]在上述设备中，所述单石集成电路晶粒的晶粒密封件包括:第一壁部，其形成于所述第一晶粒区域中；以及第二壁部，其形成于所述第二晶粒区域中；其中所述第一壁部和所述第二壁部彼此面对，并且所述第一壁部和所述第二壁部彼此连接以提供所述单石集成电路晶粒的所述晶粒密封件。
[0088]在上述设备中，所述多个金属线路的第一部分可自所述第一晶粒区域延伸至所述第二晶粒区域的所述第二选择电路的第一输入端口 ；以及所述多个金属线路的第二部分在所述第二晶粒区域之内可延伸至所述第二晶粒区域的所述第二选择电路的第二输入端口。
[0089]在上述设备中，所述多个金属线路的第三部分可自所述第二晶粒区域延伸至所述第一晶粒区域的所述第一选择电路的第一输入端口 ；以及所述多个金属线路的第四部分可在所述第一晶粒区域之内延伸至所述第一晶粒区域的所述第一选择电路的第二输入端口。
[0090]在上述设备中，所述第一选择电路可以是所述第一晶粒区域的第一多任务器；以及所述第二选择电路可以是所述第二晶粒区域的第二多任务器。
[0091]在上述设备中，所述第一多任务器可经耦合以接收所述第一选择信号，用于所述第一晶粒区域在第一循环返回模式及第一接合模式之间的选择；以及所述第二多任务器可经耦合以接收所述第二选择信号，用于所述第二晶粒区域在第二循环返回模式及第二接合模式之间的选择。
[0092]在上述设备中，所述多个金属线路的所述第一部分和所述第三部份可延伸穿过在所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域之间的屏蔽接合区域。
[0093]在上述设备中，所述第一可程序规划终端方块和所述第二可程序规划终端方块可分别配备有所述第一晶粒区域的第一组态方块和所述第二晶粒区域的第二组态方块。
[0094]在本文所说明的一范例性方法大致上单石集成电路晶粒。在此方法中，所获得的单石集成电路晶粒具有第一晶粒区域及第二晶粒区域。所述第一晶粒区域具有第一电力分配网络，并且所述第二晶粒区域具有第二电力分配网络。所述第一电力分配网络与所述第二电力分配网络相隔开，以便所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域独立地操作。所述第一晶粒区域与所述第二晶粒区域是通过第一多个金属线路和第二多个金属线路而彼此互连。所述第一多个金属线路和所述第二多个金属线路耦合至第一多个选择电路和第二多个选择电路。用所述第一电力分配网络对所述第一晶粒区域进行供电，同时使得所述第二晶粒区域的所述第二电力分配网络进行断电。将所述第一晶粒区域设定于循环返回模式。当处在所述循环返回模式时，对所述第一晶粒区域进行测试。
[0095]根据一些上述方法，所述循环返回模式是第一循环返回模式；且所述方法可进一步包括对所述第一晶粒区域进行断电以停止所述第一循环返回模式；以所述第二电力分配网络对所述第二晶粒区域进行供电；将所述第二晶粒区域设定于第二循环返回模式；以及当处在所述第二循环返回模式时，对所述第二晶粒区域进行测试。
[0096]在一些上述方法中，所述第一晶粒区域的测试和所述第二晶粒区域的测试两者皆可以晶圆级来执行。
[0097]一些上述方法可包括:对所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域进行供电；将所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域设定于接合模式；以及测试所述单石集成电路晶粒。
[0098]根据一些上述方法，所述单石集成电路晶粒的测试以芯片级来执行。
[0099]在本文所说明的一范例性设备大致上单石集成电路晶粒。在此设备中，所述单石集成电路晶粒具有第一晶粒区域和第二晶粒区域。所述第一晶粒区域具有第一电力分配网络，并且所述第二晶粒区域具有第二电力分配网络。所述第一电力分配网络与所述第二电力分配网络相隔开，以便所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域独立地操作。所述第一晶粒区域与所述第二晶粒区域是通过第一多个金属线路和第二多个金属线路而彼此互连。所述第一多个金属线路和所述第二多个金属线路耦合至第一多个选择电路和第二多个选择电路。所述第一晶粒区域具有瑕疵部分。所述第二晶粒区域用于提供所述单石集成电路晶粒作为功能性晶粒，而所述瑕疵部分与所述第二晶粒区域相隔离。
[0100]在上述设备中，所述单石集成电路晶粒可具有整体长度，其为所述第一晶粒区域的长度和所述第二晶粒区域的长度的组合；以及所述整体长度可超过用于微影操作的最大成像维度。
[0101]在上述设备中，所述第一多个选择电路可耦合至第一可程序规划终端方块以接收第一选择信号；以及所述第二多个选择电路可耦合至第二可程序规划终端方块以接收第二选择信号。
[0102]在上述设备中，所述多个金属线路的第一部分可自所述第一晶粒区域延伸至所述第二晶粒区域的所述第二选择电路的第一输入端口 ；所述多个金属线路的第二部分可在所述第二晶粒区域之内延伸至所述第二晶粒区域的所述第二选择电路的第二输入端口 ；所述多个金属线路的第三部分可自所述第二晶粒区域延伸至所述第一晶粒区域的所述第一选择电路的第一输入端口 ；所述多个金属线路的第四部分可在所述第一晶粒区域之内延伸至所述第一晶粒区域的所述第一选择电路的第二输入端口 ；以及所述多个金属线路的所述第一部分和所述第三部份的间距可以是所述多个金属线路的所述第二部分和所述第四部份大约两倍的间距。
[0103]在上述设备中，所述第一选择信号可用于所述第一晶粒区域在第一循环返回模式及第一接合模式之间的选择；以及所述第二选择信号可用于所述第二晶粒区域在第二循环返回模式及第二接合模式之间的选择。
[0104]虽然前面已说明了范例性设备及/或方法，然而依据本发明的一个或更多观点的其它实施例和进一步的实施例是可予以设想到，而没有悖离由下述权利要求及其等效物所决定的本发明范畴。将多项步骤列出的权利要求是未暗示该步骤的任何次序。商标系属于其等各别拥有者的所有权。
【主权项】
1.一种设备，其包括: 单石集成电路晶粒，其具有多个模块晶粒区域； 其中所述模块晶粒区域分别具有多个电力分配网络，用于独立地对所述模块晶粒区域的每一个进行供电；以及 其中所述模块晶粒区域的每一个邻近对与各自的多个金属线路接合在一起。2.如权利要求1所述的设备，其中: 所述多个模块晶粒区域包含第一晶粒区域及第二晶粒区域； 所述第一晶粒区域具有所述多个电力分配网络的第一电力分配网络； 所述第二晶粒区域具有所述多个电力分配网络的第二电力分配网络； 所述第一电力分配网络与所述第二电力分配网络相隔开，以便所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域独立地操作； 所述第一晶粒区域与所述第二晶粒区域通过多个金属线路而彼此互连； 所述第一晶粒区域包含第一选择电路，其耦合至第一可程序规划终端方块以接收第一选择信号；以及 所述第二晶粒区域包含第二选择电路，其耦合至第二可程序规划终端方块以接收第二选择信号。3.如权利要求2所述的设备，其中: 所述单石集成电路晶粒具有整体长度，其为所述第一晶粒区域的长度和所述第二晶粒区域的长度的组合；以及 所述整体长度超过用于微影操作的最大成像维度。4.如权利要求3所述的设备，其中所述单石集成电路晶粒的晶粒密封件包括: 第一壁部，其形成于所述第一晶粒区域中；以及 第二壁部，其形成于所述第二晶粒区域中； 其中所述第一壁部和所述第二壁部彼此面对，并且所述第一壁部和所述第二壁部彼此连接以提供所述单石集成电路晶粒的所述晶粒密封件。5.如权利要求2所述的设备，其中: 所述多个金属线路的第一部分自所述第一晶粒区域延伸至所述第二晶粒区域的所述第二选择电路的第一输入端口 ；以及 所述多个金属线路的第二部分在所述第二晶粒区域之内延伸至所述第二晶粒区域的所述第二选择电路的第二输入端口。6.如权利要求5所述的设备，其中: 所述多个金属线路的第三部分自所述第二晶粒区域延伸至所述第一晶粒区域的所述第一选择电路的第一输入端口 ；以及 所述多个金属线路的第四部分在所述第一晶粒区域之内延伸至所述第一晶粒区域的所述第一选择电路的第二输入端口。7.如权利要求6所述的设备，其中: 所述第一选择电路是所述第一晶粒区域的第一多任务器；以及 所述第二选择电路是所述第二晶粒区域的第二多任务器。8.如权利要求7所述的设备，其中: 所述第一多任务器经耦合以接收所述第一选择信号，用于所述第一晶粒区域在第一循环返回模式及第一接合模式之间的选择；以及 所述第二多任务器经耦合以接收所述第二选择信号，用于所述第二晶粒区域在第二循环返回模式及第二接合模式之间的选择。9.如权利要求8所述的设备，其中所述多个金属线路的所述第一部分和所述第三部份延伸穿过在所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域之间的屏蔽接合区域。10.如权利要求2所述的设备，其中所述第一可程序规划终端方块和所述第二可程序规划终端方块分别配备有所述第一晶粒区域的第一组态方块和所述第二晶粒区域的第二组态方块。11.一种方法，其包括: 获得单石集成电路晶粒，其具有第一晶粒区域及第二晶粒区域； 其中所述第一晶粒区域具有第一电力分配网络； 其中所述第二晶粒区域具有第二电力分配网络； 其中所述第一电力分配网络与所述第二电力分配网络相隔开，以便所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域独立地操作； 其中所述第一晶粒区域与所述第二晶粒区域是通过第一多个金属线路和第二多个金属线路而彼此互连； 其中所述第一多个金属线路和所述第二多个金属线路耦合至第一多个选择电路和第二多个选择电路； 用所述第一电力分配网络对所述第一晶粒区域进行供电，同时使得所述第二晶粒区域的所述第二电力分配网络进行断电； 将所述第一晶粒区域设定于循环返回模式；以及 当处在所述循环返回模式时，对所述第一晶粒区域进行测试。12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括: 其中所述循环返回模式是第一循环返回模式； 对所述第一晶粒区域进行断电以停止所述第一循环返回模式； 以所述第二电力分配网络对所述第二晶粒区域进行供电； 将所述第二晶粒区域设定于第二循环返回模式；以及 当处在所述第二循环返回模式时，对所述第二晶粒区域进行测试。13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一晶粒区域的测试和所述第二晶粒区域的测试两者皆是以晶圆级来执行。14.如权利要求12所述的方法，其进一步包括: 对所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域进行供电； 将所述第一晶粒区域和所述第二晶粒区域的每一个设定于接合模式；以及 测试所述单石集成电路晶粒。15.如权利要求14所述的方法，其中所述单石集成电路晶粒的测试是以芯片级来执行。
【专利摘要】本发明揭示一种用于一个单石集成电路晶粒(200)的设备。在本设备中，该单石集成电路晶粒(200)具有多个模块晶粒区域(211、212)。该模块晶粒区域(211、212)分别具有多个电力分配网络(271、272)，用于独立地对该模块晶粒区域(271、272)的每一个进行供电。该模块晶粒区域(271、272)的每一个邻近对与各自的多个金属线路(260、301-304、514、524)接合在一起。
【IPC分类】G01R31/317, G01R31/3185, H03K19/177
【公开号】CN105379122
【申请号】CN201480037676
【发明人】拉法尔·C·卡麦罗塔
【申请人】吉林克斯公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年4月9日
【公告号】EP3017546A1, US20150008954, WO2015002681A1