技术特征：
技术总结
某些方面涉及用于满阱容量扩充的系统和技术。例如，包括在像素读出架构中的储存电容器可以在模拟域中实现来自像素的多个电荷转储，从而扩充像素的满阱容量。此外，可以使用与像素读出架构通信的存储器(例如DRAM)在数字域中积分多次读取。这也可以有效地增加小像素的满阱容量。在一些示例中，可以使用数字域中的多次读取来减少、消除或补偿像素读出架构中的kTC噪声。
技术研发人员：B-C·赫塞;J·罗;S·R·戈马
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2015.11.06
技术公布日：2017.08.01