高隔离度TR组件结构的制作方法

文档序号:15293527发布日期:2018-08-29 01:13阅读:598来源:国知局

本实用新型属于接收发射组件技术领域,具体涉及一种高隔离度TR组件结构。



背景技术:

现有的TR组件均为一体式结构,即在一个安装壳内设置接收模块、发射模块和控制模块,并将它们通过线路板连接,这样的一体式结构存在如下问题:(1)收发隔离度较低,只能达到80-90dB;(2)体积较大,不易移动和放置;(3)部分模块损坏后需要进行整体更换,不便于维修,增大了使用成本。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足,提供一种体积小,收发隔离度高且便于维修的高隔离度TR组件结构。

本实用新型所采用的技术方案是:一种高隔离度TR组件结构,包括发射单元模块、电源控制单元模块和接收单元模块,所述发射单元模块放置在密闭的发射外壳内,电源控制单元模块放置在密闭的电源外壳内,接收单元模块放置在密闭的接收外壳内,所述发射外壳、电源外壳和接收外壳重叠设置,电源外壳位于发射外壳与接收外壳之间,所述电源外壳底面通过低频接口和数个射频接口与发射外壳连接,电源外壳顶面通过低频接口和数个射频接口与接收外壳连接,电源外壳相对的两侧还设有与电源控制模块连接的传输接口和低频连接器,所述发射外壳和接收外壳的相对两侧分别连接有传输接口。

作为优选,所述发射外壳、电源外壳和接收外壳的大小形状相同。

作为优选,所述低频接口包括低频插脚和低频插口,所述低频插脚位于电源外壳的顶面和底面,并与电源控制模块连接,所述低频插口位于发射外壳和接收外壳上,并分别与发射单元模块和接收单元模块连接。

作为优选,所述射频接口包括射频公口和射频母口,射频公口位于电源外壳的顶面和底面,并与电源控制模块连接,射频母口位于发射外壳和接收外壳上,并分别与发射单元模块和接收单元模块连接。

作为优选,所述发射外壳、接收外壳和电源外壳的四个边角处对应开有螺纹连接孔,螺纹连接孔内连接有锁紧螺钉。

作为优选,所述电源外壳上与传输接口相邻的两侧对称设有固定板,固定板上开有固定孔。

作为优选,所述发射外壳、接收外壳和电源外壳均为金属壳体。

本实用新型采用三个独立的金属外壳分别安装发射单元模块、接收单元模块和电源控制单元模块,并采用重叠对插的方式连接,具有结构紧凑、体积小,便于安装和携带的优点,同时利用金属外壳自身的屏蔽性,能提高收发隔离度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型的侧视图。

图中:1、发射单元模块;2、接收单元模块;3、电源控制单元模块;4、发射外壳;5、电源外壳;6、接收外壳;7、低频接口;8、射频接口;9、传输接口;10、低频连接器;11、螺纹连接孔;12、固定板;13、固定孔;71、低频插脚;72、低频插口;81、射频公口;82、射频母口。

具体实施方式

下面将结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

实施例1

如图1和图2所示,本实施例提供的高隔离度TR组件结构包括发射单元模块1、电源控制单元模块3和接收单元模块2,所述发射单元模块1放置在密闭的发射外壳4内,电源控制单元模块3放置在密闭的电源外壳5内,接收单元模块2放置在密闭的接收外壳6内,所述发射外壳4、电源外壳5和接收外壳6大小形状相同,且均为金属壳体,且发射外壳4、电源外壳5和接收外壳6重叠设置,电源外壳5位于发射外壳4与接收外壳6之间,所述电源外壳5顶面和底面分别设有与电源控制模块连接的低频插脚71和射频公口81,接收外壳6上与电源外壳5的低频插脚71和射频公口81对应处设有与接收单元模块2连接的低频插口72和射频母口82,发射外壳4上与电源外壳5的低频插脚71和射频公口81对应处设有与发射单元模块1连接的低频插口72和射频母口82,所述电源外壳5相对的两侧设有与电源控制模块连接的传输接口9和低频连接器10,电源外壳5上与传输接口9相邻的两侧对称设有固定板12,固定板12上开有固定孔13,所述发射外壳4和接收外壳6的相对两侧分别连接有传输接口9。

实施例2

本实施例与实施例1基本相同,仅是对发射外壳4、接收外壳6和电源外壳5作出了改变,所述发射外壳4、接收外壳6和电源外壳5的四个边角处对应开有螺纹连接孔11,螺纹连接孔11内连接有锁紧螺钉。

以上所述仅是本实用新型优选的实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何基于本实用新型所提供的技术方案和发明构思进行的改造和替换都应涵盖在本实用新型的保护范围内。

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