抗射频干扰电容式麦克风的制作方法

文档序号:7977371阅读:460来源:国知局
专利名称:抗射频干扰电容式麦克风的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种声电转换装置,即一种麦克风。
背景技术
目前,我们有线通讯用的电容式麦克风是由一个声电信号转换部分与一个结型场效应晶体管组成的,如图1所示,在有线传输中可以有效的接收声信号并转换为电信号进行传输。随着移动通信工业的迅速发展,大量的电容式麦克风应用到移动通讯终端产品中。一般而言,移动通讯终端的发射部分发射具有mW(毫瓦)单位与W(瓦)单位之间的瞬时大功率射频(RF)信号。通过电容式麦克风与外部语音信号处理电路之间的线路,将RF(射频)信号施加给作为前置放大器的结型场效应晶体管。当施加给结型场效应晶体管的射频信号的强度超过预定的水平时,结型场效应晶体管非线性地工作以产生对应于峰值包络的噪声分量以及谐波。因为峰值包络的频带的音频带相互重叠,所以射频信号与音频信号一起放大,经过放大的射频信号被传输到语音信号处理电路,从而增加了电容式麦克风的噪音。

发明内容
为了去除噪音,本发明提供了一种抗射频干扰电容式麦克风,该麦克风可以有效地屏蔽掉射频信号。
为达到上述目的,本实用新型采用如下的技术方案本实用新型所述的抗射频干扰电容式麦克风,包括声电信号转换部分、结型场效应晶体管,声电信号转换部分的一端连接第二信号输出端,另一端连接到结型场效应晶体管的栅极;结型场效应晶体管的源极连接第二信号输出端,漏极连接到第一信号输出端,其特征在于在结型场效应晶体管的源极和漏极之间并联有第一滤波电容器和第二滤波电容器。
上述第一滤波电容器的容值为10pF,第二滤波电容器的容值为33pF。
采用上述技术方案后,电容式麦克风可以应用GSM/PHS/CDMA等各种无线通讯终端,并且可以有效的屏蔽射频噪音。


图一是现有电容式麦克风的电路图;图二是本实用新型一个实施例的电路图;具体实施方式
本实用新型为了能达到降低射频干扰的目的,在用于移动通讯终端产品中的电容式麦克风安装了使用一个或者两个片状电容器的滤波器,用来屏蔽对应于特定频率的射频信号。
如图2所示,是一种使用两个片状电容器的电容式麦克风电路图,这种麦克风是应用在双模移动终端中。这种麦克风由声电信号转换部分ECM、结型场效应晶体管JFET以及由第一滤波电容器C1、第二滤波电容器C2组成的滤波器组成。声电信号转换部分ECM等效表示有一个固定极板、一个可移动的振膜以及其他辅助零件组成的可变电容器,声电信号转换部分ECM的一端连接第二信号输出端B,另一端连接到结型场效应晶体管JFET的栅极;结型场效应晶体管JFET的源极连接第二信号输出端B,漏极连接到第一信号输出端A,在结型场效应晶体管JFET的源极和漏极之间并联有第一滤波电容器C1和第二滤波电容器C2。第一滤波电容器C1的容值大约为10pF,作用是除去1800MHZ的频率;第二滤波电容器C2的容值大约为33pF,作用是除去900MHZ的频率。因为在当前的移动终端中普及使用1800MHZ的频带或900MHZ的频带,或者是双模电话使用1800MHZ的频带和900MHZ的频带,所以,这种使用两个电容滤波的电路是适用的。
权利要求1.抗射频干扰电容式麦克风,包括声电信号转换部分(ECM)、结型场效应晶体管(JFET),声电信号转换部分(ECM)的一端连接第二信号输出端(B),另一端连接到结型场效应晶体管(JFET)的栅极;结型场效应晶体管(JFET)的源极连接第二信号输出端(B),漏极连接到第一信号输出端(A),其特征在于在结型场效应晶体管(JFET)的源极和漏极之间并联有第一滤波电容器(C1)和第二滤波电容器(C2)。
2.根据权利要求1所述的抗射频干扰电容式麦克风,其特征在于第一滤波电容器(C1)的容值为10pF,第二滤波电容器(C2)的容值为33pF。
专利摘要本实用新型涉及一种声电转换装置,即一种麦克风。包括声电信号转换部分、结型场效应晶体管,声电信号转换部分的一端连接第二信号输出端,另一端连接到结型场效应晶体管的栅极;结型场效应晶体管的源极连接第二信号输出端,漏极连接到第一信号输出端,其特征在于在结型场效应晶体管的源极和漏极之间并联有第一滤波电容器和第二滤波电容器。这种电容式麦克风可以应用GSM/PHS/CDMA等各种无线通讯终端,并且可以有效的屏蔽射频噪音。
文档编号H04R19/00GK2896768SQ20062011544
公开日2007年5月2日 申请日期2006年5月17日 优先权日2006年5月17日
发明者李欣亮 申请人:潍坊歌尔电子有限公司
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