将保持打开/断开。因此，对于NM0S晶体管144和PM0S晶体管146的较小过压和欠压不会影响NM0S晶体管140的栅极，并且允许NM0S晶体管140的漏极和源极保持连接。在另一方面，当过压或欠压幅度大于NM0S晶体管134或PM0S晶体管146的Vt时，电路188将隔离NM0S晶体管140的源极和漏极，并且提供了对设备的其余部分的保护措施。
[0059]如同本文所描述的那样，设备100能够在一定的期望电压范围内隔离输入端子152和输出端子154，，以及在当输入端子152和/或输出端子154上存在过压或欠压时隔离输入端子152与输出端子154。另外，在使能信号为高，也即设备100有效时，设备100允许所有的期望输入电压和一些过压以及一些欠压从输入端子152传递到输出端子154。因此，在复用器/测量电路中，其中设备100可构成(comprise)许多路径中的一条，可以测量输入端子152上的超过电源和/或地的电压，同时保护设备100和连接到其上的任意其他元件避免遭受具有较大偏离的电压影响。
[0060]虽然以上描述了依照本公开的一个或多个方面的多个例子，但是还可导出依照本公开的一个或多个方面的其他或进一步的例子而不偏离本公开的范围，本公开的范围由以下的权利要求及其等同变换所确定。例如，在一个例子中，可以省略PM0S晶体管116和126，以及NM0S晶体管136和172，同时设备100还保持以上所描述的大多数或者全部功能。应当注意的是尽管以上使用了术语“第一”、“第二”、“第三”等，这些术语的使用仅是作为标记。因此，在一个例子中使用的例如“第三”并不必须表明该例子在每种情况下都一定要包括“第一”和/或“第二”。权利要求列出的步骤并不表明步骤的顺序。商标是它们各自所有人的财产。
【主权项】
1.一种设备，包括: 第一 P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输入；以及 第一电路，用于当使能信号无效时将所述设备的输入上的信号传递到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，以及用于当所述使能信号有效时将地电压传递到所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极被短接到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的体区。3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述第一电路包括: 第二 P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输入，并且其中所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号； 第一 η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第一 η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到地，其中所述第一 η型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到第二 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，其中所述第一 η型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号；以及 第二 η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二 η型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号的反相信号，其中所述第二 η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输入，并且其中所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极、所述第一η型金属氧化物半导体晶体管的漏极和所述第二η型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极。4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述使能信号的所述反相信号和地具有相同的电压。5.根据权利要求1-4中任一所述的设备，其特征在于，进一步包括: 第三P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输出，并且其中所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及 第二电路，用于当所述使能信号无效时将所述设备的输出上的信号传递到所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，以及用于当所述使能信号有效时将所述地电压传递到所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的栅极。6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述第二电路包括: 第四P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第四P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输出，并且其中所述第四P型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号； 第三η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第三η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到地，并且其中所述第三η型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号；以及 第四η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第四η型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号的反相信号，其中所述第四η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输出，并且其中所述第四P型金属氧化物半导体晶体管的漏极、所述第三η型金属氧化物半导体晶体管的漏极和所述第四η型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的栅极。7.根据权利要求1-6中任一所述的设备，其特征在于，进一步包括: 第五η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第五η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输入；以及 第三电路，用于当所述使能信号无效时将所述设备的输入上的信号传递到所述第五η型金属氧化物半导体晶体管的栅极，并且用于当所述使能信号有效时将电源电压传递到所述第五η型金属氧化物半导体晶体管的栅极。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述使能信号与所述电源电压具有相同的电压。9.根据权利要求7或8所述的设备，其特征在于，所述设备的输入包括模拟信号，所述模拟信号具有在地的电压水平和所述电源电压的电压水平之间的电压。10.根据权利要求7-9中任一所述的设备，其特征在于，所述第三电路包括: 第六η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第六η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输入，并且其中所述第六η型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号的反相信号； 第五P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第五P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述电源电压，并且其中所述第五P型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号的反相信号；以及 第六P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第六P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述输入信号，其中所述第六P型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号，并且其中所述第六η型金属氧化物半导体晶体管的漏极、所述第五P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和所述第六P型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到所述第五η型金属氧化物半导体晶体管的栅极。11.根据权利要求7-10中任一所述的设备，其特征在于，进一步包括: 第七η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第七η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输出，并且其中所述第七η型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到所述第五η型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及 第四电路，用于当所述使能信号无效时将所述设备的输出上的信号传递到所述第七η型金属氧化物半导体晶体管的栅极，并且用于当所述使能信号有效时将电源电压传递到所述第七η型金属氧化物半导体晶体管的栅极。12.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第四电路包括: 第七P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第七P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述电源电压，并且其中所述第七P型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号的反相信号； 第八η型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第八η型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输出，并且其中所述第八η型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号的反相信号；以及 第八P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第八P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输出，其中所述第八P型金属氧化物半导体晶体管的栅极被连接到所述使能信号，其中所述第七P型金属氧化物半导体晶体管的漏极、所述第八P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和所述第八η型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到所述第七η型金属氧化物半导体晶体管的栅极。13.根据权利要求11或12所述的设备，其特征在于，进一步包括: 第三P型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述设备的输出，并且其中所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的漏极被连接到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及 第二电路，用于当所述使能信号无效时将所述设备的输出上的信号传递到所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，并且用于当所述使能信号有效时将所述地电压传递到所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的栅极。14.一种用于隔离电路的输入信号的方法，包括: 将所述输入信号传递到第一 P型金属氧化物半导体晶体管的源极； 接收使能信号，其中所述使能信号包括地电压或电源电压中的一个； 当所述使能信号为所述电源电压时，将所述地电压传输到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，其中当所述地电压被传输到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极时，所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管闭合；以及 当所述使能信号为所述地电压时，将所述输入信号传输到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，其中当所述输入信号被传输到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极时，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管打开。15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括: 当所述使能信号为所述电源电压时，将所述地电压传输到第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，其中当所述地电压被传输到所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极时，所述第二P型金属氧化物半导体晶体管闭合；以及 当所述使能信号为所述地电压时，将所述电路的输出上的输出信号传输到所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，其中当所述输出信号被传输到所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极时，所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管打开；以及 当所述地电压被传输到所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极并且被传输到所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极时，将所述输入信号从所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的源极传递到所述电路的输出，其中所述第一 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极被耦接到所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，并且其中所述第二 P型金属氧化物半导体晶体管的源极被耦接到所述电路的输出。
【专利摘要】公开了一种用于使输入(152)与输出(154)隔离的设备(100)。例如，设备(100)包括第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)和第一电路(182)。第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的源极被连接到设备(100)的输入(152)。第一电路(182)用于在使能信号(172)无效时，将设备的输入(152)上的信号传递到第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的栅极，并且在使能信号(172)有效时将地电压(192)传递到第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的栅极。
【IPC分类】H03K17/06, H03K17/0812, H03K17/693
【公开号】CN105359412
【申请号】CN201480038555
【发明人】J·K·詹宁斯, I·C·西卡尔
【申请人】赛灵思公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2014年7月11日
【公告号】EP3020132A1, US9245886, US20150014779, WO2015006741A1