技术特征：
技术总结
本发明公开了一种提升寄生光灵敏度的方法，用于提升电压域8T全局快门像素结构的寄生光灵敏度，包括步骤：提供电压域8T全局快门像素结构，包括依次相连的感光二极管、相关双采样读取电路、相关双采样保持电路及相关双采样输出电路，相关双采样保持电路包括第一MOS管开关、第二MOS管开关、第一电容及第二电容；通过调整相关双采样保持电路中的MOS管开关的结构，对第一电容的漏电流Isigleak或第二电容的漏电流Irstleak进行补偿调节，使得Csig*Irstleak＝Crst*Isigleak。本发明通过调整MOS管开关的沟道/有源区的物理形状或尺寸，或通过离子注入手段调整MOS管开关的沟道/有源区的物理电学性质，来补偿调节存储电容的漏电流，能有效消除电容漏电对相关双采样输出电压的影响，提升寄生光灵敏度。
技术研发人员：石文杰;陈超林;邵泽旭;任冠京;刘芃宇
受保护的技术使用者：上海晔芯电子科技有限公司
技术研发日：2017.12.20
技术公布日：2018.05.15