、检测输出电路300和控制电路400 ;其中，
[0026]所述恪断操作电路100设有第一输入端、第二输入端和第三输入端，其第一输入端与外部全局使能端ENT连接，第二输入端通过线网WNOR1TRI2与检测输出电路300连接，第三输入端通过线网WDEN与控制电路400连接，熔断操作电路100直接控制熔丝熔断操作；
[0027]所述熔丝单元200设有第一输入端、电源输入端和地输入端，其第一输入端通过线网WGNOR2与熔断操作电路100的输出端连接，电源输入端与外部电源端VDD连接，地输入端与外部地端GND连接，熔丝单元200实现熔丝的熔断操作；
[0028]所述检测输出电路300设有第一输入端、外部数据输入端和输出端，其第一输入端通过线网WFUSEMN1与熔丝单元200的输出端连接，外部数据输入端与外部数据端DB连接，检测输出电路300检测熔丝状态并将该状态反映到输出端，输出端与端口 Vfuse连接，且检测输出电路300还通过线网WAEN、