基于CMOS的TX/RX开关的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种发送/接收开关，包括：TX端口，其用于耦合到RF发送信号；RX端口，其用于耦合到RF接收信号；天线端口，其用于耦合到天线；电感器，其与所述天线端口和所述RX端口串联耦合；以及电容器和场效应晶体管(FET)开关的串联组合，所述串联组合跨所述电感器并联耦合，其中所述FET开关具有源极、漏极和栅极端子，所述栅极端子可操作以接收用于控制所述FET开关的控制信号；其中，下列情况中的至少一种为真：(a)其中，所述开关在发送模式下呈现导通，从而建立所述电感器和所述电容器的高阻抗并联谐振电路；(b)其中，当所述开关在发送模式下呈现导通时，通过所述电感器和所述电容器的高阻抗并联谐振电路的操作，从所述RX端口阻止所述RF发送信号。2.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述开关在所述发送模式下呈现导通，从而建立所述电感器和所述电容器的所述高阻抗并联谐振电路。3.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中当所述开关在所述发送模式下呈现导通时，通过所述电感器和所述电容器的所述高阻抗并联谐振电路的操作，从所述RX端口阻止所述RF发送信号。4.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述开关在接收模式下呈现不导通，从而通过所述电感器耦合所述天线端口和所述接收端口。5.根据权利要求1所述的发送/接收开关，还包括在所述发送端口和所述天线端口之间串联的电阻器。6.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述电感器包括集总电感器。7.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述电感器包括一个或多个 键合线。8.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述FET开关使用选自以下组中的半导体技术来制造，所述组包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)、砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)和氮化镓(GaN)。9.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述发送/接收开关适于发送和接收符合选自以下组的无线标准的信号，所述组包括：802.11WLAN、LTE、WiMAX、HDTV、3G蜂窝、4G蜂窝和DECT。10.一种发送/接收开关，包括：TX端口，其用于耦合到RF发送信号；RX端口，其用于耦合到RF接收信号；天线端口，其用于耦合到天线；第一巴伦，其可操作以将所述RF接收信号从所述天线端口耦合到所述RX端口；电容器，其与所述第一巴伦串联；场效应晶体管(FET)开关，其跨所述第一巴伦的初级绕组并联耦合；以及第二巴伦，其可操作以将所述RF发送信号从所述TX端口耦合到所述天线端口。11.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述FET开关在发送模式下呈现导通，从而使耦合到所述RX端口的低噪声放大器(LNA)的输入端接地。12.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述FET开关在发送模式下呈现导通，从而将所述RF发送信号从所述TX端口传送到所述天线端口，同时阻止所述RF发送信号进入所述RX端口。13.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述FET开关在发送模式下呈现导通，由此所述电容器、处于导通状态的所述FET开关的合成阻抗以及耦合到所述RX端口的低噪声放大器(LNA)的反射阻抗向所述RF发送信号呈现相对高的阻抗。14.根据权利要求10所述的发送/接收开关，还包括在所述TX端口和功率放大器电路之间耦合的匹配网络。15.根据权利要求10所述的发送/接收开关，还包括在所述RX端口和低噪声放大器之间耦合的匹配网络。16.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述FET开关在接收模式下呈现不导通，从而通过所述第一巴伦耦合所述天线端口和所述接收端口。17.根据权利要求10所述的发送/接收开关，还包括调谐振荡电路，其耦合到所述第一巴伦以便与耦合到所述RX端口的低噪声放大器(LNA)进行阻抗匹配。18.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述发送/接收开关使用选自以下组中的半导体技术来制造，所述组包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)、砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)和氮化镓(GaN)。19.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述发送/接收开关适于发送和接收符合选自以下组的无线标准的信号，所述组包括：802.11WLAN、LTE、WiMAX、HDTV、3G蜂窝、4G蜂窝和DECT。