一种rs触发器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及触发器技术，尤其设及到RS触发器。
【背景技术】
[0002] 在集成电路设计中，面积直接关系到成本的高低，设计的管子少就会使得面积减 小，成本降低。
【发明内容】
[0003] 本实用新型旨在提供一种管子数目少易于设计的RS触发器。
[0004] 一种RS触发器，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一反相器和第二 反相器：
[0005] 所述第一PMOS管的栅极接S端，源极接电源VCC，漏极接所述第一NMOS管的漏极 和所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端；
[0006] 所述第一NMOS管的栅极接S端，源极接所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端；
[0007] 所述第二NMOS管的栅极接R端，源极接地，漏极接所述第一NMOS管的源极；
[000引所述第一反相器的输入端接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和 所述第二反相器的输出端，输出端接所述第二反相器的输入端；
[0009] 所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端，输出端接所述第一PMOS 管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端；
[0010] 所述第一反相器的输出端作为RS触发器的Q端，所述第二反相器的输出端作为RS 触发器的0端；
[0011] 所述第一反相器和所述第二反相器构成存储单元。
[0012] 本实用新型的RS触发器的真值表：当R= 0，S= 0时，Q= 0，g=1;当R= 0，S= 1 时，Q不变，0不变；当R= 1，S= 0 时，Q= 〇，0=1;当R= 1，S= 1 时，Q= 1，0=〇。
【附图说明】
[0013] 图1为本实用新型的RS触发器的电路图。
[0014] 图2为本实用新型的RS触发器的真值表。
【具体实施方式】
[0015]W下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0016] 一种RS触发器，如图1所示，包括第一PMOS管101、第一NMOS管102、第一NMOS 管103、第一反相器104和第二反相器105;
[0017] 所述第一PMOS管101的栅极接S端，源极接电源VCC，漏极接所述第一NMOS管102 的漏极和所述第一反相器104的输入端和所述第二反相器105的输出端；
[001引所述第一NMOS管102的栅极接S端，源极接所述第二NMOS管103的漏极，漏极接 所述第一PM0S管101的漏极和所述第一反相器104的输入端和所述第二反相器105的输 出端；
[0019] 所述第二NMOS管103的栅极接R端，源极接地，漏极接所述第一NMOS管102的源 极；
[0020] 所述第一反相器104的输入端接所述第一PM0S管101的漏极和所述第一NMOS管 102的漏极和所述第二反相器105的输出端，输出端接所述第二反相器105的输入端；
[0021] 所述第二反相器105的输入端接所述第一反相器104的输出端，输出端接所述第 一 PM0S管101的漏极和所述第一NMOS管102的漏极和所述第一反相器104的输入端；
[0022] 所述第一反相器104的输出端作为RS触发器的Q端，所述第二反相器105的输出 端作为RS触发器的e端；
[0023] 所述第一反相器104和所述第二反相器105构成存储单元。
[0024] 如表1所示，为本实用新型的RS触发器的真值表；当R=0，S=0时，Q=0,每二1; 当R=0，S=1时，Q不变，0不变；当R = 1，S=0时，Q=〇，0=l;当R = 1，S=1时，Q 二1,0 二0。
[0025] 传统的RS触发器是由两个与非口或者两个或非口组成，由八个管子组成；该RS触 发器电路的特点是电路简单，易于设计，所用管子数量比传统RS的管子少一个，占用的面 积小。
【主权项】
1. 一种RS触发器，其特征在于，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一反 相器和第二反相器： 所述第一PMOS管的栅极接S端，源极接电源VCC，漏极接所述第一NMOS管的漏极和所 述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端； 所述第一NMOS管的栅极接S端，源极接所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端； 所述第二NMOS管的栅极接R端，源极接地，漏极接所述第一NMOS管的源极； 所述第一反相器的输入端接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述 第二反相器的输出端，输出端接所述第二反相器的输入端； 所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端，输出端接所述第一PMOS管的 漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端。
【专利摘要】本实用新型公开了一种RS触发器。RS触发器包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一反相器和第二反相器。利用本实用新型提供的RS触发器能够实现管子数目少易于设计所占的面积少。
【IPC分类】H03K3-02
【公开号】CN204465482
【申请号】CN201520211371
【发明人】沈孙园
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年4月9日