专利名称：取像模组及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种取像模组及其制造方法。
背景技术：
影像感测封装结构因可以在空间中检测光信号并将其转换为电信号，已经被广泛应用在各种光电产品中，而成为关键零组件之一。目前，取像模组的封装方式大都采用板上芯片封装(COB，chip on board)封装方式，感测器芯片粘结在印刷电路板上，然后用金线将感测器芯片连接到印刷电路板上，再将融化后具有特殊保护功能的有机材料覆盖到感测器芯片上来完成后期封装。感测器芯片与焊接区在同一平面上，焊区周边均勻分布，由于COB封装方式的焊区是周边分布，所以输入/输出的增长数受到一定限制，特别是它在焊接时采用线焊，实现焊区与印刷电路板焊盘相连接，因此，印刷电路板焊盘应有相应的焊盘数，并也是周边排列，才能与之相适应，所以，印刷电路板制造工艺难度也相对增大。而且，还需要其他的后期封装，使得生产成本较高、感测器封装结构体积较大。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种体积较小、成本较低的取像模组及其制造方法。一种取像模组，其包括玻璃基板，其具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层；影像感测芯片，其位于所述第二表面，所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述通孔内的导电层电性结合所述电路区。—种取像模组的制造方法，其包括提供一个玻璃基板，其包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层；将影像感测芯片结合在所述第二表面上，所述所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述通孔内的导电层电性结合所述电路区。与现有技术相比，本发明实施例的取像模组不需要对影像感测芯片单独进行密封、防水等后期封装和设置独立电路板，如此可使得取像模组的体积较小、成本较低，降低采用取像模组的便携式电子装置的体积及成本。
图1是本发明实施例取像模组的示意图。图2是本发明实施例取像模组的制造方法的流程图。主要元件符号说明取像模组10
基板11
影像感测芯片12
透镜13
电路区14
被动元件15
软性电路板16
第一表面111
第二表面112
通孔113
导电层114
粘合层115
感测区121
接触垫12具体实施例方式下面将结合附图对本发明作进一步详细说明。如图1所示，本发明实施例的取像模组10包括玻璃基板11和设置在玻璃基板11 上的影像感测芯片12、透镜13、电路区14、被动元件15和软性电路板16。透镜13的个数、规格、参数可以根据具体的设计而定，并且当透镜13的个数多于两个时，可采用晶圆级封装方式(Wafer level package, WLP)形成。玻璃基板11具有相对的第一表面111和第二表面112，透镜13位于第一表面111， 而影像感测芯片12位于第二表面112且正对透镜13，换言之，影像感测芯片12的中心对准透镜13的光轴。电路区14位于第一表面111且围绕透镜13。影像感测芯片12具有感测区121和多个接触垫122，感测区121对准透镜13，接触垫122和粘合层115设置在第二表面112且与电路区14电性连接。影像感测芯片12为裸芯片，即具有电路单元并具备影像感测功能的硅晶体。接触垫122的排列形式可以为矩阵式。影像感测芯片12可以为电荷耦合器件(Charge Couple Device, CCD)或者互补金属氧化物半导体(Comp 1 ementaryMetal-Oxide Semiconductor, CMOS)。粘合层115可以为锡球、异方性导电膜(anisotropic conductive film)或者各向异性导电胶(Anisotropic Conductive Adhesive, ACA)。玻璃基板11的电路区14具有通孔113，通孔113的个数和分布对应影像感测芯片 12的接触垫122的个数和分布，通孔113内具有导电层114，导电层114使得第一表面111 上的电路区14与第二表面112上的影像感测芯片12的接触垫122电性相连，即影像感测芯片12的接触垫122通过粘合层115并进一步借助导电层114与电路区14电性相连。被动元件15和软性电路板16位于玻璃基板11的第一表面111上，且软性电路板 16通过通孔113内的导电层114与影像感测芯片12电性相连以提供影像感测芯片12工作所需的电能。
当然，也可以将被动元件15设置在软性电路板16上。可以理解，也可以将软性电路板16设置在第二表面112上以提供电能给影像感测芯片12ο取像模组10不需要对影像感测芯片12进行密封、防水等后期封装和设置独立电路板，如此可使得取像模组10的体积较小，降低了采用取像模组的便携式电子装置(例如相机、手机、PDA、笔记本等)的体积。请一并参阅图1至2，取像模组10的制造方法包括以下步骤Si，提供一个玻璃基板，其包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层。具体地，电路区14可以是铜或者ΙΤ0(铟锡氧化物)，经过光刻技术 (photolithography)完成对应的布线设计。透镜13可以为采用纳米压印(nanoprint)形成的树脂透镜或者射出成型(mold) 方式形成的玻璃透镜。形成贯穿第一表面111和第二表面112的通孔113，然后在通孔113内通过溅镀等方式形成导电层114。S2，将影像感测芯片结合在所述第二表面上，所述所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述通孔内的导电层电性结合所述电路区。可首先在第二表面112对应透镜13边缘的位置设置对准标志，便于感测区121对准透镜13。对准标志的高度不高于或略高于影像感测芯片12的高度。具体地，在接触垫122与第二表面112之间垫付锡球、异方性导电膜或者各向异性导电胶使得接触垫122通过通孔113内的导电层与电路区14电性结合。S3，在电路区设置软性电路板并与所述影像感测芯片相连。软性电路板16通孔通孔113内的导电层114与影像感测芯片12电性相连，以提供工作所需电能。更进一步，也可以在电路区14上设置被动元件15。另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种取像模组，其特征在于，所述取像模组包括玻璃基板，其具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层；影像感测芯片，其位于所述第二表面，所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述导电通孔电性结合所述电路区以使所述影像感测芯片电性结合所述电路区。
2.如权利要求1所述的取像模组，其特征在于，所述接触垫藉由锡球通过所述通孔内的导电层电性结合所述电路区。
3.如权利要求2所述的取像模组，其特征在于，所述接触垫藉由异方性导电膜或者各向异性导电胶通过所述通孔内的导电层电性结合所述电路区。
4.如权利要求3所述的取像模组，其特征在于，所述透镜为树脂透镜或者玻璃透镜。
5.如权利要求1至4任一项所述的取像模组，其特征在于，所述取像模组进一步包括软性电路板，所述软性电路板设置在所述电路区上，且所述影像感测芯片通过所述通孔内的导电层电性连接所述软性电路板。
6.如权利要求5所述的取像模组，其特征在于，所述取像模组进一步包括被动元件，所述被动元件位于所述电路区上。
7.一种取像模组的制造方法，其包括提供一个玻璃基板，其包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层；将影像感测芯片结合在所述玻璃基板的第二表面上，所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述通孔内的导电层电性结合所述电路区。
8.如权利要求7所述的取像模组的制造方法，其特征在于，该制造方法进一步包括在形成透镜前采用光刻技术形成所述电路区的步骤。
9.如权利要求8所述的取像模组的制造方法，其特征在于，该制造方法进一步包括采用纳米压印或射出成型的方式形成所述透镜的步骤。
10.如权利要求8所述的取像模组的制造方法，其特征在于，该制造方法进一步包括首先在所述第二表面对应所述透镜边缘的位置设置对准标志，然后将影像感测芯片结合在所述第二表面上。
11.如权利要求8所述的取像模组的制造方法，其特征在于，该制造方法进一步包括所述影像感测芯片结合在所述第二表面后在所述电路区设置软性电路板。
12.如权利要求11所述的取像模组的制造方法，其特征在于，该制造方法进一步包括在设置软性电路板后在所述电路区设置被动元件。
全文摘要
一种取像模组，其包括玻璃基板，其具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层；影像感测芯片，其位于所述第二表面，所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述通孔的导电层电性结合所述电路区。本发明还提供一种取像模组的制造方法。
文档编号H04N5/335GK102263112SQ20101018526
公开日2011年11月30日 申请日期2010年5月28日 优先权日2010年5月28日
发明者张仁淙 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司