线路板选择性沉金方法

文档序号:9755801阅读:821来源:国知局
线路板选择性沉金方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及线路板制作技术领域,特别是设及一种线路板选择性沉金方法。
【背景技术】
[0002] 线路板,如IC载板等,在其制作工序的选择性沉金过程中,常规流程为"贴干膜-曝 光-显影-沉儀金-退膜"或"真空压膜-曝光-显影-沉儀金-退膜",但是,由于沉金过程中,金 缸溫度高达80-85摄氏度,常规工艺存在明显的缺陷,如使用普通的贴干膜方式,容易出现 在沉金过程中干膜起泡导致渗金或渗儀,导致其它铜面锻金的问题;而采用真空压膜的方 式,又容易出现大面积退膜不净的问题。

【发明内容】

[0003] 基于此,有必要针对上述问题,提供一种线路板选择性沉金方法,采用该方法,IC 载板在沉金过程中,不会因为高溫起泡导致渗金、渗儀的问题。
[0004] -种线路板选择性沉金方法,包括W下工序:干膜、曝光、显影、UV固化、沉儀金、退 膜工序,其中:
[000引所述UV固化工序中,将显影后的线路板WUV光照射固化,增强线路板贴附面与干 膜之间的结合力。
[0006] 上述线路板选择性沉金方法,在干膜显影后增加了UV固化,通过UV光的作用,既可 W将干膜内残留的有机溶剂挥发,又可W使得干膜与线路板贴附面(如阻焊)的结合力提 高,进而避免在后续的沉儀金过程中,由于高溫起泡而导致的渗金、渗儀问题。
[0007] 在其中一个实施例中,所述UV固化工序中,UV光源的能量为Q,过板速度为V,则Q ^ V的值为800-1700,其中,Q的单位为mj,V的单位为m/min。干膜与贴附面之间的结合力是整 个工艺方法的关键,如结合力过大,则在后序退膜工序中出现退膜不净的问题,但如结合力 过小,又会在后序沉儀金工序中出现渗儀、渗金的问题。因此,在UV固化工序中,需要严格 控制UV光的能量,由于干膜接受的UV能量与UV光源的能量和过板速度有关,UV光源的能量 越高,过板速度越慢,则干膜所接收的能量越大。将Q^V的值限定在800-1700,既能降低渗 儀、渗金的比例,又不至于出现大面积退膜不净的问题。
[0008] 在其中一个实施例中,所述UV光源的能量为1200m j,所述过板速度为0.70-1.5m/ min。由于能量和速度的关系式为:Q1XV1 = Q2XV2(Q:UV能量;V:过板速度),可W方便的通 过调节过板速度来调节干膜所接收的能量大小。
[0009] 在其中一个实施例中,所述UV固化工序中,Q今V的值为1200-1400。将Q今V的值限 定在上述范围内,具有最佳的固化效果,既能防止渗儀、渗金,又能避免退膜不净的问题。
[0010] 在其中一个实施例中,所述UV光源的能量为1200mj,所述过板速度为0.85-lm/ min。采用该工艺参数,既有最佳的固化效果,又有方便操作的优点。
[00川在其中一个实施例中,所述干膜工序中,将干膜在110±5°C、0.45±0.0IMPa压力 的条件下贴敷于线路板上。将干膜W上述条件进行贴干膜工序,具有较好的效果。
[0012] 在其中一个实施例中,所述干膜工序中,所述干膜的厚度为25-75皿。当干膜厚度 在上述范围内,具有较好的UV固化效果。
[0013] 在其中一个实施例中,所述干膜的厚度为50WI1。干膜厚度在上述范围内,具有最佳 的UV固化效果。
[0014] 与现有技术相比,本发明具有W下有益效果:
[0015] 本发明的一种线路板选择性沉金方法,在干膜显影后增加了 UV固化,通过UV光的 作用,既可W将干膜内残留的有机溶剂挥发,又可W使得干膜与线路板贴附面(如阻焊)的 结合力提高,进而避免在后续的沉儀金过程中,由于高溫起泡而导致的渗金、渗儀问题。
[0016] 并且,该方法还通过严格控制干膜所接受的UV能量大小,可将出现退膜不净或渗 金的比例降低至5% W下。
【附图说明】
[0017]图1为实施例1中显影工序不意图;
[001引图2为实施例1中UV固化工序示意图;
[0019] 图3为实施例1中沉金工序示意图。
[0020] 其中:1.忍板;2.铜层;3.干膜;4.金层。
【具体实施方式】
[0021] 为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中 给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可W W许多不同的形式来实现,并不限于本文所 描述的实施例。相反地,提供运些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻 全面。
[0022] 除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的 技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具 体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。
[0023] 实施例1
[0024] -种线路板选择性沉金方法,包括W下工序:
[002引一、干膜
[0026] 选取厚度为50um的干膜,在110±5°(3、0.45±0.0謹化压力的条件下将该干膜贴于 线路板的阻焊面上。
[0027]二、曝光
[0028]按照常规方法,Wuv进行曝光,曝光能量为7-9级(90mj)。
[0029] 立、显影
[0030] 按照常规方法,W2.55m/min的速度进行显影,显影后线路板如图1所示。
[0031 ] 四、UV固化
[0032] 设定UV光源的能量为1200mj,过板速度为0.85m/min,进行UV固化,如图2所示。
[0033] 五、沉金
[0034] 按照常规方法,W下述工艺参数进行沉金沉儀处理,如图3所示。
[00巧]表1.沉金、沉儀工艺条件
[0037] 六、退膜
[0038] 按照常规方法,W下述工艺参数进行退膜处理。
[0039] 表2.退膜工艺条件
[0041 ] 实施例2
[0042] -种线路板选择性沉金方法,与实施例1的方法基本相同,不同之处在于:
[0043] 第四步的UV固化工艺中,设定UV光源的能量为1200mj,过板速度为Im/min,进行UV 固化。
[0044] 实施例3
[004引一种线路板选择性沉金方法,与实施例1的方法基本相同,不同之处在于:
[0046] 第四步的UV固化工艺中,设定UV光源的能量为1200mj,过板速度为0.7m/min,进行 UV固化。
[0047] 实施例4
[0048] -种线路板选择性沉金方法,与实施例1的方法基本相同,不同之处在于:
[0049] 第四步的UV固化工艺中,设定UV光源的能量为1200mj,过板速度为1.5m/min,进行 UV固化。
[0050] 对比例1
[0051] 一种线路板选择性沉金方法,为常规选择性沉金方法,包括:贴干膜-曝光-显影-沉儀金-退膜工序。
[0052] 该对比例的沉金方法与实施例1的方法相比,省略了第四步的UV固化工序,其它工 序参数条件与实施例1相同。
[0053] 对比例2
[0054] -种线路板选择性沉金方法,为常规选择性沉金方法,包括:真空压膜-曝光-显 影-沉儀金-退膜工序。
[0055] 该对比例的沉金方法与实施例1的方法相比,除第一步的真空压膜工序与实施例1 不同,并省略了实施例1方法第四步的UV固化工序外,其它工艺参数条件与实施例1相同。
[0056] 所述真空压膜工序的条件如下表所示。
[0057] 表3.真空压膜工艺条件
[005引
[0059] 实验例
[0060] 按照上述实施例和对比例的方法进行选择性沉金,每种方法选用16板进行试验, 考察出现渗金或退膜不净的比例,结果如下表所示。
[0061 ]表4.不同方法出现问题线路板的情况(% )
[0064]从上述结果中可W看出,对比例1的方法,由于采用的是普通贴干膜工艺,在后序 的沉儀金工序中,由于金缸溫度较高,干膜起泡出现了严重的渗金现象。对比例2的方法,由 于采用的是真空压膜,致使干膜与贴附面之间的结合力较强,后序出现了严重的退膜不净 现象。
[006引而实施例1-4的方法,采用了 UV固化技术,并严格控制了干膜所接受的UV能量,其 渗金比例和退膜不净比例均较低,特别是其中的实施例1-2,采用了最佳的工艺条件,具有 最低的渗金比例,W及最低的退膜不净比例。
[0066] W上所述实施例的各技术特征可W进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实 施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要运些技术特征的组合不存 在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0067] W上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并 不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来 说,在不脱离本发明构思的前提下,还可W做出若干变形和改进,运些都属于本发明的保护 范围。因此,本发明专利的保护范围应W所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种线路板选择性沉金方法,其特征在于,包括以下工序:干膜、曝光、显影、UV固化、 沉镍金、退膜工序,其中: 所述UV固化工序中,将显影后的线路板以UV光照射固化,增强线路板贴附面与干膜之 间的结合力。2. 根据权利要求1所述的线路板选择性沉金方法,其特征在于,所述UV固化工序中,UV 光源的能量为Q,过板速度为V,则Q + V的值为800-1700,其中,Q的单位为mj,V的单位为m/ min〇3. 根据权利要求2所述的线路板选择性沉金方法,其特征在于,所述UV光源的能量为 1200mj,所述过板速度为0.70-1.5m/min。4. 根据权利要求2所述的线路板选择性沉金方法,其特征在于,所述UV固化工序中,Q + V 的值为 1200-1400。5. 根据权利要求4所述的线路板选择性沉金方法,其特征在于,所述UV光源的能量为 1200mj,所述过板速度为0.85-lm/min。6. 根据权利要求1所述的线路板选择性沉金方法,其特征在于,所述干膜工序中,将干 膜在110±5°C、0.45±0.01MPa压力的条件下贴敷于线路板上。7. 根据权利要求1-6任一项所述的线路板选择性沉金方法,其特征在于,所述干膜工序 中,所述干膜的厚度为25-75μπι。8. 根据权利要求7所述的线路板选择性沉金方法,其特征在于,所述干膜的厚度为50μ m〇
【专利摘要】本发明涉及一种线路板选择性沉金方法,属于线路板制作技术领域。该方法包括以下工序:干膜、曝光、显影、UV固化、沉镍金、退膜工序,其中:所述UV固化工序中,将显影后的线路板以UV光照射固化,增强线路板贴附面与干膜之间的结合力。该方法在干膜显影后增加了UV固化,通过UV光的作用,既可以将干膜内残留的有机溶剂挥发,又可以使得干膜与线路板贴附面的结合力提高,进而避免在后续的沉镍金过程中,由于高温起泡而导致的渗金、渗镍问题。
【IPC分类】H05K3/18
【公开号】CN105517362
【申请号】CN201510830655
【发明人】廖凯, 李志东, 谢添华
【申请人】广州兴森快捷电路科技有限公司, 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司, 宜兴硅谷电子科技有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年11月24日
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