带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法及设备与流程

文档序号:17937529发布日期:2019-06-18 22:44阅读:509来源:国知局
带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法及设备与流程

本发明属于电磁环境效应试验评估技术技术领域,尤其涉及一种带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法及设备。



背景技术:

用频装备带内接收灵敏度高、对信号频率具有较强的选择性,一旦干扰信号频率远离其工作频率,临界干扰场强则迅速提升。除了三阶互调频率能够进入用频装备敏感频带的情况,或者在干扰信号的辐射频偏、二阶互调频差满足特定条件的情况以外,一般情况下带外干扰信号难以对其造成阻塞干扰。但是,当带外电磁辐射达到一定强度时,由于天线接收频率范围很宽,即使接收机具有频率选择能力,干扰信号经过限幅、滤波器以后仍有部分能量进入接收机内部,导致有用信号增益降低,造成阻塞效应。阻塞效应会对用频装备的正常工作造成严重影响。

无论用频装备选频特性好坏,只要天线接收的电信号按受试装备的工作序列由前向后传输,就有可能出现阻塞干扰效应,与电磁辐射频率是否处于受试装备敏感频带内没有关系,受影响的只是其临界干扰场强值大小及其随辐射频率的变化关系。

普通的电磁辐射阻塞效应评估大多针对三阶互调及二阶互调进行阻塞效应评估,侧重因干扰信号辐射频偏及互调造成的阻塞效应,并未充分评估由干扰信号场强引起的阻塞效应。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明实施例提供了一种带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法及设备,以解决现有技术缺乏对干扰信号场强引起的阻塞效应评估的问题。

根据第一方面,本发明实施例提供了一种带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,包括:在受试用频装备的工作频点对所述受试用频装备进行正弦调幅波电磁辐射效应试验,并获取对应的第一临界干扰场强有效值;在受试用频装备的工作频点对所述受试用频装备进行单频连续波电磁辐射效应试验,并获取对应的第二临界干扰场强有效值;根据所述第一临界干扰场强有效值和所述第二临界干扰场强有效值,确定所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型;根据所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型确定对应的预测模型;根据所述预测模型对所述受试用频装备进行带外多频电磁辐射阻塞效应预测。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,根据用频设备内部信号处理电路的弱非线性或动态范围不足的缺陷,分别建立对应的带外多频电磁辐射敏感预测模型,并根据对应的预测模型对受试用频装备进行非互调塞效应预测,能够对干扰信号场强引起的阻塞效应进行有效评估,适用于各类用频设备。

结合第一方面,在第一方面第一实施方式中,所述根据所述第一临界干扰场强有效值和所述第二临界干扰场强有效值,确定所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型,包括:计算所述第一临界干扰场强有效值和所述第二临界干扰场强有效值的比值;当所述比值大于或等于预设的比值阈值时,确定所述受试用频装备为场强有效值敏感型用频装备。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,根据正弦调幅波和单频连续波电磁辐射效应试验对应的临界干扰场强有效值的比值,能够快捷、准确地确定受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型,进而为后续步骤确定对应的预测模型做好准备。

结合第一方面第一实施方式,在第一方面第二实施方式中,所述根据所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型确定对应的预测模型,包括:当所述受试用频装备为场强有效值敏感型用频装备时,通过

建立对应的预测模型;其中,ri表示所述受试用频装备的第一带外多频电磁辐射阻塞效应指数;ej0表示所述受试用频装备在单频电磁辐射作用下的临界干扰场强;ej表示电磁辐射干扰信号的场路耦合系数。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,在确定受试用频装备属于场强有效值敏感型用频装备后,通过受试用频装备在单频电磁辐射作用下的临界干扰场强,以及电磁辐射干扰信号的场路耦合系数,计算得到受试用频装备的带外多频电磁辐射阻塞效应指数,实现了对干扰信号场强引起的阻塞效应的有效评估。

结合第一方面第一实施方式,在第一方面第四实施方式中,所述根据所述第一临界干扰场强有效值和所述第二临界干扰场强有效值,确定所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型,还包括:当所述比值小于预设的比值阈值时,确定所述受试用频装备为场强幅值敏感型用频装备。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,在第一临界干扰场强有效值和第二临界干扰场强有效值的比值小于预设的比值阈值时,直接确定受试用频装备属于场强幅值敏感型用频装备,进而为后续步骤确定对应的预测模型做好准备。

结合第一方面第四实施方式,在第一方面第五实施方式中,所述根据所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型确定对应的预测模型,还包括:当所述受试用频装备为场强幅值敏感型用频装备时,通过

建立对应的预测模型;其中,rii表示所述受试用频装备的第二带外多频电磁辐射阻塞效应指数;uα表示带外多频干扰电平;un表示归一化场强临界值。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,在确定受试用频装备属于场强幅值敏感型用频装备后,通过受试用频装备的带外多频干扰电平,以及对应的归一化场强临界值,计算得到受试用频装备的带外多频电磁辐射阻塞效应指数,实现了对干扰信号场强引起的阻塞效应的有效评估。

结合第一方面第四实施方式,在第一方面第五实施方式中,获取所述归一化场强临界值的过程包括:根据所述第一临界干扰场强有效值和所述第二临界干扰场强有效值的比值,确定对应的归一化场强临界值。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,利用第一临界干扰场强有效值和第二临界干扰场强有效值的比值,确定对应的归一化场强临界值,进而为后续步骤通过预测模型计算受试用频装备的带外多频电磁辐射阻塞效应指数做好准备。

结合第一方面或第一方面第一至第五中的任一实施方式,在第一方面第六实施方式中,所述根据所述预测模型对所述受试用频装备进行带外多频电磁辐射阻塞效应预测,包括:根据所述预测模型计算所述受试用频装备的带外多频电磁辐射阻塞效应指数;当所述带外多频电磁辐射阻塞效应指数大于或等于预设的指数阈值时,确定所述受试用频装备出现阻塞干扰。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,在确定了受试用频装备的预测模型后,利用预测模型计算受试用频装备的外多频电磁辐射阻塞效应指数,从而实现了对受试用频装备的带外多频电磁辐射阻塞预测。

根据第二方面,本发明实施例提供了一种带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测装置,包括:试验单元,用于在受试用频装备的工作频点对所述受试用频装备进行正弦调幅波电磁辐射效应试验,并获取对应的第一临界干扰场强有效值;以及用于在受试用频装备的工作频点对所述受试用频装备进行单频连续波电磁辐射效应试验,并获取对应的第二临界干扰场强有效值;模型确定单元,用于根据所述第一临界干扰场强有效值和所述第二临界干扰场强有效值,确定所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型;以及用于根据所述受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型确定对应的预测模型;预测单元,用于根据所述预测模型对所述受试用频装备进行带外多频电磁辐射阻塞效应预测。

根据第三方面,本发明实施例提供了一种终端设备,包括:包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面或第一方面任一实施方式所述方法的步骤。

根据第四方面,本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面或第一方面任一实施方式所述方法的步骤。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例中受试用频设备的输入输出矢量分析图;

图2是本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法的一个具体示例的流程图;

图3是本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法的另一个具体示例的流程图;

图4是本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测装置的一个具体示例的结构示意图;

图5是本发明实施例提供的终端设备的一个具体示例的结构示意图。

具体实施方式

以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本发明实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中,省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本发明的描述。

为了说明本发明所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。

用频设备中,信号处理电路的弱非线性和动态范围不足分别是导致有用信号增益降低而出现阻塞效应的本质原因,但两者的效应机理和多频电磁辐射敏感度变化规律并不同,需要分别进行预测评估。

对于弱非线性导致的带外多频电磁辐射阻塞,可以首先分析输入信号与输出信号的对应关系。电磁辐射信号经天线耦合进入接收机的射频前端前,一般都会经过带通滤波器的选择抑制,这些电路及其后续信号处理电路一般具有非线性响应特性,在输入信号不太强的情况下,其输出信号可以用幂级数表示为:

当输入信号较小时,电路工作于线性区域,只取幂级数的前两项即可;而当输入信号较大时,电路响应的非线性逐渐显现,一般取幂级数的前四项作近似处理。

有用信号基波的增益as可表示为:

其中,输入信号es、ds和ej、dj分别是有用信号和电磁辐射干扰信号的辐射场强和场路耦合系数。

若受试用频装备在单频电磁辐射作用下的临界干扰场强为ej0(f),多频电磁辐射临界干扰对应的电磁辐射场强组合为(e1、e2、…、en),定义线性不良多频阻塞效应指数ri为:

由此可见,因受试用频设备的弱非线性响应导致的多频连续波电磁辐射效应,对干扰场强有效值敏感,可以利用式(3)所示的有效值敏感型带外多频电磁辐射阻塞效应预测模型对受试用频设备进行阻塞效应预测。

当干扰信号过强,使受试装备电路工作于截止区、饱和区时,即受试用频设备的动态范围不足时,若用式(1)表示输出信号,需保留许多项才能保证其准确度,一般不再采用幂级数分析法进行处理。图1所示为受试用频设备的输入输出矢量分析图。如图1所示,当输入小信号r(t)时,理想线性电路输出的信号幅值为k0r(t);但当输入信号r(t)的幅值超过限值时,输出信号uo(t)的幅值将钳位于受试装备信号处理电路的饱和电平um,此时:

其中,k0表示受试装备信号处理电路的增益。

利用第一类n阶贝塞尔函数对上式进行傅里叶级数展开可得:

有用信号的增益ks为:

由此可见,在大信号干扰作用下,有用信号的增益取决于干扰信号的幅值和信号处理电路的饱和电压。干扰信号越强,有用信号增益越小,直至出现阻塞效应。信号处理电路动态范围不足是导致用频装备阻塞效应对干扰场强幅值敏感的本质原因。

当受试装备同时受到多个单频大信号干扰时,接收机输入端的信号仍然满足只是干扰信号合成振幅变为时变量,仿照图1进行矢量分析,若以干扰信号包络最大值代替其瞬时值进行推导,有用信号的增益变为因此,出现多频阻塞干扰时的有用信号增益与出现单频干扰时的有用信号增益相同,可以得到带外多频电磁辐射阻塞效应指数rⅱ:

其中,ej0为单频干扰信号fj对应的受试装备临界干扰场强,ej为带外多频共同作用时频率fj对应的干扰场强分量。

从推导过程可以看出,式(7)是将干扰信号峰值看作其振幅得到的近似结果。也就是说,干扰场强仅满足式(7)尚不足以导致受试装备出现阻塞干扰。下面通过试验的方法对式(7)进行修正。

设受试装备的临界干扰电平为u0,出现临界干扰时连续波信号在一个周期内电平值超过受试装备临界干扰电平值u0的时间占比为干扰因子,记为α。将受试装备干扰信号电平与相应频率的单频临界干扰信号电平幅值之比称为归一化电平值uα。若在不同连续波干扰信号作用下,受试装备出现临界干扰时的归一化电平值和干扰因子均相同,那么,以受试装备调幅波(调幅深度100%)与单频连续波(与调幅波载波频率相同)电磁辐射临界干扰效应试验数据为依据,使两者同时满足归一化电平值超过某一临界值(例如,归一化场强临界值un)的干扰因子α相同,可以求得正弦调幅波与单频连续波临界干扰场强的有效值之比eame/esine所对应的归一化场强临界值un和干扰因子α的值,如表1所示。

表1eame/esine对应的归一化场强值和干扰因子

对于干扰场强幅值敏感型受试装备,可以首先根据正弦调幅波(调幅深度100%)与单频连续波临界干扰场强的有效值之比,查表1确定干扰因子α的值;然后对带外多频干扰场强瞬时值以相应频率的临界干扰场强幅值分别进行归一化,对归一化的频率分量求和,由周期内归一化干扰电平幅值超过uα的比例达到α,求出带外多频干扰电平uα的值,则修正后的带外多频电磁辐射阻塞效应指数rⅱ为:

式(8)即为修正后的场强幅值敏感型受试装备带外多频电磁辐射阻塞效应预测模型。

在一些实施例中,如图2所示,可以通过执行几下步骤,并利用式(3)或式(8)所示的预测模型实现对受试用频设备的带外多频电磁辐射阻塞效应预测:

步骤s101:在受试用频装备的工作频点对受试用频装备进行正弦调幅波电磁辐射效应试验,并获取对应的第一临界干扰场强有效值。进行正弦调幅波电磁辐射效应试验时,幅度调制频率不宜大于受试装备敏感带宽的5%,以降低因单频电磁辐射敏感度随辐射频偏变化对试验误差造成的影响。

步骤s102:在受试用频装备的工作频点对受试用频装备进行单频连续波电磁辐射效应试验,并获取对应的第二临界干扰场强有效值。

步骤s103:根据第一临界干扰场强有效值和第二临界干扰场强有效值,确定受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型。

在一具体实施方式中,如图3所示,可以通过以下几个子步骤实现步骤s103的过程:

步骤s1031:计算第一临界干扰场强有效值和第二临界干扰场强有效值的比值。

步骤s1032:判断比值是否大于或等于预设的比值阈值。当比值大于或等于预设的比值阈值时,执行步骤s1033;当比值小于预设的比值阈值时,执行步骤s1034。

步骤s1033:确定受试用频装备为场强有效值敏感型用频装备。

步骤s1034:确定受试用频装备为场强幅值敏感型用频装备。

在进行带外多频电磁辐射阻塞效应评估预测时,首先需要确定效应模型的类别和模型参数,依据是正弦调幅波与单频连续波临界干扰场强的有效值之比eame/esine。计算表明:当eame/esine≥0.9时,受试装备属于场强有效值敏感型用频装备;当0.61<eame/esine<0.90时,受试装备属于场强幅值敏感型用频装备。对于eame/esine≦0.61的受试用频设备,不适宜采用本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法进行阻塞效应预测。

步骤s104:根据受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型确定对应的预测模型。

在一具体实施方式中,当受试用频装备为场强有效值敏感型用频装备时,通过

建立对应的预测模型。

其中,ri表示受试用频装备的第一带外多频电磁辐射阻塞效应指数;ej0表示受试用频装备在单频电磁辐射作用下的临界干扰场强;ej表示电磁辐射干扰信号的场路耦合系数。

当受试用频装备为场强幅值敏感型用频装备时,通过

建立对应的预测模型。

其中,rii表示受试用频装备的第二带外多频电磁辐射阻塞效应指数;uα表示带外多频干扰电平;un表示归一化场强临界值,可以根据第一临界干扰场强有效值和第二临界干扰场强有效值的比值并查询表1,从而确定对应的归一化场强临界值。

步骤s105:根据预测模型对受试用频装备进行带外多频电磁辐射阻塞效应预测。

在一具体实施方式中,如图3所示,可以通过以下几个子步骤实现步骤s105的过程:

步骤s1051:根据预测模型计算受试用频装备的带外多频电磁辐射阻塞效应指数。

步骤s1052:判断带外多频电磁辐射阻塞效应指数是否大于或等于预设的指数阈值。当带外多频电磁辐射阻塞效应指数大于或等于预设的指数阈值时,执行步骤s1053;当带外多频电磁辐射阻塞效应指数小于预设的指数阈值时,执行步骤s1054。

步骤s1053:确定受试用频装备出现阻塞干扰。

步骤s1054:确定受试用频装备能够正常工作。

在一具体实施方式中,可以利用环境电磁辐射参数预测或实测数据、单频电磁辐射临界干扰场强测试数据和多频阻塞效应模型,计算外多频电磁辐射阻塞效应指数r(rⅰ或rⅱ)。若r≥1,则受试装备会受到阻塞干扰;若r<1,则受试装备能够正常工作。

由于带外多频互调效应会导致受试装备电磁辐射敏感度提高,在进行带外多频非互调电磁辐射阻塞效应评估预测时,需要剔除个别频点的干扰信号。相关频率信号的三阶互调若处于受试装备敏感频带内,按三阶互调阻塞干扰效应模型进行预测评估。若辐射频偏、二阶互调频差满足二阶互调低频阻塞敏感条件,按二阶互调低频阻塞干扰效应模型进行预测评估。

本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,根据用频设备内部信号处理电路的弱非线性或动态范围不足的缺陷,分别建立对应的带外多频电磁辐射敏感预测模型,并根据对应的预测模型对受试用频装备进行塞效应预测,能够对干扰信号场强引起的阻塞效应进行有效评估,适用于各类用频设备。

应理解,上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。

为了验证本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法,先后以五个型号的典型通信电台作为受试对象进行了多频电磁辐射效应建模及其模型准确性的试验验证。试验结果表明:通信装备多频干扰究竟对场强有效值敏感还是对场强幅值敏感与其调制方式并无确定的关系,两个m电台中,一个对场强幅值敏感,另一种对场强有效值敏感,试验结果如表2所示。受篇幅限制,下面给出前两种电台的验证结果。

表2受试电台调幅波与单频连续波电磁辐射临界干扰场强比较

tcr171-2型通信电台在其工作频率的正弦调幅波(调幅深度100%)与单频连续波电磁辐射阻塞效应临界干扰场强有效值之比eame/esine=0.964,属于场强有效值敏感型用频装备。设定电台的工作频率为60mhz,双频干扰频差小于10khz或大于140khz,避开三阶互调、二阶互调敏感频点,进行带外双频电磁辐射阻塞效应测试,以误码率10%作为敏感判据,确定双频临界干扰场强组合与其单频临界干扰场强的比值,按式(3)所示预测模型计算多频阻塞效应指数ri,验证预测模型的准确性。测试及数据处理结果如表3所示,多频阻塞效应指数处于0.91~1.20之间,模型准确性优于1.6db。

tbr120a型通信电台的正弦调幅波与单频连续波电磁辐射阻塞效应临界干扰场强有效值之比eame/esine=0.721,属于场强幅值敏感型用频装备。设定电台工作频率为50mhz,双频干扰频差大于150khz,避开三阶互调、二阶互调敏感频点,进行带外双频电磁辐射阻塞效应测试。由于该型电台自身不具备误码率测试功能,试验时以语音难以分辩或通信中断作为敏感判据,确定双频临界干扰场强组合与其单频临界干扰场强的比值,查表1确定归一化场强临界值un的干扰因子α的值,按式(8)所示预测模型计算多频阻塞效应指数rⅱ,验证模型的准确性。测试及数据处理结果如表4所示,多频阻塞效应指数均在0.99~1.34之间,最大误差2.54db。

表3有效值敏感电台带外双频临界阻塞干扰场强与多频阻塞效应指数

表4幅值敏感电台带外双频临界阻塞干扰场强与多频阻塞效应指数

上述试验结果验证了带外多频非互调电磁辐射阻塞效应建模方法的准确性,两种效应模型的准确度均优于3db。

强电磁辐射除了会造成阻塞效应外,还能够导致地电位波动、引起供电电源电压瞬时跌落,使受试装备出现重启、死机或功能紊乱、显示错误等故障。这些效应虽然出现的位置各不相同,但其内在原因却是相同的——地电位或电压波动。根据电磁场迭加原理和场线耦合理论,电位波动与辐射场强成线性正比关系,带外多源强场电磁辐射效应必定与辐射场强幅值相关。通过对本发明实施例提供的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法稍加改进,可以实现强场电磁辐射效应的预测。上述强场电磁辐射效应包括重启、死机或功能紊乱、显示错误等故障,不包括阻塞效应。在对上述强场电磁辐射效应建模预测或评估时,需分别针对每种效应进行建模,但建模方法是相同的,下面以重启效应为例进行阐述。

首先,对受试设备在多个带外敏感频点分别进行单频连续波和正弦调幅波(调幅深度100%)临界干扰效应试验,以不同频点的正弦调幅波与单频连续波临界干扰场强有效值之比eame/esine的平均值为依据,确定带外强场连续波电磁辐射效应模型类型和相关参数。

若平均值eame/esine≥0.9,则受试装备的强场电磁辐射效应对场强有效值敏感,当其受到带外多频电磁辐射作用时,采用式(3)所示的有效值敏感型带外多频强场电磁辐射效应模型计算带外多频强场电磁辐射效应指数进行多频效应评估预测。

当0.61<eame/esine<0.90时,受试装备的强场电磁辐射效应对场强幅值敏感,查表1确定归一化场强临界值un和干扰因子α的值。然后对带外多频干扰场强瞬时值以相应频率的临界干扰场强幅值分别进行归一化,对归一化的频率分量求和,由周期内归一化干扰电平幅值超过uα的比例达到α,求出带外多频干扰电平uα的值,采用式(8)所示的幅值敏感型带外多频强场电磁辐射效应模型计算带外多频强场电磁辐射效应指数进行多频效应评估预测。

最后,利用环境电磁辐射参数预测或实测数据、单频电磁辐射临界干扰场强测试数据和带外多频强场电磁辐射效应模型,计算效应指数r(rⅰ或rⅱ)。若r≥1,则受试装备会出现给定的强场电磁辐射效应;若r<1,则受试装备能够正常工作。

本发明实施例还提供了一种带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测装置,如图4所示,该装置可以包括:试验单元401、模型确定单元402和预测单元403。

其中,试验单元401用于在受试用频装备的工作频点对受试用频装备进行正弦调幅波电磁辐射效应试验,并获取对应的第一临界干扰场强有效值;以及用于在受试用频装备的工作频点对受试用频装备进行单频连续波电磁辐射效应试验,并获取对应的第二临界干扰场强有效值;其对应的工作过程可参见上述方法实施例中步骤s101至步骤s102所述。

模型确定单元402用于根据第一临界干扰场强有效值和第二临界干扰场强有效值,确定受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型;以及用于根据受试用频装备的带外多频电磁辐射敏感类型确定对应的预测模型;其对应的工作过程可参见上述方法实施例中步骤s103至步骤s104所述。

预测单元403用于根据预测模型对所述受试用频装备进行带外多频电磁辐射阻塞效应预测,其对应的工作过程可参见上述方法实施例中步骤s105所述。

本发明实施例还提供了一种终端设备,如图5所示,该终端设备可以包括处理器501和存储器502,其中处理器501和存储器502可以通过总线或者其他方式连接,图5中以通过总线连接为例。

处理器501可以为中央处理器(centralprocessingunit,cpu)。处理器501还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(digitalsignalprocessor,dsp)、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit,asic)、现场可编程门阵列(field-programmablegatearray,fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片,或者上述各类芯片的组合。

存储器502作为一种非暂态计算机可读存储介质,可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块,如本发明实施例中的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法对应的程序指令/模块(例如,图4所示的试验单元401、模型确定单元402和预测单元403)。处理器501通过运行存储在存储器502中的非暂态软件程序、指令以及模块,从而执行处理器的各种功能应用以及数据处理,即实现上述方法实施例中的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法。

存储器502可以包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序;存储数据区可存储处理器501所创建的数据等。此外,存储器502可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非暂态存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中,存储器502可选包括相对于处理器501远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至处理器501。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

所述一个或者多个模块存储在所述存储器502中,当被所述处理器501执行时,执行如图2至图3所示实施例中的带外多频非互调电磁辐射阻塞效应预测方法。

上述终端设备具体细节可以对应参阅图2至图3所示的实施例中对应的相关描述和效果进行理解,此处不再赘述。

本领域技术人员可以理解,实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(read-onlymemory,rom)、随机存储记忆体(randomaccessmemory,ram)、快闪存储器(flashmemory)、硬盘(harddiskdrive,缩写:hdd)或固态硬盘(solid-statedrive,ssd)等;所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。

以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本发明的保护范围之内。

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