1.一种基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，包括射频芯片、程控阻抗匹配切换模块、继电器多天线切换模块、mcu模块和多个射频天线，所述射频天线为带常规阻抗匹配谐振电路的射频天线；
所述射频芯片连接所述程控阻抗匹配切换模块，所述继电器多天线切换模块连接所述程控阻抗匹配切换模块和所述多个射频天线连接，所述mcu模块连接所述程控阻抗匹配切换模块和所述继电器多天线切换模块。
2.根据权利要求1所述的基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，所述射频芯片和所述程控阻抗匹配切换模块之间设置有双端转单端模块，所述双端转单端模块连接所述射频芯片和所述程控阻抗匹配切换模块。
3.根据权利要求2所述的基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，所述双端转单端模块包括双端转单端电路，所述双端转单端电路包括：电容c10、电容c11、电容c22、电容c14、电感l1和电感l2，电容c10接地，电容c10的另一端连接所述射频芯片和电感l1，电感l1的另一端连接电容c11和电容c14，电容c14的另一端连接所述射频芯片的另一端和电感l2，电感l2的另一端连接电容c22，电容c22的另一端接地，电容c11的另一端连接所述程控阻抗匹配切换模块。
4.根据权利要求2所述的基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，所述程控阻抗匹配切换模块包括程控阻抗匹配切换电路，所述程控阻抗匹配切换电路包括：高频切换开关u11、高频切换开关u13、电感l3、电感l5、电容c60、电容c61、电容c62、电容c63、电容c64、电容c65、电容c66、电容c67、电容c69和电容c70，所述高频切换开关u11包括6个引脚，所述高频切换开关u13包括6个引脚；
电感l3连接所述双端转单端电路，电感l3的另一端连接电感l5、电容c60和电容c61，电容c60的另一端连接电容c61的另一端和所述高频切换开关u11的3引脚，所述高频切换开关u11的2引脚接地，所述高频切换开关u11的4引脚连接电容c64和所述mcu模块，电容c64的另一端接地，所述高频切换开关u11的5引脚连接电容c66，电容c66的另一端接地，所述高频切换开关u11的6引脚连接电容c69和所述mcu模块，电容c69的另一端接地；
电感l5的另一端连接电容c62、电容c63和所述继电器多天线切换模块，电容c62的另一端连接电容c63的另一端和所述高频切换开关u13的3引脚，所述高频切换开关u13的2引脚接地，所述高频切换开关u13的4引脚连接电容c65和所述mcu模块，电容c65的另一端接地，所述高频切换开关u13的5引脚连接电容c67，电容c67的另一端接地，所述高频切换开关u13的6引脚连接电容c70和所述mcu模块，电容c70的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，所述高频切换开关u11的型号为hws408，所述高频切换开关u13的型号为hws408。
6.根据权利要求2所述的基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，所述继电器多天线切换模块包括继电器多天线切换电路，所述继电器多天线切换电路包括：继电器jdq1、电容c56、电容c58、电容c55、电容c50、电阻r1、电阻r5、三极管q1和二极管d22，所述继电器jdq1包括10个引脚；
所述多个射频天线包括射频天线a和射频天线b；
电容c56连接电容c58和所述程控阻抗匹配切换模块，电容c56的另一端连接继电器jdq1的8引脚，电容c58的另一端连接电容c55和继电器jdq1的9引脚，电容c55的另一端连接所述射频天线a，继电器jdq1的7引脚连接电容c59，电容c59的另一端连接所述射频天线b，继电器jdq1的10引脚连接三极管q1的集电极和二极管d22的阳极，三极管q1的发射极接地，三极管q1的基极连接电阻r1和电阻r5，电阻r5的另一端接地，电阻r1的另一端连接mcu模块，二极管d22的阴极连接电源和继电器jdq1的1引脚。
7.根据权利要求6所述的基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，所述多个射频天线包括连接线和连接座外壳，所述连接线和连接座外壳均接地。
8.根据权利要求6所述的基于高频射频识别中的多天线自动匹配系统，其特征在于，所述继电器jdq1的型号为tq2-5v。