元包括第九电阻R9、第十电阻R10和第三三极管T3 ;所述光耦驱动单元包括光耦隔离驱动芯片U1 ;所述退饱和过流检测单元包括第三电阻R3、第一二极管D1和第二二极管D2 ;所述驱动功率放大单元包括第六电阻R6、第七电阻R7、第一 M0S管Q1和第二 M0S管Q2 ;所述消除故障误报单元包括第一电容C1、第二电阻R2和第三M0S管T1 ;所述门极电阻及驱动输出单元包括第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14和第四M0S管T4，其中，
[0035]第四电阻的一端接PWM信号端，另一端接第二三极管的基极，第二三极管的发射极接地，第二三极管的集电极接第一电阻，并与光耦隔离驱动芯片的两个CATHODE端连接；第一电阻的另一端接5V电源；第五电阻的一端接5V电源，另一端接光耦隔离驱动芯片的ANODE 端；
[0036]第十电阻的一端接故障信号端，另一端接第三三极管的集电极；第九电阻的一端接5V电源，另一端接第三三极管的集电极；第三三极管的发射极接地，基极接光耦隔离驱动芯片的FAULT端；
[0037]光耦隔离驱动芯片的两个接地端接地，光耦隔离驱动芯片的电压端接5V电源；
[0038]第二二极管的阴极接IGBT的集电极，阳极接第一二极管的阴极，第一二极管的阳极接第三电阻，第三电阻的另一端接光耦隔离驱动芯片的DESAT端；
[0039]第六电阻的一端接光耦隔离驱动芯片的第一输出端，另一端接第一 M0S管的栅极，第一 M0S管的源极接15V电源，漏极接第十一电阻；第七电阻的一端接光耦隔离驱动芯片的第二输出端，另一端接第二 M0S管的栅极，第二 M0S管的源极接第十二电阻，漏极接-10V电源；
[0040]第一电容的一端接光耦隔离驱动芯片的DESAT端，另一端接地；第二电阻的一端接光耦隔离驱动芯片的DESAT端，另一端接第三M0S管的漏极，第三M0S管的源极接地，栅极接第一 M0S管的栅极；
[0041]第十一电阻和第十二电阻的另一端均接IGBT的门极；第十三电阻的一端接IGBT的门极，另一端接第四M0S管的漏极，第四M0S管的栅极接光耦隔离驱动芯片的VGM0S端，源极接-10V电源；第十四电阻的一端接IGBT的门极，另一端接地同时接IGBT的发射极。
[0042]以上，仅为本实用新型的较佳实施例，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括PWM信号输入单元、故障反馈信号输出单元、光耦驱动单元、退饱和过流检测单元、驱动功率放大单元、消除故障误报单元和门极电阻及驱动输出单元，其中； PWM信号输入单元，用于向光耦驱动单元发出能控制IGBT开闭的PWM信号； 退饱和过流检测单元，用于采集IGBT的集电极电压信号，并将采集到的电压信号发送给光親驱动单元； 光耦驱动单元，用于接收退饱和过流检测单元发来的电压信号并做出判断结果，根据判断结果向驱动功率放大单元发出控制指令； 当判断结果为退饱或过流状态时，光耦驱动单元封锁PWM信号； 当判断结果为正常状态时，光耦驱动单元向驱动功率放大单元发出PWM信号并向驱动功率放大单元发出信号放大指令；同时向故障反馈信号输出单元发出故障确认信号； 驱动功率放大单元，接收信号放大指令并对PWM信号做出放大处理后向门极电阻及驱动输出单兀发出； 门极电阻及驱动输出单元，采集IGBT的门极和发射极的电压信号，并与放大处理后的PWM信号进行比较得到比较结果，根据比较结果控制IGBT开闭速度； 故障反馈信号输出单元，获得故障确认信号并输出。2.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述PWM信号输入单元包括第一电阻R1、第四电阻R4、第五电阻R5和第二三极管T2 ;所述故障反馈信号输出单元包括第九电阻、第十电阻和第三三极管；所述光耦驱动单元包括光耦隔离驱动芯片；所述退饱和过流检测单元包括第三电阻、第一二极管和第二二极管；所述驱动功率放大单元包括第六电阻、第七电阻、第一MOS管和第二MOS管；所述消除故障误报单元包括第一电容、第二电阻和第三MOS管；所述门极电阻及驱动输出单元包括第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻和第四MOS管，其中， 第四电阻的一端接PWM信号端，另一端接第二三极管的基极，第二三极管的发射极接地，第二三极管的集电极接第一电阻，并与光耦隔离驱动芯片的两个CATHODE端连接；第一电阻的另一端接5V电源；第五电阻的一端接5V电源，另一端接光耦隔离驱动芯片的ANODE端； 第十电阻的一端接故障信号端，另一端接第三三极管的集电极；第九电阻的一端接5V电源，另一端接第三三极管的集电极；第三三极管的发射极接地，基极接光耦隔离驱动芯片的FAULT端； 光耦隔离驱动芯片的两个接地端接地，光耦隔离驱动芯片的电压端接5V电源； 第二二极管的阴极接IGBT的集电极，阳极接第一二极管的阴极，第一二极管的阳极接第三电阻，第三电阻的另一端接光耦隔离驱动芯片的DESAT端； 第六电阻的一端接光耦隔离驱动芯片的第一输出端，另一端接第一 M0S管的栅极，第一 M0S管的源极接15V电源，漏极接第十一电阻；第七电阻的一端接光耦隔离驱动芯片的第二输出端，另一端接第二 M0S管的栅极，第二 M0S管的源极接第十二电阻，漏极接-10V电源； 第一电容的一端接光耦隔离驱动芯片的DESAT端，另一端接地；第二电阻的一端接光耦隔离驱动芯片的DESAT端，另一端接第三M0S管的漏极，第三M0S管的源极接地，栅极接第一 MOS管的栅极； 第i^一电阻和第十二电阻的另一端均接IGBT的门极；第十三电阻的一端接IGBT的门极，另一端接第四M0S管的漏极，第四M0S管的栅极接光耦隔离驱动芯片的VGM0S端，源极接-10V电源；第十四电阻的一端接IGBT的门极，另一端接地同时接IGBT的发射极。
【专利摘要】本实用新型公开一种IGBT驱动电路，包括PWM信号输入单元、故障反馈信号输出单元、光耦驱动单元、退饱和过流检测单元、驱动功率放大单元、消除故障误报单元和门极电阻及驱动输出单元。本实用新型电路结构简单，所需电子元器件较少，体积较小，成本较低；电路中的二极管D1、二极管D2、电阻R3和光耦隔离驱动芯片U1组成的电路，带IGBT退饱和短路保护功能，能够防止IGBT短路早上的损坏，保护功能强大；光耦隔离驱动芯片U1带欠压保护功能，当+15V电源和-10V电源电压过低的时候能够封锁PWM，保证IGBT开通和关断正常。
【IPC分类】H03K17/567, H03K17/08
【公开号】CN204993289
【申请号】CN201520512595
【发明人】仝超
【申请人】艾恩格电气（北京）有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月16日