发声装置以及电子设备的制作方法

本实用新型涉及电声转换技术领域，更具体地，涉及一种发声装置以及电子设备。

背景技术：

在现有的发声器件中，通常由单振膜、单音圈、磁路组件和外壳构成，无法实现双面发声的功能。磁铁一般设于导磁轭同一侧，磁铁用于形成磁间隙，单音圈插入磁间隙中。若想实现双振膜双面发声，则需要在导磁轭两侧分别设置磁铁，两次的磁铁形成相互独立的磁间隙。这样整个器件的体积就会变大，不利于小型化。

因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现要素：

本实用新型的一个目的是提供一种发声装置的新技术方案。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种发声装置。该发声装置包括：壳体，在所述壳体的内部形成腔体；

磁路系统，所述磁路系统包括导磁轭、中心磁铁和边磁铁，所述导磁轭包括第一固定部、第二固定部以及连接部，所述导磁轭为一体或分体结构，所述第一固定部的中部设有通孔，所述第二固定部与所述通孔相对且所述第二固定部与所述第一固定部位于不同的平面上，所述中心磁铁被设于所述第二固定部的靠近所述第一固定部的表面上，所述边磁铁被设于所述第一固定部的靠近所述第二固定部的表面上，所述中心磁铁与所述第一固定部之间形成第一磁间隙，所述边磁铁与所述第二固定部之间形成第二磁间隙，所述连接部至少设有一个与所述边磁铁对应的开口，所述开口被配置为减小所述开口位置处的所述边磁铁与所述中心磁铁之间间隙的宽度；两个振动系统,两个所述振动系统分别设于所述磁路系统的两侧。

可选地，所述发声装置为矩形，所述连接部设于短轴方向的两条边，所述连接部位于长轴方向的两条边为开口。

可选地，所述导磁轭为分体结构，所述连接部与所述第一固定部、第二固定部中一个为一体成型且与另外一个为分体结构。

可选地，所述导磁轭为分体结构，所述连接部包括第一连接部和第二连接部，所述第一连接部与所述第一固定部一体成型，所述第二连接部与所述第二固定部一体成型，所述第一连接部与所述第二连接部固定连接进而将第一固定部和第二固定部连接。

可选地，所述第一固定部、所述第二固定部和所述连接部均相互独立，所述连接部的一端连接所述第一固定部，所述连接部的另外一端连接所述第二固定部。

可选地，所述第一固定部、所述第二固定部以及所述连接部通过冲压一体成型。

可选地，其特征在于，所述第一固定部与所述第二固定部的连接方式为激光电焊或冲压铆接。

可选地，所述连接部的至少一个端部设有第一压薄拼接部，所述第一固定部和/或所述第二固定部与所述连接部连接处设有第二压薄拼接部，所述第一压薄拼接部与所述第二压薄拼接部相适配。

可选地，所述第一连接部与所述第二连接部分别设有相互适配的压薄拼接部。

可选地，所述第二固定部的面积大于所述通孔的面积。

可选地，所述第一固定部与壳体注塑为一体。

根据本公开的另一个方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括外壳和上述的发声装置，所述发声装置被设置在所述外壳内，在所述外壳上设有出声口，所述出声口与所述发声装置的出声孔连通。

本实用新型的技术效果至少在于，中心磁铁、边磁铁和导磁轭的组合结构可以更为紧凑，同样，发声装置厚度不变的情况下，磁铁的体积能够增大，声学性能好。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是根据本实用新型的一个实施例的发声装置的爆炸图；

图2是根据本实用新型的一个实施例的发声装置的俯视图；

图3是根据本实用新型的一个实施例的发声装置沿长轴方向的剖视图；

图4是根据本实用新型的一个实施例的发声装置沿短轴方向的剖视图；

图5是根据本实用新型的一个实施例的导磁轭的结构图；

图6是根据本实用新型的另一个实施例的发声装置的爆炸图；

图7是根据本实用新型的另一个实施例的发声装置沿长轴方向的剖视图；

图8是根据本实用新型的另一个实施例的发声装置沿短轴方向的剖视图；

图9是根据本实用新型的另一个实施例的导磁轭的结构图；

图10是根据本实用新型的另一个实施例的导磁轭的爆炸图。

附图标记：

11为补强部，121为第一振膜，122为第二振膜，131为第一定心支片，132为第二定心支片，141为第一音圈，142为第二音圈，15为导磁轭，151为第二固定部，1511为第二压薄拼接部，152为连接部，1521为第一压薄拼接部，153为第一固定部，161为第一壳体，162为第二壳体，17为中心华司，18为磁铁，181为中心磁铁，182为边磁铁。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，绝不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

根据本实用新型的一个实施例，提供了一种发声装置。该发声装置包括：壳体、磁路系统、第一振动系统和第二振动系统。第一振动系统和第二振动系统分别位于磁路系统的上、下侧。两个振动系统共用一个磁路系统，以进行发声。发声装置的整体可以是但不局限于呈圆形结构、矩形结构或者跑道型结构。下面以矩形结构或跑道型结构为例进行说明。

如图3所示，在壳体的内部形成腔体。例如，壳体包括第一壳体161和第二壳体162。第一壳体161和第二壳体162围合在一起，以在它们内部形成腔体。第一振动系统和第二振动系统分别悬置在磁路系统的上、下端。

如图1和3所示，磁路系统包括导磁轭15和磁铁18，其中磁铁18包括中心磁铁181和边磁铁182。中心磁铁181和边磁铁182通过导磁轭15安装在腔体内。磁路系统还包括中心华司17和边华司，中心华司17与中心磁铁181固定连接，边华司与边磁铁182固定连接，导磁轭15、中心华司17和边华司为导磁材料制成，起到聚拢和引导磁力线方向的作用。

如图5和9所示，导磁轭15的整体呈碗状。导磁轭15包括第一固定部153、第二固定部151以及用于连接第一固定部153和第二固定部151的连接部152。第一固定部153的中部设有通孔。第二固定部151和通孔相对设置并且第二固定部151与第一固定部153位于不同的平面上，故在安装完成后，中心磁铁181的外侧面和边磁铁182的内侧面能够至少部分面积相对设置，能够节约内部空间，也可以理解为相同内部空间下，磁铁的体积能够增大，提升声学性能。

可选地，导磁轭15的第二固定部151既可以支撑中心磁铁181，第一固定部153又可以充当边华司注塑到壳体中实现导磁轭15的固定。

可选地，如图6-10所示，导磁轭15为分体结构，制造成本能够降低，第二固定部151的面积可根据实际需求进行调整，例如，第二固定部151的面积大于通孔的面积，相当于第一固定部183、边磁铁182进一步向中心磁铁181聚拢，发声装置体积更小；也可以理解为在发声装置体积不变的情况下，第二固定部151和中心磁铁181的体积可以更大，进而磁场强度提升，发声装置的性能更高。

如图3、4、7和8所示，中心磁铁181被设置在第二固定部151的靠近第一固定部153的表面上，例如，该表面为平面，通过粘接剂将中心磁铁181进行固定。中心华司17设于中心磁铁181远离第二固定部151的一侧。

边磁铁182被设置在第一固定部153的靠近第二固定部151的表面上，例如，该表面为平面，通过粘接剂将边磁铁182进行固定。边华司设于边磁铁182远离第一固定部153的一侧。

如图2、4和8所示，中心磁铁181与第一固定部153之间形成第一磁间隙，边磁铁182与第二固定部151之间形成第二磁间隙。振动系统包括分别设于磁路系统两侧的第一振动系统和第二振动系统，第一振动系统包括第一振膜121、设置于第一振膜121上的补强部11和第一音圈141，第一音圈141经由通孔插入第一磁间隙中。第二振动系统包括第二振膜122、设置于第二振膜122上的补强部11和第二音圈142，第二音圈142经由第二固定部151的外侧插入第二磁间隙中。第一音圈141的外径小于或等于第二音圈142的内径。第一音圈141的远离磁路系统的一端与第一振膜121连接，第一振膜121的边缘环绕固定在第一壳体161上，连接部152位于第一音圈141和第二音圈142之间。

优选地，第一振膜121和第二振膜122的有效辐射面积的大小差异≤20％。有效辐射面积是指振膜的有效振动部分的面积。例如，振膜为折环振膜，则折环部和中心部位有效振动部分。例如，振膜为平面振膜，则边缘部以内的部分为有效振动部分。第一振膜121和第二振膜122的有效辐射面积的大小差异在上述范围内时，两个振膜的振幅相当，振动叠加的效果更加明显。

可选地，发生装置还包括至少一个定心支片。第一音圈141和/或第二音圈142通过定心支片与外部电路导通，以接收电信号。

优选地，发声装置包括两个定心支片，分别为第一定心支片131和第二定心支片132，第一定心支片131贴合在第一振膜121的表面，第二定心支片132固定于第二音圈142远离第二振膜122的一端，第一音圈141和第二音圈142分别通过第一定心支片131和第二定心支片132与外部电路导通。

连接部152连接在第一固定部153的内边和第二固定部151的外边之间。连接部152至少设有一个与边磁铁182对应的开口。至少设有一个与边磁铁182对应的开口是指第一固定部153和第二固定部151之间至少部分未通过连接部152连接。开口被配置为至少减小开口位置处的中心磁铁181和边磁铁182之间间隙的宽度。

在一个例子中，发声装置为矩形，如图5所示，连接部152设于短轴方向的两条短边，位于长轴方向相对的两条边为开口，以形成镂空结构。镂空结构是指此处第一固定部153和第二固定部151之间没有连接部152。这样能最大限度地利用腔体内部的空间，中心磁铁181和边磁铁182之间的距离能做的更小。

减小中心磁铁181和边磁铁182之间的距离通常包括：通过增加中心磁铁181和/或边磁铁182的宽度来减小间隙的宽度。在这种方式中，一方面由于磁铁的质量增加故能够显著地增加两个磁间隙内的磁感强度；另一方面，间隙的宽度减小本身能够更有效地聚拢磁场，从而提高磁感强度。

或者，通过移动边磁铁182，以使至少部分边磁铁182与中心磁铁181之间的距离减小。在这种方式中，由于中心磁铁181与边磁铁182之间的距离减小，故两个磁间隙中的磁场的磁感强度能显著地提高。此外，由于腔体内的空间利用率提高，故相同响度的发声装置，体积能做的更小。

上述两种方式均能提高发声装置的响度。

在一个例子中，第一振动系统和第二振动系统能够同时工作。两个声信号能够相互叠加，从而进一步提高发声装置的响度，在另外的例子中，第一振动系统和第二振动系统也可以有选择的分时段工作，具备独立的功能。

在一个例子中，连接部152与第一固定部153为一体成型，连接部152与第二固定部151为分体结构，连接部152远离第一固定部153的一端与第二固定部151固定连接。

或者，连接部152与第二固定部151为一体成型，连接部152与第一固定部153为分体结构，连接部152远离第二固定部151的一端与第一固定部153固定连接。

可选地，连接部152包括第一连接部152和第二连接部152，第一连接部152与第一固定部153一体成型，第二连接部152与第二固定部151一体成型，即第一连接部152、第二连接部152分别是由第一固定部153、第二固定部151延伸形成。第一连接部152与第二连接部152固定连接进而将第一固定部153和第二固定部151固定连接。

可选地，第一固定部153、第二固定部151和连接部152为分体结构，即导磁轭15分为三个独立部分。连接部152的一端连接第一固定部153，连接部152的另外一端连接第二固定部151。

这样，导磁轭15存在多种分体连接方式，由于分体结构制造难度低，良品率高，进而制造成本降低，而且，通过分体结构，第二固定部151的面积可以根据实际需求进行调整，例如，第二固定部151的面积大于通孔的面积。第二固定部151面积的增大可以使磁力线更为聚拢，发声装置性能进一步提升。

可选地，导磁轭15通过冲压一体成型为第一固定部153、第二固定部151以及连接部152。此时，导磁轭15既可以用以支撑中心磁铁181，又可以充当边华司注塑到壳体中实现导磁轭15的固定。

优选地，导磁轭15为分体结构时，连接部152与第一固定部153和/或第二固定部151通过激光电焊或冲压铆接固定连接，或者第一连接部152与第二连接部152通过激光电焊或冲压铆接固定连接。

激光电焊和冲压铆接的工艺简单且牢靠，有利于保证发声装置的质量和较低的制造成本。

优选地，导磁轭15为分体结构时，连接部152的一端部设有第一压薄拼接部1521，第一固定部153与连接部152连接处设有第二压薄拼接部，第一压薄拼接部1521与第二压薄拼接布相适配。

或者，第二固定部151与连接部152连接处设有第二压薄拼接部1511，第一压薄拼接部1521与第二压薄拼接布相适配。

或者，连接部152的两端部设有第一压薄拼接部1521，第一固定部153、第二固定部151与连接部152连接处设有第二压薄拼接部1511，第一压薄拼接部1521与第二压薄拼接布相适配。

或者，第一连接部152与第二连接部152分别设有相互适配的压薄拼接部。

通过设置压薄拼接部，可以增大连接部152与第一固定部153、第二固定部151的结合面积或增大第一连接部152与第二连接部152的结合面积，以进一步增强牢固程度，提高产品可靠性。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种电子设备。电子设备可以是但不局限于手机、笔记本电脑、平板电脑、游戏机、智能手表、电视机、对讲机等。

该电子设备包括外壳和上述发声装置。发声装置被设置在外壳内。在外壳上设置有出声口，出声口与发声装置的出声孔连通。例如，外壳包括侧边框。在侧边框上开设有出声口，发声装置被固定在侧边框的内侧。

该电子设备具有发声效果良好、制造成本低的特点。

虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。