专利名称：：一种td-scdma/gsm双模手机射频功率放大器模块的制作方法
技术领域：
：本实用新型涉及一种功率放大器模块，尤其涉及应用于双模手机上的射频功率放大器模块。
背景技术：
：从目前的移动通信发展的趋势看来，3G已势不可挡，而TD-SCDMA是我国的3G标准；但目前GSM最为成熟，网络覆盖面最广，用户最多。因此，在相当长的时期内，我国的TD-SCDMA手机必须兼容GSM，即产生双模手机，所谓的"双模"就是工作在两个网络模式下，这两个工作模式就是GSM网络和TD-SCDMA网络，所谓的"TD-SCDMA/GSM双模手机"就是指手机可以同时支持GSM以及TD-SCDMA这两个网络通信技术，它可以根据环境或者是实际操作的需要来从中做出选择，哪个网络技术更能发挥作用，就让手机切换到哪种模式下去工作，如果在一种模式下，手机通信质量不高或者是出现其他不良的通信现象，可以自由转到另外一个网络模式上工作，它实际上就是扩大了手机的通话频率，并大大提高通信的稳定性而已。而目前的TD-SCDMA手机在发射端都使用两块功率放大器模块，分别负责GSM和TD-SCDMA两种模式，这对于手机的生产来说，则造成了体积和成本的增加。
实用新型内容本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种布线简单的单芯片双模手机射频功率放大器模块。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，它包括用于接收并处理TD输入信号的TD-SCDMA功率放大芯片、用于接收并处理GSM输入信号的GSM功率放大芯片、与所述的TD-SCDMA功率放大芯片和GSM功率放大芯片相电连接用于交替地控制所述的TD-SCDMA功率放大芯片和GSM功率放大芯片的控制芯片，且所述的TD-SCDMA功率放大芯片、GSM功率放大芯片、控制芯片封装在一模块上，该功率放大器模块封装管脚包括自上而下设置在同一侧的多个输入端、设置在相对另一侧的多个输出端，所述的输入端包括TD射频输入端、发射使能端、两双模控制端、电源输入端、接地端、GSM输出功率等级控制输入端、GSM高频段输入端、GSM低频段输入端，所述的输出端包括TD—SCDMA射频信号输出端、GSM髙频段输出端、GSM低频段输出端。所述的功率放大器模块采用MCM封装方式。本实用新型还提供了另一种较优化的技术方案，一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，它包括用于接收并处理TD输入信号和GSM高频段输入信号的TD/GSM_HB功率放大芯片、用于接收并处理GSM低频段输入信号的GSM低频功率放大芯片、与所述的TD/GSM一HB功率放大芯片和GSM低频段功率放大芯片相电连接用于交替地控制所述的TD/GSM—HB功率放大芯片和GSM低频段功率放大芯片的控制芯片，且所述的TD/GSM—HB功率放大芯片、GSM低频段功率放大芯片、控制芯片封装在一模块上，该功率放大器模块封装管脚包括自上而下设置在同一侧的多个输入端、设置在相对另一侧的多个输出端，所述的输入端包括TD射频信号与GSM髙频段信号输入端、发射使能端、两双模控制端、电源输入端、接地端、GSM输出功率等级控制输入端、GSM低频段输入端，所述的输出端包括TD射频信号和GSM髙频段信号输出端、GSM低频段输出端。所述的功率放大器模块采用MCM封装方式。由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点采用本实用新型功率放大器模块的管脚排布，使得该功率放大器的布线较简单，从而可进一步达到减少功率放大器模块的体积的目的。附图1为本实用新型TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块实施例一功能框附图2为本实用新型TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块实施例二功能框其中1、TD-SCDMA功率放大芯片；11、TD输入匹配电路；12、TD输出匹配电路；2、控制芯片；3、GSM功率放大芯片；31、GSM髙频段输入匹配电路；31'、GSM低频段输入匹配电路；32、GSM高频段输出匹配电路；32'、GSM低频段输出匹配电路；l'、TD/GSM—HB功率放大芯片；11'、输入开关匹配电路；12'、输出开关匹配电路；2'、控制芯片；3'、GSM低频段放大器芯片；31、输入匹配电路；32、输出匹配电路。具体实施方式以下结合附图、举例详细说明本实用新型的具体内容实施例一如图1所示的TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，该功率放大器模块包括TD-SCDMA功率放大芯片1、GSM功率放大芯片3、控制芯片2，TD-SCDMA功率放大芯片1用于接收并处理TD射频输入信号，GSM功率放大芯片3用于接收并处理GSM射频段输入信号，控制芯片2根据输入的控制信号相应地控制并选择TD-SCDMA功率放大芯片1或者GSM功率放大芯片3的输出，同时，为了更好的实现电路的匹配，该双模射频功率放大器模块中还设置有输入匹配电路和输出匹配电路，由于GSM手机功放芯片的输出有高、低两个频段，具体又细分为GSM850、GSM900、DCS和PCS，因此我们用HB表示DCS和PCS，用LB表示GSM850和GSM900,因此，相应的匹配电路可具体为与TD-SCDMA功放芯片相匹配的TD输入匹配电路11和TD输出匹配电路12;与GSM功放芯片相匹配的GSM高频段输入匹配电路31和低频段输入匹配电路31'以及GSM高频段输出匹配电路32和低频段输出匹配电路32'。各输入输出匹配电路在具体设计时均含有隔直(DCBlock)电容，以进行滤波，上述功能芯片采用MCM封装方式封装在同一块模块上，MCM(multi-chipmodule)也称为多芯片组件，其是将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术，该功率放大器模块的管脚设定及其相应的功能参见表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表l管脚定义在本实施例中，TD-SCDMA手机功放可采用控制偏置电路来实现高功率和低功率两种工作模式。因此，综合考虑GSM高低频段等因素，采用如下的逻辑方式来进行控制，以兼顾TD-SCDMA的高低两种功率模式和GSM的髙低两个频段，如表2所示，其中0表示低电平，l表示高电平。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表2双模功率模式和频段控制方式为了进一步说明表2中的控制功能的实现，在控制芯片2还设定有数个控制端口，其中控制端口V—bias表示为放大器内部偏置电路的偏置电压(常开)、控制端口V—apc表示为放大器内部偏置电路的偏置控制电压，控制端口V—mode表示为TD功放的功率模式控制。具体控制方式如表3所示，其中0表示低电平，l表示高电平<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表3内部控制逻辑实施例二由于GSM手机功放芯片的输出有髙、低两个频段，且TD-SCDMA的发射频率和GSM—HB的频段比较接近，因此为了进一步缩小双模手机功放模块的体积、降低成本，如图2所示，将TD-SCDMA与GSM髙频段功放电路设计为一合成TD/GSM—HB功率放大芯片1、GSM低频段采用一GSM低频功率放大芯片3'实现，且在TD/GSM—HB功率放大芯片1'与GSM低频功率放大器芯片3之间仍通过一控制芯片2'对两芯片进行控制，同时，为了使得TD/GSM—HB功率放大芯片1'对TD射频输入信号或GSM射频输入信号能够区分，在TD/GSM—HB功率放大芯片1'的输入端连接有输入开关匹配电路ll'，在其输出端连接有输出开关匹配电路12'，为了更好的实现电路的匹配，在与GSM低频功放芯片3'输入端相匹配连接有低频段输入匹配电路31，在GSM低频段功放芯片3'输出端相匹配连接有低频段输出匹配电路32。各输入输出匹配电路以及输入开关匹配电路11及输出开关匹配电路12在具体设计时均含有隔直(DCBlock)电容，以进行滤波，上述功能芯片采用MCM封装方式封装在同一块模块上，对该功率放大器模块的封装管脚设定如下表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>其控制方式与实施例一的控制方式相同，在此不再赘述。本实用新型对TD-SCDMA/GSM双模射频功率放大器模块的结构功能及其控制方式进行了介绍，将TD-SCDMA功放与GSM功放通过同一控制芯片进行控制并将其整合到一模块上，将其应用到双模手机上，可减小手机硬件体积，从而降低制造成本，但是上述内容并不能理解为对本实用新型保护内容的限制，凡是根据本实用新型的精神实质作出的变动，都应在本实用新型的保护范围之内。权利要求1、一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，它包括用于接收并处理TD输入信号的TD-SCDMA功率放大芯片(1)、用于接收并处理GSM输入信号的GSM功率放大芯片(3)、与所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)和GSM功率放大芯片(3)相电连接用于交替地控制所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)和GSM功率放大芯片(3)的控制芯片(2)，且所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)、GSM功率放大芯片(3)、控制芯片(2)封装在一模块上，其特征在于该功率放大器模块封装管脚包括自上而下设置在同一侧的多个输入端、设置在相对另一侧的多个输出端，所述的输入端包括TD射频输入端(TD_IN)、发射使能端(TX_EN)、两双模控制端(Vctrl_1、Vctrl_2)、电源输入端(V_BATT)、接地端(GND)、GSM输出功率等级控制输入端(V_DAC)、GSM高频段输入端(HB_IN)、GSM低频段输入端(LB_IN)，所述的输出端包括TD_SCDMA射频信号输出端(TD_OUT)、GSM高频段输出端(HB_OUT)、GSM低频段输出端(LB_OUT)。2、根据权利要求1所述的一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，其特征在于所述的功率放大器模块采用MCM封装方式。3、一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，它包括用于接收并处理TD输入信号和GSM高频输入信号的TD/GSM—HB功率放大芯片(l')、用于接收并处理GSM低频段输入信号的GSM低频段功率放大芯片(3')、与所述的TD/GSM—HB功率放大芯片(l"和GSM低频段功率放大芯片(3')相电连接用于交替地控制所述的TD/GSM—HB功率放大芯片(l')和GSM低频段功率放大芯片(3')的控制芯片(2')，且所述的TD/GSM—HB功率放大芯片(l')、GSM低频段功率放大芯片(3')、控制芯片(2')封装在一模块上，其特征在于该功率放大器模块封装管脚包括自上而下设置在同一侧的多个输入端、设置在相对另一侧的多个输出端，所述的输入端包括TD射频信号与GSM髙频段信号输入端(TD—IN/GSM—HB)、发射使能端(TX—EN)、两双模控制端(Vctrl—1、Vctrl—2)、电源输入端(V—BATT)、接地端(GND)、GSM输出功率等级控制输入端(V—DAC)、GSM低频段输入端(LB—IN),所述的输出端包括TD射频信号和GSM髙频段信号输出端(GSM—HB/TD—OUT)、GSM低频段输出端(LB—OUT)。4、根据权利要求3所述的一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，其特征在于所述的功率放大器模块采用MCM封装方式。专利摘要本实用新型涉及一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块，它包括TD-SCDMA功率放大芯片、GSM功率放大芯片、控制芯片，且TD-SCDMA功率放大芯片、GSM功率放大芯片、控制芯片封装在一模块上，该模块封装管脚包括设置在同一侧的多个输入端、设置在另一侧的多个输出端，其输入端包括TD射频输入端、发射使能端、两双模控制端、电源输入端、接地端、GSM输出功率等级控制输入端、GSM高频输入端、GSM低频输入端，其输出端包括TD_SCDMA射频信号输出端、GSM高频输出端、GSM低频输出端，采用本实用新型的管脚排布，使得该功率放大器的布线较简单，从而可进一步达到减少功率放大器模块的体积的目的。文档编号H04W88/06GK201345648SQ20082019970公开日2009年11月11日申请日期2008年12月22日优先权日2008年12月22日发明者脱西河,陈立强申请人:德可半导体(昆山)有限公司