极在叠层方向上连接，并被连接成一根线形电极。通过这种结构，可以实现中心轴沿着叠层方向的螺旋形电极。构成电感43L的螺旋形电极的一端经由通孔导体431V与焊盘电极连接，该焊盘电极安装有成为滤波器部21的第一串联连接端子P21’的安装用电极294。焊盘电极被形成在叠层基板100的顶面100S。构成电感43L的螺旋形电极的另一端经由通孔导体432V与内部接地图案连接，该内部接地图案形成在叠层基板100内的底面100R附近。
[0134]并且，俯视观察时，构成电感43L的螺旋形电极被形成为至少一部分与构成滤波器部21的连接导体316的电极图案相重合。
[0135]通过这种结构，在由叠层基板100内的螺旋形电极构成的电感43L和由滤波器基板200的第一主面上形成的线形的电极图案构成的连接导体316之间，如图11的粗虚线箭头所示，可以产生电感性耦合。在此情况下，可以使构成电感43L的螺旋形电极与构成滤波器部21的连接导体316的电极图案之间的距离，以及该螺旋形电极与电极图案重叠的面积改变，从而调整电感43L和连接导体316的耦合度。基于此，与上述的第一构造一样，可以调整高频模块1lA的衰减特性，并可以更精确地实现所需的衰减特性。
[0136]此外，由于本实施例中电感43L不是安装型电路元件，在叠层基板100的顶面100S可以不设置用于安装该安装型电路元件的区域。基于此，可以减小俯视观察叠层基板100时的面积，并可以减小高频模块1lA的平面面积。
[0137](第三构造)
图12是表示高频模块的主要构造的立体概念图。图12所示的高频模块1lB以所谓CSP (Chip Sized Package:芯片尺寸封装)构造来实现。
[0138]高频模块1lB包括滤波器基板200。滤波器基板200上形成有如上述实现滤波器部21的滤波电极和构成包括连接导体316的各连接导体的电极图案。
[0139]高频模块1lB还包括滤波器安装用基板280。滤波器安装用基板280由例如氧化铝基板构成，其俯视观察时的面积比滤波器基板200大规定的量。
[0140]滤波器基板200通过突起导体281安装在滤波器安装用基板280上，从而使其第一主面位于滤波器安装用基板280 —侧。外部连接用突起导体282被形成在滤波器安装用基板280的与滤波器基板200的安装面相反侧的面上。
[0141]除了高频模块1lB(作为电路结构与高频模块101相同)的滤波器部21以外，滤波器安装用基板280上还形成有电路图案和电感43L。
[0142]滤波器安装用基板280的安装有滤波器基板200的面上涂覆有模塑树脂283。基于此，可以防止构成滤波电极和连接导体的电极图案暴露于外部环境，可以改善SAW谐振器的谐振特性，并可以精确地实现作为滤波器所需的特性。
[0143]这里，俯视观察时，滤波器安装用基板280上形成的构成电感43L的电极图案和滤波器基板200上形成的实现连接导体316的电极图案被设置成至少有一部分重叠。基于此，如图12所示，可以在构成电感43L的电极图案和实现连接导体316的电极图案之间产生电感性耦合。特别是在本实施例的结构中，可以缩短构成电感43L的电极图案和实现连接导体316的电极图案之间的间隔(距离)，因此容易实现更强的电感性耦合。
[0144]此外，由于高频模块1lB整体为CSP构造，可以小型且薄型地实现高频模块101B。
[0145]再有，上述的各实现构造中，示出了用电感作为匹配元件的示例，然而在匹配元件为电容时也能以同样的构造来实现。例如，如果是第一构造，则可以使用安装型的叠层电容元件。如果是第二构造，则可以通过形成为使在叠层基板100内的不同的层互相对置的多个平板电极来实现电容器。此外，如果是第三构造，则可以通过滤波器安装用基板280上形成的电极图案来实现电容器。
[0146]此外，如上所述，与匹配元件耦合的连接导体至少使一个SAW谐振器介于其间即可，但是介于其间的SAW谐振器越多，则可以使对于衰减特性的影响越大。例如，在第一构造(参照图9)中，如果滤波器基板200与安装型电路元件430之间的位置关系相同，则介于其间的SAW谐振器越多的匹配元件和连接导体之间的耦合，可以使对于衰减特性的影响越大。
符号说明
[0147]11、12、13、14、101、101A、1lB:高频模块、20、21:滤波器部；
201-208、211-213、221:SAW 谐振器；41、42:(串联连接型的)匹配元件；43,44:(并联连接型的)匹配元件；41L、42L、43L、44L:电感；
41C、42C、43C、44C:电容；
401、402:连接路径；
50，51、60:电感；
Pl:第一外部连接端子；
P2:第二外部连接端子；
Ρ21、Ρ2Γ:第一串联连接端子；
P22:第二串联连接端子；
P3UP32:第三端子；
P23、P231、P232:第一并联连接端子；P24:第二并联连接端子；
100:置层基板；
100S:顶面；
100R:底面；
200:滤波器基板；
280:滤波器安装用基板；
281:突起导体；
282:外部连接用突起导体；
283:模塑树脂；
290:覆盖层;
291:侧面覆盖层；
292:密闭空间；
293:连接电极；
294:安装用电极；
430:安装型电路元件。
【主权项】
1.一种高频模块，其特征在于，包括: 第一外部连接端子； 第二外部连接端子； 连接在所述第一外部连接端子和所述第二外部连接端子之间的滤波器部；以及连接在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子中的至少一个与所述滤波器部之间的匹配元件， 所述滤波器部包括: 连接于所述第一外部连接端子的第一串联连接端子； 连接于所述第二外部连接端子的第二串联连接端子； 接地的并联连接端子； 串联连接在所述第一串联连接端子和所述第二串联连接端子之间的多个串联连接型滤波器元件；以及 一端与多个所述串联连接型滤波器元件中相邻的滤波器元件的连接点相连接，且另一端与所述并联连接端子相连接的并联连接型滤波器元件， 与所述并联连接型滤波器元件连接的连接部和所述匹配元件之间被电感性耦合或电容性耦合。2.一种高频模块，其特征在于， 所述滤波器部包括多个所述并联连接端子， 至少一个并联连接型滤波器元件被连接于每个所述并联连接端子， 与多个所述并联连接型的滤波器相连接的连接部中的至少一个和所述匹配元件之间被电感性耦合或电容性耦合。3.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于， 互相电感性耦合或电容性耦合的所述连接部和所述匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得所述滤波器部通带以外的阻抗改变。4.如权利要求3所述的高频模块，其特征在于， 互相电感性耦合或电容性耦合的所述连接部和所述匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得所述滤波器部通带以外的衰减极点频率改变。5.如权利要求1至4中任一项所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件是串联连接在所述第一外部连接端子和所述第一串联连接端子之间、或者串联连接在所述第二外部连接端子和所述第二串联连接端子之间的串联连接型匹配元件。6.如权利要求1至4中任一项所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件是连接在将所述第一外部连接端子和所述第一串联连接端子相互连接的连接路径和接地之间、或者连接在将所述第二外部连接端子和所述第二串联连接端子相互连接的连接路径和接地之间的并联连接型匹配元件。7.如权利要求1至6中任一项所述的高频模块，其特征在于， 所述连接部由线形导体图案构成。8.如权利要求1至7中任一项所述的高频模块，其特征在于， 包括第三端子和第二滤波器部， 所述第二滤波器部连接在将所述第一串联连接端子和连接于该第一串联连接端子的滤波器元件相互连接的连接路径、与所述第三端子之间。9.如权利要求1至8中任一项所述的高频模块，其特征在于，包括: 在第一主面上形成了构成所述滤波器部的IDT电极和所述连接部的平板状的滤波器基板； 与所述滤波器基板的所述第一主面隔开间隔地对置的平板状的覆盖层； 具有从所述第一主面突出且贯通所述覆盖层的形状的连接电极；以及 安装或形成了所述匹配元件的叠层基板， 所述滤波器基板被配置成使所述第一主面侧面朝向所述叠层基板的安装面， 所述滤波器基板经由所述连接电极被连接到所述叠层基板。10.如权利要求9所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件是安装于所述叠层基板的安装面的安装型元件， 所述连接部被配置在所述滤波器基板的所述第一主面的第一边附近， 所述安装型元件被安装在所述滤波器基板的所述第一边附近。11.如权利要求10所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件包括: 长方体形状的壳体；以及 形成于所述壳体内、且俯视观察时由大致成矩形的外周形状构成的螺旋形导体， 所述匹配元件被配置成使所述壳体的长边与所述滤波器基板的所述第一边平行。12.如权利要求9所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件由在所述叠层基板的安装面或内部所形成的导体图案来构成， 俯视观察时，所述导体图案和所述连接部至少有一部分重叠。13.如权利要求1至8中任一项所述的高频模块，其特征在于，包括: 在第一主面上形成了构成所述滤波器部的IDT电极和所述连接部的平板状滤波器基板；以及 设置在所述滤波器基板的所述第一主面侧、且安装有该滤波器基板的所述第一主面侧的平板状的滤波器安装用基板， 所述匹配元件被形成于所述滤波器安装用基板。
【专利摘要】本发明的高频模块(11)的滤波器部(20)包括：与第一、第二串联连接端子(P21、P22)串联连接的多个SAW谐振器(201-208)；第一、第二并联连接端子(P231、P232、P24)；以及多个SAW谐振器(211-214)。SAW谐振器(211)的一端经由连接导体(311)连接于SAW谐振器(202和203)的连接点，SAW谐振器(211)的另一端经由连接导体(312)连接于第一并联连接端子(P231)。第一并联连接端子(P231)经由电感(50)接地。匹配元件(42)连接在第二串联连接端子(P22)和第二外部连接端子(P2)之间。匹配元件(42)与连接导体(311)电感性耦合或电容性耦合。
【IPC分类】H03H9/25, H03H9/64, H03H9/72, H03H7/38
【公开号】CN105122645
【申请号】CN201480020691
【发明人】竹内壮央
【申请人】株式会社村田制作所
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年4月9日
【公告号】WO2014168162A1