料滴405b，空间延伸的革E分布605在面向传入的脉冲福射光束的平面内具有更大的横截面直径。面向传入的脉冲辐射光束的平面可以是横向于光束传播方向的平面。在其它示例中，该平面可以相对于脉冲辐射光束的传播方向成角度，该角度不横向于传播方向，但是仍然允许空间延伸的革G分布605将光反射回到放大器420中。更大的横截面直径允许空间延伸的靶分布605比靶材料滴405b将更多的光反射到放大器420中。
[0072]反射光学元件412被定位为反射光束路径410上的一些光(940)。光束路径410与目标位置442相交。因此，当空间延伸的靶分布605与光束路径410在空间上重叠时，空间延伸的靶分布605和反射光学元件形成光学腔702，该光学腔可以是非谐振的(图7)。在空间延伸的革E分布605和反射光学兀件412之间产生放大光束(950)。
[0073]过程900可以使用另一靶材料滴重复以改进增益介质420的增益或者放大率。第二光束可以在第一光束之后20至40ns形成。以这一方式，通过在反射光学兀件412和通过使用辐射脉冲辐射靶材料滴形成的空间延伸的靶分布之间重复地形成光学腔，可以生成光脉冲列。
[0074]图10示出了另一示例性EUV光源1000。EUV光源1000相似于EUV光源400，并且EUV光源1000通过使用辐射脉冲417辐射靶材料滴405b，物理上将靶材料滴405b变形为空间延伸的靶分布605。然而，光源1000包括外部激光源1002。外部激光源1002向光学路径410供应在放大器420的增益带内的光子。
[0075]存在可以注入来自源1002的光的不多的方法，诸如在增益介质420的链的另一端，例如通过在该端的转向镜中的孔。这一光可以首先从空间延伸的靶分布反射并且接着回到激光器中。
[0076]EUV光源1000被示出为处于就在空间延伸的靶分布605抵达目标位置442之前的时刻。当空间延伸的靶分布605抵达目标位置442时，供应到光学路径410的附加光子(来自从分布605的反射)添加到由来自放大器420a、420b以及420c内的自发发射所发射的光子。来自激光源1002的光子可以处于与放大器420a、420b以及420c的增益带相同的波长。由放大器420a、420b以及420c放大的附加光子的存在可以协助光在空间延伸的革巴分布605和反射光学兀件412之间的生成。例如，相比于缺少激光源1002的相似EUV光源，可以在更少的光从空间延伸的靶分布605反射的情况下生成光。
[0077]其它实施方式在权利要求的范围内。例如，空间延伸的靶分布605可以具有略微不同于盘的形状。例如，空间延伸的靶分布可以具有一个或者多个平化侧面和/或锯齿状表面。空间延伸的靶分布可以具有碗状形状。
[0078]在图3所示的示例中，驱动激光系统315和预脉冲源324作为分立源示出。然而，在其它实施方式中，可能的是，辐射脉冲317 (其可以用作辐射脉冲417)和放大光束316两者可以由驱动激光系统315生成。在这种实施方式中，驱动激光系统315可以包括两个CO2种子激光子系统和一个放大器。种子激光子系统之一可以产生具有10.26 μπι波长的放大光束，并且另一种子激光子系统可以产生具有10.59 μπι波长的放大光束。这两个波长可以来自于CO2激光器的不同谱线。来自两个种子激光子系统的放大光束两者在相同的功率放大器链中被放大，并且接着被有角度地散开以抵达腔室340内的不同位置。在一个示例中，具有10.26 μπι波长的放大光束被用作预脉冲317，并且具有10.59 μm波长的放大光束被用作放大光束316。在其它示例中，CO2激光器(其可以生成不同的波长)的其它谱线可以用于生成这两个放大光束(其中之一为辐射脉冲317，而另一个为放大光束316)。
[0079]将放大光束316和辐射脉冲317引导向腔室340的光学元件322 (图3)可以是其可以将放大光束316和辐射脉冲317沿着相似路径引导的任何元件。例如，光学元件322可以是接收放大光束316并且将其朝向腔室340反射的二色性分束器。该二色性分束器接收辐射脉冲317并且将脉冲朝向腔室340透射。二色性分束器可以由例如金刚石制成。
[0080]在其它实施方式中，光学元件322为限定孔径的镜。在这一实施方式中，放大光束316从镜表面反射并且被朝向腔室340引导，并且辐射脉冲穿过孔径并且朝向腔室340传播。
[0081]在再一些其它实施方式中，楔形光学元件(例如棱镜)可以用于将主脉冲316、预脉冲317、以及预脉冲318根据它们的波长分离到不同角度上。楔形光学元件可以用于补充光学元件322，或者其可以用作光学元件322。楔形光学元件可以被定位为就在聚焦组件326的上游(在“-z”方向上)。
[0082]此外，辐射脉冲317可以以其它方式被递送到腔室340。例如，脉冲317可以通过将脉冲317和318递送到腔室340和/或聚焦组件326的光纤行进，而不使用光学元件322或者其它引导元件。在这些实施方式中，光纤可以将辐射脉冲317通过形成在腔室340的壁中的开口直接带到腔室340的内部。
【主权项】
1.一种方法，包括: 朝向目标区域释放靶材料滴流，所述流中的所述滴沿着从靶材料供应系统到所述目标区域的轨迹行进； 在第一滴处于所述靶材料供应装置和所述目标区域之间的同时，通过将第一光脉冲沿着朝向第一靶材料滴的传播方向引导，产生空间延伸的靶分布，所述第一光脉冲对所述第一靶材料滴的冲击增加了所述第一靶材料滴在面向所述传播方向的平面内的横截面直径，并且减少了所述第一靶材料滴沿着平行于所述传播方向的方向的厚度； 定位光学元件以建立与目标位置相交的光束路径； 将增益介质耦合到所述光束路径；以及 通过从所述空间延伸的靶分布散射从所述增益介质发射的光子，产生与所述空间延伸的靶分布相互作用以产生等离子体的放大光束，所述等离子体生成极紫外(EUV)光，被散射的所述光子中的至少一些光子被放置在所述光束路径上以产生所述放大光束。2.根据权利要求1所述的方法，其中生成所述EUV光而不向所述光束路径提供外部光子。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述流包括多个靶材料滴，每个所述靶材料滴沿着所述轨迹与彼此分离，并且分离的空间延伸的靶分布由所述流中的所述滴中的多于一个滴产生。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光脉冲具有1.06 μm的波长。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述空间延伸的革G分布在横向于所述传播方向的所述平面内的横截面直径可以是所述第一靶材料滴的横截面直径的3到4倍大。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述空间延伸的靶分布在所述第一光脉冲冲击所述第一靶材料滴之后的时间段产生。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光脉冲具有1ns的持续时间。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述放大光束具有400ns到500ns的末尾到末尾持续时间。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述放大光束包括具有10.6 μπι的波长的光。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述放大光束包括具有所述第一光脉冲的波长的大约十倍的波长的光。11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括感测所述滴流中的第一靶材料滴处于所述靶材料供应系统和所述目标区域之间。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述空间延伸的靶分布为盘的形式。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述盘包括熔融金属盘。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述放大光束与所述空间延伸的靶分布相互作用以生成极紫外(EUV)光，而不产生任何相干辐射。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学元件被定位在所述增益介质的与所述目标位置相反的一侧，以将光反射回到所述光束路径上。16.—种极紫外光源，包括: 光学元件，定位为向光束路径提供光； 靶供应系统，生成沿着从所述靶供应系统到目标位置的轨迹的靶材料滴流，所述目标位置与所述光束路径相交； 光源，定位为辐射所述靶材料滴流中的在所述靶供应系统和所述目标位置之间的位置处的靶材料滴，所述光源发射足以使靶材料滴物理变形为空间延伸的靶分布的能量的光；增益介质，定位在所述光束路径上在所述目标位置和所述光学元件之间；以及空间延伸的靶分布，能够定位为至少部分地与所述目标位置重叠，以限定沿着所述光束路径并且在所述空间延伸的靶分布和所述光学元件之间的光学腔，其中 所述空间延伸的靶分布和所述靶材料滴包括在等离子体状态下发射EUV光的材料。17.根据权利要求16所述的光源，其中所述靶材料包括锡，并且所述靶材料滴包括熔融锡滴。18.根据权利要求16所述的光源，其中所述空间延伸的靶分布具有在垂直于由所述光学腔产生的放大光束的传播方向的平面内的横截面直径，并且所述空间延伸的靶分布的所述横截面直径是所述靶材料滴的横截面直径的3至4倍大。
【专利摘要】描述了使用来自靶材料的反馈来增强极紫外光源的功率的技术，该靶材料在进入目标位置之前已被修改为空间延伸的靶分布或者膨胀的靶。因为反馈发生在其之上的路径的几何学(诸如往返长度和方向)可以随时间改变，或者空间延伸的靶分布的形状可能不提供足够光滑的反射，所以来自空间延伸的靶分布的反馈提供非谐振光学腔。然而，可能的是，如果上面提到的几何和物理约束被克服，则来自空间延伸的靶分布的反馈提供谐振的并且相干的光学腔。在任何情形下，反馈可以使用从非振荡器增益介质产生的自发发射的光来生成。
【IPC分类】H05G2/00
【公开号】CN105052246
【申请号】CN201480014562
【发明人】陶业争, R·J·拉法克, I·V·福缅科夫, D·J·W·布朗
【申请人】Asml荷兰有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年2月25日
【公告号】US8680495, US8866110, US20140264092, WO2014149436A1