一种电力igbt驱动保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种电力IGBT驱动保护电路，包括二极管D1、电容C1、三极管V1、三极管V2、电阻R1和IGBT管，所述二极管D1正极分别连接电源VCC、电阻R3和电容C2，二极管D1负极分别连接电阻R1、三极管V1发射极和电阻R2，电阻R1另一端分别连接三极管V1基极、二极管D4负极和二极管D5负极，二极管D5正极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接二极管D2正极、电容C1、二极管D6负极和电阻R3另一端，二极管D2负极连接IGBT管的D极。本实用新型电力IGBT驱动保护电路没有使用任何芯片元件，而是采用三极管配合阻容元件控制，能有效提高IGBT管的关断速度，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广。
【专利说明】
一种电力IGBT驱动保护电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种保护电路，具体是一种电力IGBT驱动保护电路。
【背景技术】
[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘棚.双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
[0003]根据不同的功能要求，可以选取不同的驱动电路，在有些重要的大电流或者是昂贵的电子设备中，我们可以选取专门的IGBT驱动及保护芯片，可靠性很高，但是在一些低成本而又需要快速对IGBT进行关断控制的领域，如家用电器中，这些驱动模块就变的不太实用。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种电力IGBT驱动保护电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0006]一种电力IGBT驱动保护电路，包括二极管Dl、电容Cl、三极管V1、三极管V2、电阻Rl和IGBT管，所述二极管Dl正极分别连接电源VCC、电阻R3和电容C2，二极管Dl负极分别连接电阻R1、三极管Vl发射极和电阻R2，电阻Rl另一端分别连接三极管Vl基极、二极管D4负极和二极管D5负极，二极管D5正极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接二极管D2正极、电容Cl、二极管D6负极和电阻R3另一端，二极管D2负极连接IGBT管的D极，所述三极管Vl集电极分别连接二极管D4正极和电阻R5，电阻R5另一端分别连接二极管D3正极、电阻R6和三极管V2基极，三极管V2发射极分别连接二极管D3负极和IGBT管的G极，三极管V2集电极连接电容C3，电容C3另一端分别连接电容C2另一端、电阻R2另一端、二极管D6正极、电容Cl另一端、电阻R6另一端和IGBT管的S极。
[0007]作为本实用新型再进一步的方案:所述二极管D5为稳压二极管。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型电力IGBT驱动保护电路没有使用任何芯片元件，而是采用三极管配合阻容元件控制，能有效提高IGBT管的关断速度，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广。
【附图说明】
[0009 ]图1为电力IGBT驱动保护电路的电路图。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0011]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种电力IGBT驱动保护电路，包括二极管Dl、电容Cl、三极管Vl、三极管V2、电阻Rl和IGBT管，所述二极管Dl正极分别连接电源VCC、电阻R3和电容C2，二极管DI负极分别连接电阻Rl、三极管Vl发射极和电阻R2，电阻Rl另一端分别连接三极管Vl基极、二极管D4负极和二极管D5负极，二极管D5正极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接二极管D2正极、电容Cl、二极管D6负极和电阻R3另一端，二极管D2负极连接IGBT管的D极，所述三极管Vl集电极分别连接二极管D4正极和电阻R5，电阻R5另一端分别连接二极管D3正极、电阻R6和三极管V2基极，三极管V2发射极分别连接二极管D3负极和IGBT管的G极，三极管V2集电极连接电容C3，电容C3另一端分别连接电容C2另一端、电阻R2另一端、二极管D6正极、电容Cl另一端、电阻R6另一端和IGBT管的S极;所述二极管D5为稳压二极管。
[0012]本实用新型的工作原理是:请参阅图1，D4用于Vl的抗过渡饱和，减少Cl电荷存储时间提高IGBT的关断速度，电容Cl在开通瞬间两端电压不能突变，电源VCC电压高于D5稳压值使Vl基极偏置而导通，经R5与D3对IGBT管驱动导通后，IGBT管的漏极处与低电平，D2导通钳位，Vl的偏置回路维持导通，电容Cl始终处于低电平，当发生过流时，D5低于稳压值将失去导通回路，Vl将截止，Rl和Cl形成积分延时，Cl可通过R3在负半周的负电位而更加可靠的开通Vl，从而可靠的通过V2驱动IGBT管。
[0013]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0014]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种电力IGBT驱动保护电路，包括二极管Dl、电容Cl、三极管V1、三极管V2、电阻Rl和IGBT管，其特征在于，所述二极管Dl正极分别连接电源VCC、电阻R3和电容C2，二极管Dl负极分别连接电阻R1、三极管Vl发射极和电阻R2，电阻Rl另一端分别连接三极管Vl基极、二极管D4负极和二极管D5负极，二极管D5正极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接二极管D2正极、电容Cl、二极管D6负极和电阻R3另一端，二极管D2负极连接IGBT管的D极，所述三极管Vl集电极分别连接二极管D4正极和电阻R5，电阻R5另一端分别连接二极管D3正极、电阻R6和三极管V2基极，三极管V2发射极分别连接二极管D3负极和IGBT管的G极，三极管V2集电极连接电容C3，电容C3另一端分别连接电容C2另一端、电阻R2另一端、二极管D6正极、电容Cl另一端、电阻R6另一端和IGBT管的S极。2.根据权利要求1所述的电力IGBT驱动保护电路，其特征在于，所述二极管D5为稳压二极管。
【文档编号】H03K17/08GK205490461SQ201620114205
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月4日
【发明人】谢海波
【申请人】长沙民政职业技术学院