1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
衬底，所述衬底中设置有读出电路单元，所述读出电路单元包含传输管和溢出电容，所述溢出电容通过一溢出电容选择管连接所述传输管，所述溢出电容选择管的漏极连接所述传输管的漏极，所述溢出电容选择管的源极连接所述溢出电容，所述溢出电容选择管的栅极连接电容选择信号，所述传输管的栅极连接传输信号；
接触电极，所述接触电极设置在所述衬底上，所述接触电极连接所述传输管的源极；
量子点层，所述量子点层覆盖所述接触电极设置在所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述传输管的源极连接一节点电容，所述传输管的漏极连接一悬浮电容。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述读出电路单元还包含复位管和行选择管，所述复位管的漏极连接重置电压源，所述复位管的源极连接所述传输管的漏极，所述复位管的栅极连接重置信号，所述行选择管的源极连接信号输出端，所述行选择管的漏极连接所述传输管的漏极，所述行选择管的栅极连接行选择信号。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述行选择管的漏极通过一源随器连接所述传输管的漏极，所述源随器的漏极连接一源随电压源，所述源随器的源极连接行选择管的漏极，所述源随器的栅极连接所述传输管的漏极。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述量子点层上设置有上电极，所述上电极的材料包括氧化铟锡、氟化氧化锡或铝氧化锌，所述上电极的厚度为50nm～500nm。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述上电极上设置有钝化层，所述钝化层的材料包括二氧化硅或氮化硅，所述钝化层上设置有滤光片和透镜。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述量子点层的材料包括CdS、CdSe、PdS、CuInS或InP中一种及其组合，所述量子点层中量子点的半径为2nm～10nm，所述量子点之间的间距小于等于0.5nm。
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述接触电极的材料包括功函数大于4.8eV的高功函数材料和功函数小于4.4eV的低功函数材料，所述高功函数材料包括金、钨、铜、氧化铟锡、氟化氧化锡或氮化钛中一种及其组合，所述低功函数材料包括铝、镁或氮化钽中一种及其组合，所述接触电极的厚度为20nm～500nm。
9.一种图像传感器的像素信号采集方法，其特征在于，所述图像传感器的像素信号采集方法包括：
关闭复位管、行选择管和传输管，打开溢出电容选择管，使溢出电容与悬浮电容相连；
打开传输管，使节点电容、悬浮电容及溢出电容相连，再打开复位管，使节点电容、悬浮电容和溢出电容都充满电荷，然后关闭复位管和传输管；
打开行选择管，读出第二噪声，然后关闭行选择管；
曝光，节点电容中电荷通过接触电极在量子点层流失；
将溢出电容选择管关闭后，打开复位管，将悬浮电容充满电荷，再关闭复位管；
打开行选择管，读出第一噪声；
打开传输管，使节点电容的电荷与悬浮电容的电荷中合后，再关闭传输管，然后读出第一采样信号；
打开溢出电容选择管，使溢出电容的电荷与悬浮电容的电荷中合后，然后读出第二采样信号。
10.一种图像传感器的像素信号采集方法，其特征在于，所述图像传感器的像素信号采集方法包括：
关闭复位管、行选择管和传输管，打开溢出电容选择管，将溢出电容与悬浮电容相连；
打开传输管，将节点电容、悬浮电容及溢出电容相连，再打开复位管，使节点电容、悬浮电容和溢出电容都充满电荷，然后关闭复位管；
打开行选择管，读出第二噪声，然后关闭行选择管；
曝光，节点电容中电荷通过接触电极在量子点层流失；
将传输管和溢出电容选择管关闭后，打开复位管，将悬浮电容充满电荷，再关闭复位管；
打开行选择管，读出第一噪声；
打开传输管，使节点电容的电荷与悬浮电容的电荷中合后，再关闭传输管，然后读出第一采样信号；
打开传输管和溢出电容选择管，使节点电容的电荷、悬浮电容的电荷及溢出电容的电荷中合后，然后读出第二采样信号。