双动圈扬声器的制作方法

本实用新型涉及声学技术领域，更具体地说，涉及一种双动圈扬声器。

背景技术：

扬声器是生活中常用的一种电子产品，随着科学技术的发展，消费者对其音效也有了更高的追求。高频频宽能使扬声器的声音听感更加通透明亮。若扬声器工作于中高频段，音质轻盈细致，富有特色，很容易得到清澈透明的中高音。而现有相关技术中的双动圈扬声器，其中高频、高频表现能力不佳，不能使扬声器的声音听感更加通透明亮，无法满足人们的需求。

因此，需要提供一种改进的双动圈扬声器。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种改进的双动圈扬声器。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种双动圈扬声器，包括壳体以及设置在所述壳体内的高音单元和低音单元，所述高音单元包括盆架、高音振膜、高音磁铁和连接固定在所述盆架上的高音音圈，所述盆架将所述壳体分隔出一个第一腔室和第二腔室，所述低音单元设置在所述第二腔室内；

所述盆架包括朝向所述低音单元凹陷的凹陷部和在所述凹陷部的开口边缘向外延伸设置、与所述壳体连接的边缘部；

所述高音磁铁设置在所述凹陷部内，所述高音音圈环绕在所述高音磁铁的外围并被所述凹陷部的侧壁环绕，所述高音振膜横设在所述凹陷部的开口，并与所述高音音圈连接；所述边缘部上设有连通所述第一腔室与所述第二腔室的通孔。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述高音单元还包括华司，所述华司设置在所述高音磁铁靠近所述高音振膜的一端。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述盆架为导磁的T形铁。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述壳体上设有至少一个第一出音孔，所述第一出音孔将所述第一腔室与外界连通。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述低音单元包括低音振膜以及与所述低音振膜连接的低音音圈，所述低音振膜将所述第二腔室分隔出靠近所述盆架的第三腔室和远离所述盆架的第四腔室，所述低音音圈设置在所述第三腔室内。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述低音单元还包括低音磁铁，所述低音磁铁结合于所述盆架的边缘部并环绕在所述低音音圈的外围。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述低音音圈环绕在所述凹陷部的外围。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述壳体上设有至少一个第二出音孔，所述第二出音孔将所述第四腔室与外界连通。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述高音磁铁的外壁面与所述高音音圈的内壁面之间具有间隙；所述高音音圈的外壁面与所述凹陷部的内壁面之间具有间隙，所述高音音圈通过连接件连接所述凹陷部的开口边缘；

所述凹陷部的外壁面与所述低音音圈的内壁面之间具有间隙，所述低音音圈的外壁面与所述低音磁铁的内壁面具有间隙。

优选地，在本实用新型所述的双动圈扬声器中，所述壳体包括前壳以及与所述前壳相配合的后壳，所述盆架和低音单元设置在所述后壳中；

和/或，所述前壳的直径小于所述后壳的直径，所述前壳嵌入到所述后壳中。

实施本实用新型的双动圈扬声器，具有以下有益效果：本实用新型的双动圈扬声器通过对高音单元采用内磁结构，以避免高音单元外磁结构的低灵敏度，尽可能提升扬声器系统中高音部分的作用；同时取消盆架和高音磁铁的中孔，将低音单元的出气由盆架和高音磁铁的中间改为盆架侧边磁隙出气，使扬声器的声压级曲线向高频延伸，从而改善扬声器的音质，使扬声器的声音听感更加通透明亮。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型双动圈扬声器的结构示意图；

图2是本实用新型的双动圈扬声器与现有技术的双动圈扬声器的声压级曲线图。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

如图1所示，本实用新型双动圈扬声器包括壳体10以及设置在壳体10内的高音单元和低音单元，高音单元包括盆架21、高音振膜22、高音磁铁23和连接固定在盆架21上的高音音圈24，盆架21将壳体10分隔出一个第一腔室101和第二腔室102，低音单元设置在第二腔室102内。

盆架21作为支撑体，可用于支撑高音振膜22、高音磁铁23和高音音圈24。优选地，盆架21为导磁的T形铁。如图1所示，盆架21包括朝向低音单元凹陷的凹陷部211和在凹陷部211的开口边缘向外延伸设置、与壳体10连接的边缘部212；高音磁铁23设置在凹陷部211内，高音音圈24环绕在高音磁铁23的外围并被凹陷部211的侧壁环绕，高音振膜22横设在凹陷部211的开口，并与高音音圈24连接；边缘部212上设有连通第一腔室101与第二腔室102的通孔210，低音单元的声音可以从该通孔210传到第一腔室101。现有相关技术的双动圈扬声器，其低音单元是通过高音单元的盆架21中孔和高音磁铁23中孔出气，导致中高频、高频表现能力不佳，不能使扬声器的声音听感更加通透明亮，无法满足人们的需求。而本实用新型的双动圈扬声器通过将低音单元的出气由盆架21和高音磁铁23的中间改为盆架21侧边磁隙出气，使扬声器的声压级曲线向高频延伸，从而改善扬声器的音质，使扬声器的声音听感更加通透明亮。

本实用新型通过采用高音磁铁23设置在凹陷部211内、高音音圈24环绕在高音磁铁23的外围并被凹陷部211的侧壁环绕的内磁结构，以避免高音单元采用外磁结构的低灵敏度，尽可能提升扬声器系统中高音部分的作用，使扬声器的声音听感更加通透明亮。高音单元的高音音圈24环绕在高音磁铁23的外围，高音磁铁23自身会产生磁场，当高音音圈24有音频电流通过时，高音音圈24会产生随音频电流变化的磁场，这一磁场与高音磁铁23的磁场发生相互作用力，这个作用力就使高音振膜22在高音磁铁23的磁场中随着音频电流振动起来，振动就产生了与原音频信号波形相同的声音。

优选地，在本实用新型的双动圈扬声器中，高音单元还包括华司25(如图1所示)，华司25设置在高音磁铁23靠近高音振膜22的一端，用于给高音单元导磁。高音磁铁23的磁场通过华司25进行导向，使磁力线聚集得比较集中，从而增加磁场强度。

如图1所示，低音单元包括低音振膜31、与低音振膜31连接的低音音圈32以及低音磁铁33，低音振膜31将第二腔室102分隔出靠近盆架21的第三腔室103和远离盆架21的第四腔室104，低音音圈32设置在第三腔室103内，低音磁铁33结合于盆架21的边缘部212并环绕在低音音圈32的外围。优选地，低音音圈32环绕在凹陷部211的外围。低音磁铁33自身会产生磁场，将低音单元的低音音圈32置于低音磁铁33自身产生的磁场中，当低音音圈32有音频电流通过时，低音音圈32会产生随音频电流变化的磁场，这一磁场与低音磁铁33的磁场发生相互作用力，这个作用力就使低音音圈32在磁场中随着音频电流振动起来，振动就产生了与原音频信号波形相同的声音。

优选地，如图1所示，高音磁铁23的外壁面与高音音圈24的内壁面之间具有间隙；高音音圈24的外壁面与凹陷部211的内壁面之间具有间隙，高音音圈24通过连接件连接凹陷部211的开口边缘，该连接件的一端连接高音音圈24，另一端连接凹陷部211的开口边缘；凹陷部211的外壁面与低音音圈32的内壁面之间具有间隙，低音音圈32的外壁面与低音磁铁33的内壁面具有间隙。

如图1所示，壳体10上设有至少一个第一出音孔11和至少一个第二出音孔12，该第一出音孔11将第一腔室101与外界连通，该第二出音孔12将第四腔室104与外界连通，便于声音的传出。具体的，壳体10包括前壳13以及与前壳13相配合的后壳14，盆架21和低音单元设置在后壳14中。其中，前壳13设有连通第一腔室101与外界的第一出音孔11，后壳14设有连通第四腔室104与外界的第二出音孔12，即第一出音孔11设置在前壳13上，第二出音孔12设置在后壳14上。优选地，第一出音孔11设置在前壳13的与高音振膜22相对的壁面上，第二出音孔12设置在后壳14的与所述低音振膜31相对的壁面上。

优选地，在一些实施例中，前壳13的直径小于后壳14的直径，前壳13嵌入到后壳14中。例如图1所示，前壳13的直径小于后壳14的直径，使得前壳13能够嵌入后壳14中，如此，在组装过程，可以将所有的内部零件先装入到后壳14中，最后再盖上前壳13，给整个双动圈扬声器的组装带来了很大的便利。另外，所有的内部零件都可以靠后壳14的内径来定位，可直接组装进后壳14里面，生产工艺简便，效率高。

参阅图2，对本实用新型的双动圈扬声器进行性能测试，其中，标号A的曲线代表本实用新型双动圈扬声器的声压级曲线，标号B的曲线代表现有技术双动圈扬声器的声压级曲线。对比图2中所示的A、B曲线可知，本实用新型的双动圈扬声器在高频部分(6K～40KHz)明显比现有技术的双动圈扬声器灵敏度更高，高音的表现更出色。

综上所述，本实用新型的双动圈扬声器通过对高音单元采用内磁结构，以避免高音单元外磁结构的低灵敏度，尽可能提升扬声器系统中高音部分的作用；同时取消盆架21和高音磁铁23的中孔，将低音单元的出气由盆架21和高音磁铁23的中间改为盆架21侧边磁隙出气，使扬声器的声压级曲线向高频延伸，从而改善扬声器的音质，使扬声器的声音听感更加通透明亮。

可以理解的，以上实施例仅表达了本实用新型的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，可以对上述技术特点进行自由组合，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围；因此，凡跟本实用新型权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本实用新型权利要求的涵盖范围。