而由输入信号RI和逆变器1408来控制。当RI为高时，开关1402导通并且开关1404 关断。在运种情况下，每个时钟脉冲使电流源1401W固定量的电荷Q=I*Ton对电容器1407 充电，并且使化efA上升了电压AV = Q/C，其中I为电流源1401和1403中的电流，Ton是时钟 脉冲的导通时间或者脉冲宽度，W及C是电容器1407的电容。相反，当RI为低时，开关1401导 通并且开关1402关断。每个时钟脉冲使电流源1403W固定量的电荷Q=I*Ton将电容器1407 放电并且使化ef A下降了电压Δ V = Q/C。通过控制时钟脉冲的频率，可W生成呈现经整流的 正弦波的形状的化efA。
[0126] W上描述包括用于说明各种实施例的特定示例。然而，要理解的是，本文所描述的 示例和实施例仅用于说明的目的。鉴于实施例的各种修改和改变将被建议给本领域技术人 员并且要被包括在本发明的思想和范围内。
【主权项】
1. 一种用于具有TRIAC(用于交变电流的三极管）调光器的LED(发光二极管）照明系统 的电源，所述电源包括： 整流电路，所述整流电路用于通过TRIAC调光器耦接至AC输入电压，所述TRIAC调光器 的特征在于保持电流，所述整流电路具有第一输出端子和第二输出端子； 变压器，所述变压器耦接至所述整流电路的第一输出端子以接收经整流的DC输入电 压，所述变压器具有初级绕组和次级绕组； 电力开关，所述电力开关耦接至所述变压器的所述初级绕组； 控制器，所述控制器耦接至所述电力开关以用于控制所述初级绕组中的电流流动以向 LED负载提供受控的输出，所述控制器被配置成控制所述初级绕组中的电流脉冲，使得由所 述电流脉冲的峰值点形成的包络波形与所述AC输入电压同相位，从而提高所述电源的功率 因数；以及 泄放电路，所述泄放电路耦接至所述整流电路，其中，所述泄放电路被配置成将流过所 述整流电路的电流维持于等于或大于所述TRIAC的保持电流。2. 根据权利要求1所述的电源，其中，所述控制器包括： 第一输入端子，所述第一输入端子用于从所述次级绕组接收工作电力； 第二输入端子，所述第二输入端子用于感测来自所述整流电路的平均电流，以确定输 出至所述LED负载的所述受控的输出的幅度； 第三输入端子，所述第三输入端子用于感测所述经整流的DC输入电压以用于控制所述 初级绕组中的所述电流脉冲；以及 输出端子，所述输出端子用于控制所述电力开关的通断。3. 根据权利要求1所述的电源，其中，所述变压器的所述初级绕组通过二极管和电容器 親接至所述LED负载。4. 根据权利要求1所述的电源，其中，所述控制器和所述泄放电路被包括在单个集成电 路(IC)中。5. 根据权利要求1所述的电源，其中，所述泄放电路包括： 串联地耦接在所述整流电路的第一输出端子与地之间的第一电阻器和双极型晶体管， 所述双极型晶体管的基极耦接至偏置电压； 耦接在所述整流电路的所述第二输出端子与地之间的第二电阻器；以及 串联地耦接在所述整流电路的所述第二输出端子与所述双极型晶体管的基极之间的 第一二极管和第二二极管； 其中，对所述第二电阻器的电阻R进行选择，使得其中： Vd1是所述第一二极管的正向电压降， Vd2是所述第二二极管的正向电压降， Vbe是所述双极型晶体管的正向基极发射极电压，以及 Ihoid是所述TRIAC调光器的保持电流。6. 根据权利要求5所述的电源，其中：其中，R是所述第二电阻器的电阻以及Ihcad是所述TRIAC的保持电流。7. 根据权利要求5所述的电源，还包括耦接在所述第一二极管与地之间的第三二极管。8. 根据权利要求1所述的电源，其中，所述泄放电路包括： 串联地连接在所述整流电路的第一输出端子与地之间的第一电阻器和MOS晶体管，所 述MOS晶体管的栅极耦接至偏置电压； 耦接在所述MOS晶体管的栅极与所述晶体管的第二输出端子之间的第一齐纳二极管； 以及 耦接在所述整流电路的所述第二输出端子与地之间的第二电阻器； 其中，所述MOS晶体管的栅极耦接至偏置电压，并且对所述第二电阻器的电阻R进行选 择，使得其中，Vzener是所述第一齐纳二极管的齐纳电压，以及Ihoid是所述TRIAC的保持电流。9. 根据权利要求1所述的电源，其中，所述控制器被配置成生成具有与所述经整流的DC 输入电压同相位的幅度的相位参考电压；以及 所述控制器被配置成在与所述初级绕组中的电流关联的电压信号达到所述相位参考 电压时断开所述初级绕组中的电流流动。10. 根据权利要求9所述的电源，其中，所述相位参考电压包括正弦电压信号，所述正弦 电压信号的特征在于： 与所述AC输入电压的频率匹配的频率；以及 与期望输出电流成比例的幅度。11. 一种用于LED(发光二极管）照明系统的控制电路，所述LED照明系统包括：用于通过 TRIAC(用于交变电流的三极管）调光器耦接至AC输入电压的整流电路，所述TRIAC调光器的 特征在于保持电流，所述整流电路被配置成向用于向LED负载提供恒定电流的电感器提供 经整流的DC输入电压，所述控制电路包括： 控制器，所述控制器耦接至电力开关以用于控制所述电感器中的电流流动，所述控制 器被配置成控制所述电感器中的电流脉冲，使得由所述电流脉冲的峰值点形成的包络波形 与所述AC输入电压同相位；以及 泄放电路，所述泄放电路耦接至所述整流电路，其中，所述泄放电路被配置成将流过所 述整流电路的电流至少维持在所述TRIAC的保持电流的幅度。12. 根据权利要求11所述的控制电路，其中，所述控制器和所述泄放电路被包括在单个 集成电路(IC)中。13. 根据权利要求11所述的控制电路，其中，所述控制器被配置成提高所述LED照明系 统的功率因数并且减小所述泄放电路中的功率消耗。14. 根据权利要求11所述的控制电路，其中，所述控制器包括： 第一输入端子，所述第一输入端子用于从所述次级绕组接收工作电力； 第二输入端子，所述第二输入端子用于感测来自所述整流电路的平均电流以确定输出 至所述LED负载的受控的输出的幅度； 第三输入端子，所述第三输入端子用于感测所述经整流的DC输入电压以用于控制初级 绕组中的电流脉冲；以及 输出端子，所述输出端子用于控制所述电力开关的通断。15. 根据权利要求11所述的控制电路，其中，所述泄放电路包括： 串联地连接在所述整流电路的第一输出端子与地之间的第一电阻器和双极型晶体管， 所述双极型晶体管的基极被配置成接收偏置电压； 耦接在所述整流电路的第二输出端子与地之间的第二电阻器；以及 串联地耦接在所述整流电路的所述第二输出端子与所述双极型晶体管的基极之间的 第一二极管和第二二极管； 其中，对所述第二电阻器的电阻R进行选择，使得其中： Vd1是所述第一二极管的正向电压降， Vd2是所述第二二极管的正向电压降， Vbe是所述双极型晶体管的基极发射极电压，以及 Ihoid是所述TRIAC调光器的保持电流。16. -种用于降低用于LED(发光二极管）照明系统的开关式电源(SMPS)中的泄放电流 消耗的方法，所述LED照明系统包括用于通过TRIAC(用于交变电流的三极管)调光器耦接至 AC输入电压的整流电路，所述TRIAC调光器的特征在于保持电流，所述整流电路具有第一输 出端子和第二输出端子，所述整流电路被配置成向用于向LED负载供给电力的电感器提供 经整流的DC输入电压，所述方法包括： 提供控制器，所述控制器耦接至电力开关以用于控制所述电感器中的电流流动，所述 控制器被配置成根据所述经整流的DC输入电压向所述LED负载提供受控的输出电流； 提供耦接至所述整流电路的泄放电路，其中，所述泄放电路被配置成在流过所述整流 电路的电流下降至所述TRIAC的保持电流以下时提供补偿电流;以及 将所述控制器配置成控制所述电感器中的电流脉冲，使得由所述电流脉冲的峰值点形 成的包络波形与所述AC输入电压同相位，从而减小由所述泄放电路中的补偿电流引起的电 流消耗。17. 根据权利要求16所述的方法，其中，所述电感器是以反激配置的变压器中的初级绕 组。18. 根据权利要求16所述的方法，其中，所述电感器是变压器中的初级绕组，以及所述 电感器通过二极管和电容器耦接至所述LED负载。19. 根据权利要求16所述的方法，其中，所述控制器包括： 第一输入端子，所述第一输入端子用于从所述次级绕组接收工作电力； 第二输入端子，所述第二输入端子用于感测来自所述整流电路的平均电流，以确定输 出至所述LED负载的所述受控的输出的幅度； 第三输入端子，所述第三输入端子用于感测所述整流的DC输入电压以用于控制初级绕 组中的电流脉冲；以及 输出端子，所述输出端子用于控制所述电力开关的通断。20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述泄放电路包括： 串联地耦接在所述整流电路的第一输出端子与地之间的第一电阻器和双极型晶体管， 所述双极型晶体管的基极被配置成接收偏置电压； 耦接在所述整流电路的所述第二输出端子与地之间的第二电阻器；以及 串联连接在所述整流电路的所述第二输出端子与所述双极型晶体管的基极之间的第 一二极管和第二二极管； 其中，对所述第二电阻器的电阻R进行选择，使得其中： Vd1是所述第一二极管的正向电压降， Vd2是所述第二二极管的正向电压降， Vbe是所述双极型晶体管的正向基极发射极电压，以及 Ihoid是所述TRIAC调光器的保持电流。
【专利摘要】在开关式电源(SMPS)中设置了泄放电路(127)，该泄放电路(127)在回路电流下降至TRIAC的保持电流以下时提供补偿电流以减轻光闪烁问题。此外，在本发明的实施例中还提供了能够使输出电流与输入电压同相位的自动功率因数校正。功率因数校正不仅提高了电源的效率，还可以减小补偿电流和补偿电流流动的持续时间，从而降低泄放电路(127)中的功耗。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN105493633
【申请号】CN201380077370
【发明人】胡志敏, 任雪刚
【申请人】上海新进半导体制造有限公司, Bcd半导体制造有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2013年5月10日
【公告号】WO2014179994A1