电子装置的制造方法

文档序号:9924409阅读:318来源:国知局
电子装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种电子装置。
【背景技术】
[0002]随着科技的进步及互联网的发展,人们对电子产品的需求也变得越来越高,而每天使用电子产品的时间也越来越长。其中,笔记本电脑是人们每天会长时间使用的电子产品之一O
[0003]当笔记本电脑运作时,其中部分的电子组件会成为热源,并会产生较高的热量。虽然笔记本电脑通常都设计有通风系统以降低笔记本电脑中的温度,但是成为热源的电子组件还是会以热辐射的方式把热量传送至笔记本电脑的壳体表面。在某些情况下,受热的壳体表面可能只集中于一个小范围。
[0004]传统上,业界一般会采用高热传导性的石墨片或金属片如铜箔或铝箔,以把位于小范围的热能迅速导向四周,以降低热源相对应的高温。然而,由于热传导路径是由热源传向面向热源的金属片或石墨片中心,因此金属片或石墨片中心相对于四周温度仍然较高。若使用者长期碰触这个受热的小范围,容易导致使用者的不适,甚至会对使用者带来伤害。

【发明内容】

[0005]本发明一在于提供一种电子装置,其能使对应发热组件的壳部的温度,得以有效降低。
[0006]根据本发明的一实施方式,一种电子装置包含壳体、发热组件与阻热模块。壳体包含壳部。发热组件位于壳体内。阻热模块阻隔于壳部与发热组件之间。阻热模块包含第一导热板、第二导热板与第三导热板。第二导热板阻隔于第一导热板与壳部之间。第三导热板连接第一导热板的一边缘与第二导热板的一边缘。
[0007]在本发明一或多个实施方式中,上述的第一导热板与发热组件之间分隔一距离。
[0008]在本发明一或多个实施方式中,上述的第一导热板具有第一反射面。此第一反射面位于第一导热板朝向发热组件的一侧。
[0009]在本发明一或多个实施方式中,上述的第一导热板抵接发热组件,第二导热板与壳部之间分隔一距离。
[0010]在本发明一或多个实施方式中,上述的阻热模块还包含多个凸出结构。前述凸出结构位于第二导热板朝向壳部的一侧。
[0011]在本发明一或多个实施方式中,上述的第一导热板、第二导热板与第三导热板之间定义腔室。此腔室呈真空状态。
[0012]在本发明一或多个实施方式中,上述的第一导热板的热传导系数(ThermalConductivity)大于第二导热板与第三导热板中至少一者的热传导系数。
[0013]在本发明一或多个实施方式中,上述的第一导热板、第二导热板与第三导热板之间定义腔室,阻热模块还包含至少一内隔板。此内隔板于前述腔室中依序排列于第一导热板与第二导热板之间。
[0014]在本发明一或多个实施方式中,上述的内隔板具有第二反射面。第二反射面分别位于内隔板朝向发热组件的一侧。
[0015]在本发明一或多个实施方式中,上述的电子装置还包含散热片。此散热片抵接发热组件面向阻热模块的一侧,散热片面向阻热模块的表面面积,大于发热组件抵接散热片的接触面积。
[0016]本发明上述实施方式与已知先前技术相较,至少具有以下优点:
[0017](I)由于第一导热板具有高热传导系数,当第一导热板与发热组件之间分隔一距离时,第一导热板能快速均摊辐射至其表面的热能,避免热能集中局部区域生成热点(hotspot),藉此有助提升阻热模块的阻热效果。申言之,可在维持使用舒适度的情况下,将热能均匀传导至壳体,进而热交换至外界。
[0018](2)当第一导热板与发热组件之间分隔一距离时,位于第一导热板朝向发热组件的一侧的第一反射面,能使更高比例的热能被反射掉而不会传递至第一导热板,藉此有助提升阻热模块的阻热效果。
[0019](3)当发热组件所发出的热能较高时,第一导热板抵接发热组件,而第二导热板与壳部之间分隔一距离,因此,发热组件所发出的热能能够直接以热传导的方式传递至第一导热板,以提升发热组件与第一导热板之间热传导的效率。
[0020](4)由于热能是从第二导热板的边缘传导至第二导热板的中心,因此,第二导热板中心的温度将低于第二导热板边缘的温度,使得壳部对应第二导热板中心位置的部分的温度,能够得以有效降低。
【附图说明】
[0021]图1绘示依照本发明一实施方式的电子装置的剖面图。
[0022]图2绘示依照本发明另一实施方式的电子装置的剖面图。
[0023]图3绘示依照本发明再一实施方式的电子装置的剖面图。
[0024]图4绘示依照本发明又一实施方式的电子装置的剖面图。
[0025]图5绘示依照本发明另一实施方式的电子装置的剖面图。
[0026]图6绘示依照本发明再一实施方式的电子装置的剖面图。
[0027]图7绘示依照本发明又一实施方式的电子装置的剖面图。
[0028]图8绘示依照本发明另一实施方式的电子装置的剖面图。
[0029]图9绘示依照本发明再一实施方式的电子装置的剖面图。
[0030]图10绘示依照本发明又一实施方式的电子装置的剖面图。
[0031]组件标号说明:
[0032]100电子装置
[0033]110壳体
[0034]111壳部
[0035]120发热组件
[0036]130阻热模块
[0037]131第一导热板
[0038]131a第一反射面
[0039]132第二导热板
[0040]133第三导热板
[0041]134凸出结构
[0042]135隔热材料
[0043]136内隔板
[0044]136a第二反射面
[0045]137中空结构
[0046]140散热片
[0047]150电磁干扰屏蔽结构
[0048]200电路板
[0049]C腔室
【具体实施方式】
[0050]以下将以图式揭露本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实施上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实施上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实施上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式绘示。
[0051]除非另有定义,本文所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有其通常的含义,其含义能够被熟悉此领域者所理解。更进一步的说,上述的术语在普遍常用的字典中的定义,在本说明书的内容中应被解读为与本发明相关领域一致的含义。除非有特别明确定义,这些术语将不被解释为理想化的或过于正式的含义。
[0052]请参照图1,其为绘示依照本发明一实施方式的电子装置100的剖面图。如图1所示,一种电子装置100包含壳体110、发热组件120与阻热模块130。壳体110包含壳部111。发热组件120位于壳体110内,在本实施方式中,发热组件120连接位于壳体110中的电路板200。阻热模块130位于壳部111与发热组件120之间。阻热模块130包含第一导热板131、第二导热板132与第三导热板133。第一导热板131阻隔于发热组件120与第二导热板132之间。第二导热板132阻隔于第一导热板131与壳部111之间。第三导热板133连接第一导热板131的边缘与第二导热板132的边缘。
[0053]再者,在本实施方式中,第一导热板131与发热组件120之间分隔一距离,而第二导热板132抵接壳部111。换句话说,当电子装置100运作并且发热组件120发热时,发热组件120向壳部111以热辐射的方式所发出的热能,将被阻热模块130阻隔。并且,热能是以热辐射的方式传递至阻热模块130的第一导热板131上,使得第一导热板131的温度上升。接着,传递至第一导热板131的热能,将通过连接第一导热板131的第三导热板133而传导至第二导热板132,并使第二导热板132的温度上升。经过以上阻热模块130的热传导,第二导热板132的温度将相对第一导热板131的温度低。除此之外,由于第三导热板133连接第二导热板132的边缘,热能是从第二导热板132的边缘传导至第二导热板132的中心,因此,第二导热板132中心的温度将进一步低于第二导热板132边缘的温度,而从第二导热板132中心传导至壳部111的热能,也因而明显低于直接从发热组件120以热辐射的方式所发出的热能,使得壳部111的温度,特别是对应第二导热板132中心位置的部分,能够得以有效降低。
[0054]在实务的应用中,第一导热板131与第二导热板132皆为高热传导性材料,其热传导系数(Thermal Conductivity)可高于10W/mK。举例而言,第一导热板131与第二导热板132的材料可为石墨、石墨烯或金属如铜或铝等,但本发明并不以此为限。
[0055]为了使从发热组件120以热辐射的方式传递至第一导热板131上的热能得以减少,第一导热板131具有第一反射面131a。第一反射面131a位于第一导热板131朝向发热组件120的一侧,用以降低第一导热板131的热辐射系数。具体而言,当从发热组件120以热辐射的方式发出的热能抵达第一反射面131a时,将有更高比例的热能被第一反射面131a反射掉而不会传递至第一导热板131,藉此有助提升阻热模块130的阻热效果。
[0056]在实务的应用中,第一反射面131a可利用于第一导热板131朝向发热组件120的一侧贴覆铜箔或铝箔,或是以电镀或抛光等表面处理的方式而形成。应了解到,以上第一反射面131a形成的方式仅为例示,并非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,应视实际需要,适当选择第一反射面131a形成的方式。
[0057]另一方面,第一导热板131、第二导热板132与第三导热板133之间定义腔室C。在实务的应用中,腔室C中可以是空气,或者,为了降低腔室C的导热性,腔室C更可呈真空状态,使热能无法以热对流或热传导的方式从第一导热板131传递至第二导热板132,从而逼使热能如上所述以热传导的方式由第一导热板131,先经过第三导热板133,继而抵达第二导热板132。在一实施例中,腔室C的真空度为0.05-0.1托(Torr),但本发明不以此为限。在另一实施例中,腔室C的真空度为0.01-0.1Torr,但本发明不以此为限。
[0058]请参照图2,其
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