压，其亦为P型金属氧化物半导体晶体管P2的源极处的电压。可看出P型金属氧化物半导体晶体管P1的漏极(即节点507)维持在0伏特以上。因此，P型金属氧化物半导体晶体管P1的漏极电压可维持在0伏特之上。据此，P型金属氧化物半导体晶体管P1的源极-漏极电压降维持在2伏特以下，因此符合规格所需的2伏特的源极-漏极电压。此外，P型金属氧化物半导体晶体管P2的源极-漏极电压降，其为曲线601与708之间的电压，也同样维持在2伏特之内。
[0107]请注意到在图7中，代表P型金属氧化物半导体晶体管P2的栅极电压的曲线706，并不会高于接地电压。藉由一个电阻负载，当输出电压接近于正电源轨(positive supplyrail)时，P型金属氧化物半导体晶体管Ρ1与Ρ2将必须输出大电流。晶体管Ρ1与Ρ2的导通电阻值必须尽可能的小。因此，Ρ型金属氧化物半导体晶体管Ρ2的栅极电压可以被箝位于接地电压，而并不会跟随输出电压(如曲线601所示)至高电压范围。
[0108]与前述与图5相关的叙述相似的，藉由选择恰当的电阻R1与R2的电阻值、以及晶体管P2和N3的临界电压，于迭接晶体管P1的漏极-源极电压降可维持在一个所需的电压规格之内。
[0109]因此，本发明的实施提供了一种方法，其是依据输出电压提供偏压至迭接晶体管，以保护AB类输出级的输出装置。在一实施例中，偏压电路包含有连接至放大器的输出的分压器，以及两个连接于分压器以及两迭接晶体管之间的源极随耦器。
[0110]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定为准。
【主权项】
1.一种放大器的输出电路，包含有: 一第一电源节点，以耦接至一正电源； 一第二电源节点，以耦接至一负电源； 一输出节点； 一第一 P型金属氧化物半导体晶体管以及一第二 P型金属氧化物半导体晶体管，串联于该第一电源节点与该输出节点之间； 一第一 N型金属氧化物半导体晶体管以及一第二 N型金属氧化物半导体晶体管，串联于该输出节点与该第二电源节点之间； 一第一输入端，耦接至该第一 P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极； 一第二输入端，耦接至该第一 N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极； 一分压器，耦接于该输出节点以及一接地节点，该分压器包含有连接于一第一节点的一第一电阻以及一第二电阻； 一第一源极随耦器，包含有一第三P型金属氧化物半导体晶体管，该第三P型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至该第一节点的一栅极，以及耦接至该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极的一源极；以及 一第二源极随耦器，包含有一第三N型金属氧化物半导体晶体管，该第三N型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至该第一节点的一栅极，以及耦接至该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极的一源极。2.如权利要求1所述的输出电路，其中该第一P型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第一输入信号，而该第一 N型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第二输入信号。3.如权利要求1所述的输出电路，其中于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极的一偏压用以追随该输出节点的一电压。4.如权利要求3所述的输出电路，其中该第一N型金属氧化物半导体晶体管的一漏极电压由该第一电阻与该第二电阻的电阻值以及该第三P型金属氧化物半导体晶体管以及该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压所决定。5.如权利要求3所述的输出电路，其中该第一N型金属氧化物半导体晶体管具有于运作时低于一第一电压限的一漏极至源极电压。6.如权利要求1所述的输出电路，其中于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的该栅极的一偏压用以追随该输出节点的一电压。7.如权利要求6所述的输出电路，其中该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极电压由该第一电阻与该第二电阻的电阻值以及该第三N型金属氧化物半导体晶体管以及该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的临界电压所决定。8.如权利要求6所述的输出电路，其中该第一P型金属氧化物半导体晶体管具有于运作时低于一第二电压限的一漏极至源极电压。9.如权利要求6所述的输出电路，其中于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极的一偏压用以追随该输出节点的一电压。10.一种AB类推挽放大器的输出电路，包含有: 一上迭接输出级，包含有串联于一正电源供应节点与一输出节点之间的一第一 P型金属氧化物半导体晶体管以及一第二 P型金属氧化物半导体晶体管，该第一 P型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第一互补输入信号； 一下迭接输出级，包含有串联于一负电源供应节点以及该输出节点之间的一第一 N型金属氧化物半导体晶体管以及一第二 N型金属氧化物半导体晶体管，该第一 N型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第二互补输入信号；以及一偏压电路，包含有: 一分压器，耦接至该输出节点，用以提供相关于该输出节点的一电压的一第一电压信号; 一第一源极随耦器，用以接收该第一电压信号并用以提供一第一偏压至该下迭接输出级中的该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极；以及 一第二源极随耦器，用以接收该第一电压信号并用以提供一第二偏压至该上迭接输出级中的该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极。11.如权利要求10所述的输出电路，其中该第一源极随耦器包含有一第三P型金属氧化物半导体晶体管，该第三P型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至该分压器的一第一节点的一栅极，以及耦接至该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极的一源极。12.如权利要求10所述的输出电路，其中该第二源极随耦器包含有一第三N型金属氧化物半导体晶体管，该第三N型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至该分压器的一第一节点的一栅极，以及耦接至该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极的一源极。13.如权利要求10所述的输出电路，其中该第一N型金属氧化物半导体晶体管具有于运作时低于一第一电压限的一漏极至源极电压。14.如权利要求10所述的输出电路，其中该第一P型金属氧化物半导体晶体管具有于运作时低于一第二电压限的一漏极至源极电压。15.—种AB类推挽放大器的输出电路，包含有: 一上迭接输出级，包含有串联于一正电源供应节点与一输出节点之间的一第一 P型金属氧化物半导体晶体管以及一第二 P型金属氧化物半导体晶体管，该第一 P型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第一互补输入信号； 一下迭接输出级，包含有串联于一负电源供应节点以及该输出节点之间的一第一 N型金属氧化物半导体晶体管以及一第二 N型金属氧化物半导体晶体管，该第一 N型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第二互补输入信号；以及 一偏压电路，用以提供一第一偏压至该第二N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极以及提供一第二偏压至该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极，该第一偏压与一输出电压成正比。16.如权利要求15所述的输出电路，其中该偏压电路包含有: 一分压器，耦接至该输出节点，用以提供正比于该输出节点的一电压的一第一电压信号; 一第一源极随耦器，用以接收该第一电压信号并用以提供该第一偏压至该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极；以及 一第二源极随耦器，用以接收该第一电压信号并用以提供该第二偏压至该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的该栅极。17.如权利要求16所述的输出电路，其中该第一源极随親器包含有一第三P型金属氧化物半导体晶体管，该第三P型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至该分压器的一第一节点的一栅极，以及耦接至该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极的一源极。18.如权利要求16所述的输出电路，其中该第二源极随耦器包含有一第三N型金属氧化物半导体晶体管，该第三N型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至该分压器的一第一节点的一栅极，以及耦接至该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极的一源极。19.如权利要求15所述的输出电路，其中该第一N型金属氧化物半导体晶体管具有于运作时低于一第一电压限的一漏极至源极电压。20.如权利要求15所述的输出电路，其中该第一P型金属氧化物半导体晶体管具有于运作时低于一第二电压限的一漏极至源极电压。
【专利摘要】本发明提供了一AB类推挽放大器的输出电路，包含有一上迭接输出级以及一下迭接输出级。该上迭接输出级包含有串联于一正电源供应节点与一输出节点之间的一第一以及一第二P型金属氧化物半导体晶体管，该第一P型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第一互补输入信号。该下迭接输出级包含有串联于一负电源供应节点与该输出节点之间的一第一以及一第二N型金属氧化物半导体晶体管，该第一N型金属氧化物半导体晶体管用以接收一第二互补输入信号。该输出电路更包含有一偏压电路，其用以将一第一偏压提供给该第二N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极端以及将一第二偏压提供给该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极端。
【IPC分类】H03F3/26, H03F1/32
【公开号】CN105262445
【申请号】CN201510407633
【发明人】珍汉·奈兰德
【申请人】新唐科技股份有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月13日
【公告号】US9225303, US20160013768