一种LVDS信号采集电路的制作方法

文档序号:12627589阅读:715来源:国知局

本发明属于信号采集技术领域,具体涉及一种LVDS信号采集电路。



背景技术:

LVDS信号是一种低摆幅的差分技术。目前,随着集成电路的发展和对更高数据速率的要求,低压、高速传输成为主流技术,LVDS信号由于其低功耗、高速传输和抗干扰的特点,被广泛应用于高速系统、通信设备、消费电子等方面。目前LVDS信号的的现有测试设备主要为LVDS采集卡,由于LVDS采集卡的成本比较高,技术复杂,不利于LVDS技术的使用和发展。

为了确保LVDS信号传输的正确性,急需要提出一种LVDS信号采集电路用于采集LVDS信号并传到CPU进行分析,用以解决高速传输过程中可能出现的问题。

中国专利“基于LVDS信号的采集器”(申请号201510256756.7)针对液晶电视输出的LVDS测试,公开了一种基于LVDS信号的采集器,其特征是,利用时钟稳定模块将LVDS信号转换为稳定的时钟信号,再结合混合算法将LVDS信号转换成HDMI信号,再用HDMI采集卡进行采集,传送给MCU模块进行分析。该方案设计虽然严谨,降低LVDS的采集成本,但电路设计相对繁琐。



技术实现要素:

本发明的目的在于解决上述的技术问题而提供一种LVDS信号采集电路,该LVDS信号采集电路,设计简单,成本有限。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种LVDS信号采集电路,包括:

高速数字隔离器,用于将LVDS信号进行隔离后输出;

FPGA芯片,与高速数字隔离器连接,用于将高速数字隔离器隔离后输出的信号解析为SRAM存储器和CPU处理器可识别的数据信号输出;

SRAM存储器,与FPGA芯片连接,用于缓存FPGA芯片解析后输出的可识别的数据信号;

CPU处理器,与SRAM存储器及FPGA芯片连接,用于处理FPGA芯片解析后输出的可识别的数据信号以判断采集到LVDS信号是否正确。

所述FPGA芯片型号为EP3C5F256I7N。

所述LVDS信号为通用LVDS差分信号或模拟LVDS波形信号。

本发明采用高速数字隔离器将LVDS信号经过有效隔离后接入FPGA,实现了对可编程器件的静电保护;采用SRAM存储器缓存数据可有效缓解CPU处理器的运行压力,避免在任务量繁重的控制系统中由于CPU处理器缓存有限而造成采集丢失的现象。本发明结构简单,效率高,可靠性高,采集数据可解析并缓存,便于实际应用。

附图说明

图1出示了本发明的一种LVDS信号采集电路的示意图。

具体实施方式

下面,结合实例对本发明的实质性特点和优势作进一步的说明,但本发明并不局限于所列的实施例。

参见图1所示,一种LVDS信号采集电路,包括:

高速数字隔离器,用于将LVDS信号进行隔离后输出;

FPGA芯片,与高速数字隔离器连接,用于将高速数字隔离器隔离后输出的信号解析为SRAM存储器和CPU处理器可识别的数据信号输出;

SRAM存储器,与FPGA芯片连接,用于缓存FPGA芯片解析后输出的可识别的数据信号;

CPU处理器,与SRAM存储器及FPGA芯片连接,用于处理FPGA芯片解析后输出的可识别的数据信号以判断采集到LVDS信号是否正确。

具体实现上,本发明中,所述FPGA芯片型号为EP3C5F256I7N,此FPGA芯片应用广泛,可靠性高。

本发明中,所述LVDS信号与高速数字隔离器相接,经过高速数字隔离器有效隔离后进入FPGA芯片,实现了对可编程器件FPGA芯片的静电保护。

本发明中,所述的LVDS信号可以采用通用LVDS差分信号或模拟LVDS波形信号,适用范围不局限于液晶显示的LVDS信号。

本发明中,所述CPU处理器作为中央处理器,用于数据解析、判断采集到LVDS信号是否正确。

本发明中,所述SRAM存储器缓存采集的数据,不因LVDS信号的高速传输而丢失采集数据,保证CPU处理器的处理正确性,也可有效缓解CPU处理器的运行压力。

采集LVDS信号信号时,LVDS信号经过高速数字隔离器整合信号后进入FPGA芯片,FPGA芯片通过预置算法将经过整合的LVDS信号解析为SRAM存储器和CPU处理器可识别的数据信号,通过SRAM存储器缓存采集的数据,并由CPU处理器通过预设协议解析采集到的LVDS信号判断其是否正确,找出存在的问题并反馈。

本发明采用高速数字隔离器将LVDS信号经过有效隔离后接入FPGA,实现了对可编程器件的静电保护;采用SRAM存储器缓存数据可有效缓解CPU处理器的运行压力,避免在任务量繁重的控制系统中由于CPU处理器缓存有限而造成采集丢失的现象。本发明结构简单,效率高,可靠性高,采集数据可解析并缓存,便于实际应用。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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