0R、110G和IlOB的发射光LR、LG和LB的剖面配置。应该注意的是，实线指的是具有高光发射强度的发射光LR、LG和LB的光，以及虚线指的是具有低光发射强度的发射光LR、LG和LB的光。
[0068]在显示单元100中，设置在光发射装置110R、1 1G和IlOB之间的绝缘膜113均匀地形成。换句话说，设置在光发射装置110R、IlOG和IlOB之间的绝缘膜113形成为使得其反射表面角(Θ )可相等。如上所述，发射自光发射装置110R、1 1G和IlOB的光发射层114CR、114CG和114CB中的每个的光根据波长具有不同的光发射强度。因此，如图3A示出的那样，发射自光发射层114CR、114CG和114CB (所称的具有高光发射强度的光和具有低发射强度的光)的每个的发射光通过绝缘膜113的反射表面根据各波长反射到不同的方向上。因此，就会发生图3B示出的在光发射装置110R、110G和IlOB之间的视角中的色偏以及亮度的变化。
[0069]图4A示意地示出了在这个实施例中的显示单元IA中的发射光LR、LG和LB的发射方向。在这个实施例中，如上所述，对于子像素2R、2G和2B中的每个设置作为相对于反射光LR、LG和LB的反射表面的绝缘膜13的倾角，即反射表面角度(Θ)。因此，如图4A示出的那样，具有高光发射强度的发射光LR、LG和LB的光被发射到基本相同的方向上。换句话说，如图4B示出的那样，光发射装置10RU0G和1B具有基本均匀的视角特性。这样，在子像素2R、2G和2B之间的色偏和亮度的变化被消除。
[0070]应该注意的是，相对于发射光LR、LG和LB的绝缘膜13的最佳反射表面角度(Θ )不仅根据待被反射的发射光的波长而且根据第一电极12和包括光发射层14C的有机层14的膜厚度来改变，该膜厚度配置每个光发射装置10和各自层的材料。因此，当一个实例通过使用以下表达式(I)通过计算在光发射装置10RU0G和1B中的每个的反射表面角度(Θ)的近似值(Θ)来形成时，其中光发射强度强时对应的角度为Φ，于是每个绝缘膜13的反射表面角度(Θ)进一步被调节，可以通过视角来进一步减少色偏。
[0071](数学表达式)Θ= 90-Φ/2Γ )......(I)
[0072]对于这个实施例，对子像素2R、2G和2B中的每个具有不同反射表面角度(Θ )的绝缘膜13可以通过使用例如感光树脂通过光刻形成，这将在后详细描述。更具体地，可以通过使用具有以步进方式改变透光率的光掩膜或光刻胶图案用于处理形成任意反射表面，该处理通过结合典型的干法蚀刻调节相应的侧壁角度。
[0073]应该注意的是，在这个实施例中，绝缘膜13的反射表面对于红色像素2R、绿色像素2G和蓝色像素2B中的每个被调节成最佳角度；然而，绝缘膜13的反射表面角度(Θ)可以设计为使得该子像素中的两个的反射表面角度可相等。更具体地，例如，对于图5示出的显示单元1B，红色像素3R和蓝色像素3B的反射表面的角度(Θ)可以相等，并且绝缘膜13的反射表面的角度(Θ )可以对于红色像素3R和蓝色像素3B和对于绿色像素3G进行设计，以调节每个发射光的发射方向。当对于像素3R、3G和3B中的每个设置反射角时，获得较高的颜色再现性；然而，即使三个子像素中的两个的反射表面角度(Θ)被调节成相等，颜色再现性也充分地被提高。此外，可以进一步简化绝缘膜13的反射表面角度的形成。
[0074]而且，在图2中，示出了其中绝缘膜13的顶表面与驱动基底10成水平的状态；然而，这个实施例没有受其限制，绝缘膜13的顶表面可以具有凹凸或弯曲的表面。而且，绝缘膜13的厚度可以大于第一电极12的厚度，并可以优选地是沿着来自光发射层14C的发射光的平面方向的光可例如反射到顶表面方向的一个厚度。更具体地，从第一电极12的顶表面到分隔壁13的顶表面的距离可以是I ym或更大。应该注意的是，该距离的上限可以优选地但不特别地限定于等于或小于例如一个像素的尺寸。
[0075](1-2.显示单元的整体配置)
[0076]图6示出了显示单元IA的配置。如上所述，这个显示单元IA作为例如包括作为光发射装置10RU0G和1B的有机EL装置的照相机的取景器的小尺寸至中尺寸的显示单元来使用，并且例如可以包括作为用于围绕显示区域110的图像显示的驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130。
[0077]像素驱动电路140设置在显示区域110中。图7示出了像素驱动电路140的一个实例。像素驱动电路140是一个形成于第一电极12下方的有源驱动电路，这将在后描述。换句话说，像素驱动电路140包括驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2、在晶体管Trl和Tr2之间的电容器Cs (保持电容器)以及与在第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间的晶体管Trl串联连接的光发射装置10R(或1G或10B)。驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2中的每个配置为典型的薄膜晶体管，并且薄膜晶体管可以例如具有但不仅仅具有倒置交错配置(所称的底栅型)或交错配置(顶栅型)。
[0078]在像素驱动电路140中，多个信号线120A沿着列向设置，以及多个扫描线130A沿着行向设置。每个信号线120A和每个扫描线130A的一个交叉点对应于光发射装置10R、1G和1B中的一个(一个子像素)。信号线120A中的每个与信号线驱动电路120连接，以及图像信号通过信号线120A被从信号线驱动电路120传送到写入晶体管Tr2的源极。扫描线130A中的每个与扫描线驱动电路130连接，以及扫描信号随后通过扫描线130A被从扫描线驱动电路130传送到写入晶体管Tr2的栅极。
[0079]如图2示出的那样，光发射装置10R、10G和1B中的每个包括作为阳极的第一电极12、绝缘膜13、包括光发射层14C的有机层14、以及作为阴极的第二电极15，他们以这个顺序被从驱动基底11被堆叠起来，驱动基底11设置有上述像素驱动电路140的驱动晶体管Trl和平面化绝缘膜(未图示)。驱动晶体管Trl通过设置在该平面化绝缘膜中的连接孔(未图示)电连接到第一电极12。
[0080]此光发射装置10RU0G和1B覆盖有保护层16，以及密封基底19使用位于两者之间的粘结层17来粘合到整个保护层16上。应该注意的是，密封基底19包括彩色滤光片18A和黑色矩阵18B，在彩色滤光片18A中，对应颜色的彩色滤光片(红色滤光片18AR、绿色滤光片18AG和蓝色滤光片18AB)分别地设置在光发射装置10RU0G和1B上。保护层16可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅或金属氧化物等制成。粘结层17可以例如由热固性树脂或紫外线固化树脂制成。
[0081]第一电极12也起反射层的作用，并且为了提高光发射效率，第一电极12可期望地具有尽可能高的反射率。特别地，在第一电极12作为阳极使用的情况下，第一电极12可期望地由具有高空穴注入性能的材料制成。对于第一电极12，例如，其沿着层叠方向的厚度(以下简称为“厚度”)可是从10nm至lOOOnm，包括10nm和100nm两者，可以使用例如络(Cr)、金(Au)、铀(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、妈(W)或银(Ag)的金属元素的单质或其合金。例如铟和锡氧化物(ITO)的透明导电膜可以设置在第一电极12的表面上。应该注意到，尽管通过提供合适的空穴注入层而允许高反射率用于作为第一电极12，但是其中在表面上存在氧化膜和由小的功函数引起的空穴注入势皇的材料甚至将引起一个问题。
[0082]绝缘膜13被配置成确保第一电极12与第二电极15之间的绝缘并且被配置成将光发射区域分隔成期望的形状，以及可以例如由感光树脂制成。绝缘膜13围绕第一电极12设置，以及从第一电极12的绝缘膜13暴露的区域，即绝缘膜13的开口部分13A，作为光发射区域。在这个实施例中，如上所述，绝缘膜13的侧表面具有一个倾角，即为红色像素2R、绿色像素2G和蓝色像素2B中的每个设置的反射表面角度(Θ )。应该注意的是，有机层14和第二电极15也设置在绝缘膜13上；然而只有光发射区域发射光。
[0083]有机层14可以例如具有一个配置，其中空穴注入层14A、空穴传输层14B、光发射层14C、电子传输层14D和电子注入层14E以从第一电极12的顺序被层叠。除了光发射层14C以外的层可以根据需要设置。有机层14对于光发射装置10RU0G和1B的发光颜色中的每个具有不同的配置。空穴注入层14A是缓冲层，以提高空穴注入效率并阻止泄露。空穴传输层14B被配置成提高到光发射层14C的空穴传输效率。光发射层14C配置成通过复合响应于所施加电场的电子和空穴来发射光。电子传输层14D被配置成提高到光发射层14C的电子传输效率。电子注入层14E被配置成提高电子注入效率。
[0084]光发射装置1R的空穴注入层14A可以具有例如5nm至300nm的厚度，包括5nm和300nm两者，并且可以例如由苯并菲衍生物制成。光发射装置1R的空穴传输层14B可以具有例如5nm至300nm的厚度，包括5nm和300nm两者，并且可以例如由双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺(a -NPD)制成。光发射装置1R的光发射层14C可以具有例如1nm至10nm的厚度，包括1nm和10nm两者，并且可以由与40%体积的2，6_双[4-[Ν_(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯]萘-1，5-二腈(BSN-BCN)混合的8_羟基喹啉铝络合物(Alq3)制成。光发射装置1R的电子传输层14D可以具有例如5nm至300nm的厚度，包括5nm和300nm两者，并且可以例如由Alq3制成。光发射装置1R的电子注入层14E可以具有例如大约0.3nm的厚度，并且可以由LiF或Li2O等制成。
[0085]第二电极15可以具有例如大约1nm的厚度，并且可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或钠(Na)的合金制成。具体地，镁和银的合金(Mg-Ag合金)可以是优选的，因为Mg-Ag合金在薄膜中具有导电性和小的吸收率。虽然在Mg-Ag合金中的镁与银的比例没有受到具体的限制，但是该比例可以优选地在Mg: Ag = 20:1至1:1范围内，20: 1、1: I包括在膜厚比中。此外，第二电极15的材料可以是铝(Al)和锂(Li)的合金(Al-Li合金)。
[0086]第二电极15也可以起半透明反射层的作用。在第二电极15具有作为半透明反射层的功能的情况下，光发射装置1R具有谐振腔结构MCl，并且谐振腔结构MCl使发射自光发射层14C的光可在第一电极12与第二电极15之间谐振