专利名称：Ase光源的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光纤放大器领域，尤其涉及宽带光源。
背景技术：
ASE光源是指基于有源光纤的放大自发辐射原理制作成的一种宽带光源。如图1所示，目前，对于掺镱光纤制作成的ASE光源来说，当功率小于20mW时，采用的是50 50分光器制成的光纤圈+单级结构，此种结构当功率大于20mW的时候，会出现如图2所示的自激现象，所以当功率大于20mW时，一般采用双级放大的结构，但是采用这种结构，所需无源器件较多，有源光纤较长，成本较高，且如图3和图4所示，光谱的平坦度较差，与环形腔加单级结构相比较有偏差。因此在实际运用中，尽管光纤圈+单级结构会产生自激现象，但依然广泛使用。
发明内容本实用新型的目的是针对于现有技术存在的问题，提供了ー种新型的光纤圈+单级放大结构ASE光源，解决了当功率大于20mW时所产生的自激现象。本实用新型的ASE光源包括依次连接的一第一分光器，第一波分复用器(WDM)，一掺镱光纤，一隔离器以及ー第二分光器，所述第一波分复用器还连接有ー泵浦，所述ASE光源的第一分光器的光纤圈内连接有ー隔离器。将隔离器的反射端面看成ー个透射很高、反射很低的镜面，那么光纤圈和隔离器的这个镜面就形成了一个谐振腔，在光纤圈内部加隔离器有效的降低了自激产生的阈值。同时，破坏了因为分光器分开的两束光相干的条件，降低了由于光的相干性，对光路的影响，从而提闻了光路的稳定性。作为本实用新型的进ー步改进所述第一波分复用器与所述泵浦之间连接有一第ニ波分复用器。通过在泵浦端多加ー个波分复用器，使一部分未使用的泵浦光和反向ASE通过波分复用器泄露出去，从而起到保护泵浦的作用。
图1为传统的光纤圈+单级结构的ASE光源装置；图2为传统的ASE光源装置产生自激现象时的光谱示意图；图3为传统的光纤圈+单级结构的ASE光源在20mW功率时的光谱图；图4为双级结构的ASE光源在20mW功率时的光谱图；图5为本实用新型ASE光源的结构示意图；图6为本实用新型ASE光源在50mW功率时的光谱图。
具体实施方式
为利于对本实用新型的ASE光源作进ー步的了解，
以下结合附图和实施例进行说明。参照图5所示，本实用新型的ASE光源主要包括依次连接的一第一分光器1，第一波分复用器2, —掺镱光纤4, 一隔离器5以及一第二分光器6,所述第一波分复用器2还连接有一泵浦7，所述ASE光源的第一分光器I的光纤圈内连接有一 1064隔离器8，光纤圈由50 : 50分光器组成。作为本实用新型的进一步改进所述第一波分复用器2与所述泵浦之间连接有一第二波分复用器3。当工作时，用泵浦7作抽运光耦合进入掺镱光纤4，掺镱光纤4将受激吸收抽运光能量、形成粒子数反转，若不考虑信号光和激光的存在，这些反转的粒子将通过自发辐射的方式回到基态，由于玻璃基质掺镱光纤4具有极宽的发射截面谱,从而掺镱光纤4在极宽的光谱范围内均产生自发辐射。但是，对于掺镱光纤4这样的光纤波导结构，在其内部任意一点处产生的宽带自发辐射只要处在其数值孔径之内，均将在掺镱光纤4中形成导模，并因 抽运光的作用最终在掺镱光纤4的传输过程中形成所谓的放大的自发辐射(ASE)。ASE分为正向ASE与反向ASE，其中反向ASE经过分光器I上的50 50两个臂分成两半，其中一半被隔离器8隔离，另一半，通过隔离器再次经过掺镱光纤4经行放大，与正向ASE —起输出。第一波分复用器2和第二波分复用器3的叠加，当反向ASE传输到的波分复用器2时，由于波分复用器2是互易型器件，由掺镱光纤4产生的反向ASE峰将几乎无损地返回至波分复用器2的抽运端。在泵浦端多加一个波分复用器3，使一部分未使用的泵浦光和反向ASE通过波分复用器泄露出去，从而起到保护泵浦的作用。当在光纤圈中加入隔离器8后，隔离了 1/2反向ASE光源经过掺镱光纤放大而产生的信号，因此，有源光纤的长度必定偏短，需要加长有源光纤的长度。以上结合附图实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本实用新型做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种ASE光源，包括依次连接的一第一分光器，第一波分复用器，一掺镱光纤，一隔离器以及一第二分光器，所述第一波分复用器还连接有一泵浦，其特征在于所述第一分光器的光纤圈内连接有一隔离器。
2.根据权利要求1所述的ASE光源，其特征在于所述第一波分复用器与所述泵浦之间连接有一第二波分复用器。
专利摘要本实用新型公开了一种ASE光源，该ASE光源包括依次连接的一第一分光器，第一波分复用器，一掺镱光纤，一隔离器以及一第二分光器，所述第一波分复用器还连接有一泵浦，其特征在于所述第一分光器的光纤圈内连接有一隔离器。作为本实用新型的进一步改进，所述第一波分复用器与所述泵浦之间连接有一第二波分复用器。本实用新型由于采用以上技术方案，解决了光纤圈+单级放大结构ASE当功率大于20mW时所产生的自激现象。光谱在1040nm-1085nm处平坦度小于2dB，比双级结构更平坦，更具有实用性。从成本上来讲，相对于双极光路来说，相同功率输出，无源器件用的更少，有源纤更短，成本更低。
文档编号H04B10/291GK202841141SQ201220116138
公开日2013年3月27日 申请日期2012年3月23日 优先权日2012年3月23日
发明者孙海明 申请人:上海科乃特激光科技有限公司