电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材和屏蔽电缆的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及层叠有树脂层或树脂膜且用于电磁波屏蔽材的金属箱、电磁波屏蔽材 和屏蔽电缆。
【背景技术】
[0002] 镀Sn覆膜具有耐腐蚀性优异且可焊性良好、接触电阻低这一特征。因此，例如作 为车载电磁波屏蔽材的复合材料，对铜等的金属箱镀敷Sn来使用。
[0003] 作为上述复合材料，使用了在由铜或铜合金箱构成的基材的一个面上层叠树脂层 或膜，并在其它面上形成有镀Sn覆膜的结构(参照专利文献1)。
[0004] 另外，作为等离子显示器用的电磁波屏蔽体，报告有如下技术：在透明基材上形成 铜箱的电路，对铜箱的显示画面侧的表面实施由锡和镍和钼构成的合金镀敷，从而降低反 射率(参照专利文献2)。
[0005]现有技术文献 专利文献 专利文献1:国际公开W02009/144973号 专利文献2:日本特开2003-201597号公报。
【发明内容】
[0006] 发明要解决的课题 然而，针对以汽车用途为首的室外环境中使用的电磁波屏蔽材要求严苛的耐腐蚀性， 进而还需要耐受N0x、S0x之类的腐蚀性气体的耐性。另外，设想到发动机房等的高温环境中 的使用，针对电磁波屏蔽材还要求耐热性。
[0007] 本发明是为了解决上述课题而进行的，其目的在于，提供与以往的镀Sn相比耐腐 蚀性、耐热性更优异的电磁波屏蔽用金属箱、电磁波屏蔽材和屏蔽电缆。
[0008] 用于解决问题的手段 本发明人等进行了各种研究，其结果，通过在金属箱的表面形成包含规定元素的合金 层，与以往的镀Sn相比，成功地使耐腐蚀性、耐热性提高。
[0009] 为了实现上述目的，本发明的电磁波屏蔽用金属箱在由厚度超过4μm的金属箱 构成的基材的单面或两面形成包含A元素和B元素组的合金层，所述A元素包含Sn或In， 所述B元素组选自Ag、Ni、Fe和Co中的1种以上，在前述合金层与前述基材之间形成有包 含前述B元素组的基底层，前述A元素的附着量为10~300μmol/dm2、且前述B元素组的总 附着量为 40~900μmol/dm2。
[0010] 前述合金层优选为金属间化合物。
[0011] 前述合金层优选还包含选自P、W、Fe和Co中的1种以上的C元素组。
[0012] 前述C元素组的总含有率相对于前述合金层总体优选为40wt%以下。
[0013] 前述合金层中包含的Cu、A1和Zn的总含有率优选为10wt%以下。
[0014] 前述合金层的表面优选形成有氧化物。
[0015] 前述基材优选由金、银、铂、不锈钢、铁、镍、锌、铜、铜合金、铝或铝合金构成。
[0016] 优选的是，前述基材为铝或铝合金，前述基材与前述基底层之间形成有Zn层。
[0017] 本发明的电磁波屏蔽材中，在前述电磁波屏蔽用金属箱的单面层叠有树脂层。
[0018] 前述树脂层优选为树脂膜。
[0019] 本发明的屏蔽电缆被前述电磁波屏蔽材屏蔽。
[0020] 发明的效果 根据本发明，能够获得与以往的镀Sn相比耐腐蚀性更优异的电磁波屏蔽用金属箱、电 磁波屏蔽材和屏蔽电缆。
【附图说明】
[0021] 图1是表示本发明的第一实施方式所述的电磁波屏蔽用金属箱的截面图。
[0022] 图2是表示本发明的实施方式所述的电磁波屏蔽材的截面图。
[0023] 图3是实施例4的试样的基于STEM的截面图像的示意图。
[0024] 图4是实施例4的试样的基于STEM的线性分析的结果的示意图。
【具体实施方式】
[0025] 以下，针对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明中，％在没有特别 限定的情况下表示质量％。
[0026] 如图1的（b)所示那样，本发明的第1实施方式所述的电磁波屏蔽用金属箱10具 备：由金属箱构成的基材1、在基材1单面上形成的合金层2、以及在基材1与合金层2之间 形成的基底层3。
[0027] (基材） 基材1只要是发挥出电磁波屏蔽效果的高导电性金属即可。作为基材1，可列举出金、 银、铂、不锈钢、铁、镍、锌、铜、铜合金、铝或铝合金等的箱，通常为铜或铝的箱。
[0028] 基材1的形成方法没有特别限定，例如可以进行压延来制造，也可以通过电镀来 形成箱。另外，还可以在后述电磁波屏蔽材的树脂层或树脂膜的表面进行干式镀敷来成膜 为基材1。
[0029] 基材1的厚度超过4μm。基材1的厚度为4μm以下时，屏蔽数十MHz的低频的性 能差，且难以通过压延、电解来制造基材1，进而操作性差。基材1的厚度优选为5~100μm、 更优选为6~50μm。基材1的厚度厚于100μm时，有时柔软性差、在后工序中难以加工，且 原料成本也增加。
[0030] 作为基材1而使用铜箱时，铜箱的种类没有特别限定，典型而言，可以以压延铜 箱、电解铜箱的形态来使用。一般来说，电解铜箱通过由硫酸铜镀浴、氰化铜镀浴在钛或不 锈钢的桶上电解析出铜来制造，压延铜箱通过重复进行利用压延辊的塑性加工和热处理来 制造。
[0031] 作为压延铜箱，可以使用纯度为99. 9%以上的无氧铜（JIS-H3100(C1020))或韧铜 (JIS-H3100 (C1100))。另外，作为铜合金箱，可以根据要求强度、导电性来使用公知的铜合 金。作为公知的铜合金，可列举出例如掺杂〇. 〇1~〇. 3%的锡的铜合金、掺杂0. 01~0. 05%的 银的铜合金，尤其是，作为导电性优异的铜合金，常用Cu-O. 12%Sn、Cu-0. 02%Ag。例如，作为 压延铜箱，可以使用导电率为5%以上者。作为电解铜箱，可以使用公知者。
[0032] 另外，作为铝箱，可以使用纯度为99.0%以上的铝箱。另外，作为铝合金箱，可 以根据要求强度、导电率来使用公知的铝合金。作为公知的铝合金，可列举出例如掺杂 0. 01~0. 15%的Si和0. 01~1. 0%的Fe的铝合金、掺杂1. 0~1. 5%的Μη的铝合金。
[0033](合金层） 合金层2含有：包含Sn或In的Α元素和选自Ag、Ni、Fe和Co中的1种以上的Β元素 组。
[0034] 镀Sn覆膜据称耐腐蚀性优异，但耐受N0X、S0X之类的腐蚀性气体的耐性未必高。
[0035] 因而，通过形成包含Sn或In和规定元素的合金层2来代替纯Sn，能够提高耐腐蚀 性、耐热性。
[0036] 合金层2优选为金属间化合物。作为金属间化合物，可列举出例如Ag3Sn、Ni3Sn4、 FeSn2、CoSn等。与非平衡合金层相比，金属间化合物的耐腐蚀性良好。
[0037] 合金层2还可以包含选自P、W、Fe和Co中的1种以上的C元素组。合金层2包含 C元素组时，合金层2的耐腐蚀性提高。合金层中的C元素组的总比例优选为1~40质量％、 进一步优选为5~30质量％。
[0038] 合金层2中包含的Cu、A1和Zn的总含有率为10wt%以下，优选为2wt%以下。合 金层2中包含的Cu、Al和Zn的总含有率超过10wt%时，合金层2容易氧化、接触电阻增加。 Cu、A1和Zn的总含有率是利用STEM(扫描透射型电子显微镜）进行线性分析，并将构成合 金层2的各元素作为指定元素，且将指定元素的总和记作100%时的比例。
[0039](基底层） 基底层3由B元素组构成。基底层3防止基材的构成元素从基材1向合金层2扩散， 因此即使暴露于高温环境下，接触电阻也难以增加。例如基材使用铜箱时，Cu若向合金层 2中扩散，则合金层2中的Cu被大气氧化，接触电阻增加。另外，基材使用铝箱时，想要在 基材上镀敷合金层2时，需要在基材上首先置换镀敷Zn。因此，Zn从Zn镀层向合金层2扩 散。此时，耐受盐水的耐腐蚀性降低。另外，合金层2中的Zn被大气氧化，接触电阻增加。 因而，在Zn镀层与合金层2之间设置基底层3,防止Zn的扩散。
[0040]S卩，基材1包含Cu、Al、Zn时(例如基材1为铜箱时)，通过形成基底层3,能够降低 从基材1向合金层2扩散的Cu、Al、Zn的量。
[0041] 基底层3可以由包含B元素组和C元素组的合金层构成。
[0042](总附着量） 上述A元素的总附着量为10~300μπιο?/dm2,优选为20~200μπιο?/dm2,进一步优选为 30~90μmol/dm2。
[0043]A元素的总附着量不足10μmol/dm2时，未充分形成合金层2,合金层2的耐腐蚀 性降低。另一方面，A元素的总附着量超过300ymol/dm2时，电磁波屏蔽材例如用于汽车用 电缆等时，在制造工序、安装于汽车时施加弯曲等变形而在合金层2表面产生裂纹、耐腐蚀 性降低。另外，导致成本上升。
[0044] 上述8元素组的总附着量为40~900以111〇1/(11112，优选为60~80(^1]1〇1/(1111 2，更优选为 75~700μmol/dm2〇