专利名称：解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种两层通孔线路板的制造方法，尤其涉及一种解决激光通 孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法。
背景技术：
信息电子科技随着通讯产业的快速发展，在90年代以后不断的朝向消 费性电子产品(Computer、 Communication、 Consumer Electronics, 3C)的 整合目标前进，个人化的电子产品不断的推陈出新，强调可携性及便利性的 多媒体高品质的信息通讯工具，因此带动了半导体产业尤其是半导体封装型 式的改变，这些市场需求直接促成了信息电子的数字化，使半导体封装自然 走向多脚化(Multi-pin)。所述演进对于印刷电路板(PCB)本身来说，所 代表的意义就是线路密度的快速提升与板面空间的急速压縮，因此高密度化 设计的印刷电路板(High Density Interconnection, HDI)制造工艺技术由此 而生，其中高密度化需求有下列四点1、压縮电路板线路尺寸；2、縮小 孔径与制作盲孔(Bland Via)、或埋孔(Buried Via) ; 3、縮小线路公差； 4 、压低介值层厚度。
请参阅图1A至图1F所示，其分别为公知两层通孔线路板的制造方法的 制作流程剖面示意图。由所述图中可知，公知两层通孔线路板的制造方法包 括首先，配合图1A所示，提供一上下表面都具有保护层2的基板1 ;接 着，配合图IB所示，蚀刻所述两个保护层2 ，以分别形成两个具有开口 2 0的保护层2';然后，配合图1C所示，通过激光加工，以使得该基板l形 成一具有一通孔l 0的基板1';接下来，配合图1D所示，清除所述成形该 通孔10时所产生的胶渣(desmear)，并移除其余的保护层2'，以露出该基 板1 ';紧接着，配合图IE所示，形成一导电层3于该基板1 '的所有表面上; 最后，配合图1F所示，通过蚀刻技术，以形成一具有预定图案的细线路5 于该导电层3'的表面上。
4然而，由于公知两层通孔线路板于所述步骤中都从该基板l的顶面及底 面同时进行"蚀刻开口"及"激光穿孔"，所以公知在制作过程中常会造成"激 光通孔双边对位精度偏移"的问题。因此，公知两层通孔线路板的制造方法 不但无法确保不会发生「激光通孔双边对位精度偏移的问题，而且同时进行 该基板1的顶面及底面的加工会增加工艺上的复杂度及增加产品的生产时 间。
因此，综上可知，所述公知两层通孔线路板的制造方法，在实际使用上， 显然具有不便与存在缺点。因此，为改善上述缺点的，提出一种设计合理且 有效改善上述缺点的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，在于提供一种解决激光通孔双边对位精度 偏移的通孔线路板的制造方法。本发明通过工艺上的改变(利用单边激光通 孔的方式)，不但能够解决激光通孔双边对位精度偏移的问题，并且可简化 公知的加工工艺及降低产品的生产时间。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种解决激 光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法，其步骤包括首先，提 供一上下表面都具有保护层的基板；接着，移除位于该基板上层的一部分保 护层，以形成至少一开口；然后，移除该至少一开口下端的一部分基板，以 形成至少一盲孔；接下来，清除所述步骤所产生的胶渣(desmear)，并移除 其余的保护层，以露出该基板并使得该至少一盲孔形成至少一通孔；紧接着， 形成一导电层于该基板的所有表面上；最后，形成一具有预定图案的细线路 于该导电层的表面上。
其中，所述具有预定图案的细线路通过半加成法(semi-additive process, SAP)以形成于该导电层的表面上，并且该半加成法包括下列步骤首先， 进行上覆光致抗蚀剂，以成形光致抗蚀剂于该导电层上；接着，进行光刻， 以使得该光致抗蚀剂形成一具有一预定镂空图案的图案化光致抗蚀剂；然 后，进行电镀，以形成导电材料于该图案化光致抗蚀剂的预定镂空图案内； 最后，进行去除光致抗蚀剂，以移除该图案化光致抗蚀剂及该图案化光致抗 蚀剂下方的导电层，进而形成所述具有预定图案的细线路。
5为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种解决激 光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法，其步骤包括首先，提 供一上下表面都具有保护层的基板；接着，移除该保护层；然后，形成光源
吸收层于该基板的上下表面上；接下来，提供一光源来贯穿该光源吸收层及 该基板，以使得该基板形成至少一通孔；紧接着，清除所述步骤所产生的胶 渣(desmear)，并移除其余的光源吸收层，以露出该基板；接续，形成一导 电层于该基板的所有表面上；最后，形成一具有预定图案的细线路于该导电 层的表面上。
其中，所述具有预定图案的细线路通过半加成法(semi-additiveprocess, SAP)以形成于该导电层的表面上，并且该半加成法包括下列步骤首先， 进行上覆光致抗蚀剂，以成形光致抗蚀剂于该导电层上；接着，进行光刻， 以使得该光致抗蚀剂形成一具有一预定镂空图案的图案化光致抗蚀剂；然 后，进行电镀，以形成导电材料于该图案化光致抗蚀剂的预定镂空图案内； 最后，进行去除光致抗蚀剂，以移除该图案化光致抗蚀剂及该图案化光致抗 蚀剂下方的导电层，进而形成所述具有预定图案的细线路。为了能更进一 步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关 本发明的详细说明与附图，应当深入且具体了解本发明的目的、特征与特点， 然而所附附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
图1A至图1F分别为公知两层通孔线路板的制造方法的制作流程剖面示 意图2A至图2G分别为本发明解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线 路板的制造方法的第一实施例的制作流程剖面示意图；以及
图3A至图3H分别为本发明解决^:光通孔双边对位精度偏移的通孔线 路板的制造方法的第二实施例的制作流程剖面示意图。
其中，附图标记说明如下
1 、 1 '、 1 a 、 1 a '、 1 b 、 1 b ' 基板
10、 1 0 a '、 1 0 b 通孔
2、 2'、 2a、 2a'、 2b 保护层2 0、 20a 开口
1 0 a 盲孔
3、 3'、 3a、 3a'3b、 3b' 导电层
5 、 5 a 、 5 b 细线路
4 a 、 4 b 图案化光致抗蚀剂
A、 A' 光源吸收层
具体实施例方式
请参阅图2A至图2G所示，其分别为本发明解决激光通孔双边对位精 度偏移的通孔线路板的制造方法的第一实施例的制作流程剖面示意图。由上 述图中可知，本发明的第一实施例提供一种解决激光通孔双边对位精度偏移 的通孔线路板的制造方法，其步骤包括首先，配合图2A所示，提供一上 下表面都具有保护层2 a的基板l a，其中该保护层2 a可为预先形成于该 基板la的上下表面的双面铜或任何可保护该基板la以避免该基板la 产生氧化的保护层。
接着，配合图2B所示，移除位于该基板l a上层的一部分保护层2 a， 以形成至少一开口2 0 a，其中上层的保护层2 a形成一具有所述至少一开 口2 0 a的保护层2 a'，并且所述移除一部分保护层2 a的方法为通过半
导体技术中的上覆光致抗蚀剂、光刻(图案化光致抗蚀剂)、蚀刻(移除一 部分保护层2 a)、去除光致抗蚀剂的工艺的配合来完成。
然后，配合图2C所示，移除该至少一开口2 0 a下端的一部分基板l a，以形成至少一盲孔l 0 a，其中该基板l a形成一具有所述至少一盲孔 1 0 a的基板l a'，并且所述移除该至少一开口 2 0 a下端的一部分基板1 a的步骤通过激光加工来完成的。
再来，配合图2D所示，清除所述步骤所产生的胶渣(desmear)，禾拥 蚀刻技术移除其余的保护层(2 a '、 2 a )，以露出该基板1 a '并使得该至 少一盲孔l 0 a形成至少一通孔l 0 a'，其中所述的胶渣(desmear)为使 用激光加工所述至少一开口1 0 a及至少一盲孔2 0 a时所产生的。
接下来，配合图2E所示，形成一导电层3 a于该基板l a'的所有表面 上，其中该导电层3 a可为一通过化学镀铜的方式而成形于该基板l a'的所有表面上的化铜层，并且该导电层3 a作为接下来所要进行的半加成法 (semi-additiveprocess, SAP)的基础层。
紧接着，配合图2F所示，进行上覆光致抗蚀剂，以成形光致抗蚀剂(图 未示)于该导电层3 a上，然后进行光刻，以使得该光致抗蚀剂形成一具有 一预定镂空图案的图案化光致抗蚀剂4 a 。
最后，配合图2G所示，进行电镀，以形成导电材料(图未示)于该图 案化光致抗蚀剂4 a的预定镂空图案内，然后进行去除光致抗蚀剂，以移除 该图案化光致抗蚀剂4 a及该图案化光致抗蚀剂4 a下方的导电层3 a，进 而形成所述具有预定图案的细线路5 a。
因此，由上述步骤可知，其为"形成一具有预定图案的细线路5 a于该 导电层3 a'的表面上"的步骤。换言之，上述具有预定图案的细线路5 a通 过半力口成法(semi- additive process, SAP)以形成于该导电层3 a'的表面上。
请参阅图3A至图3H所示，其分别为本发明解决激光通孔双边对位精 度偏移的通孔线路板的制造方法的第二实施例的制作流程剖面示意图。由上 述图中可知，本发明的第二实施例提供一种解决激光通孔双边对位精度偏移 的通孔线路板的制造方法，其步骤包括首先，配合图2A所示，提供一上 下表面都具有保护层2 b的基板l b，其中该保护层2 b可为预先形成于该 基板1 b的上下表面的双面铜或任何可保护该基板1 b以避免该基板1 b 产生氧化的保护层。
接着，配合图3B所示，以蚀刻技术移除该保护层2 b。然后，配合图 3C所示，形成光源吸收层A于该基板1 b的上下表面上，例如利用化学镀 或溅镀的方式将该光源吸收层A形成于该基板1 b的上下表面上。
接下来，配合图3C及图3D所示，提供一光源来贯穿该光源吸收层A及 该基板1 b ，以使得该基板1 b形成至少一通孔1 0 b 。换言之，该光源(激 光)从顶面或底面照射，以贯穿该光源吸收层A及该基板1 b，进而形成一 光源吸收层A'及一具有所述至少一通孔1 0 b的基板l b'。
再来，配合图3E所示，清除所述步骤所产生的胶渣(desmear),以蚀 刻技移除其余的光源吸收层A'，以露出该基板l b'，其中所述所产生的胶渣 (desmear)为使用激光加工所述至少一通孔1 0 b时所产生的。
接下来，配合图3F所示，形成一导电层3 b于该基板l b'的所有表面
8上，其中该导电层3 b可为一通过化学镀铜的方式而成形于该基板l b'的所 有表面上的化铜层，并且该导电层3 b作为接下来所要进行的半加成法
(semi-additive process, SAP)的基础层。
紧接着，配合图3G所示，进行上覆光致抗蚀剂，以成形光致抗蚀剂(图 未示)于该导电层3b上，然后进行光刻，以使得该光致抗蚀剂形成一具有 一预定镂空图案的图案化光致抗蚀剂4 b 。
最后，配合图3H所示，进行电镀，以形成导电材料(图未示)于该图 案化光致抗蚀剂4 b的预定镂空图案内，然后进行去除光致抗蚀剂，以移除 该图案化光致抗蚀剂4 b及该图案化光致抗蚀剂4 b下方的导电层3 b，进 而形成所述具有预定图案的细线路5 b。
因此，由上述步骤可知，其为"形成一具有预定图案的细线路5 b于该 导电层3 b'的表面上"的步骤。换言之，上述具有预定图案的细线路5 b通 过半加成法(semi-additive process, SAP)以形成于该导电层3 b'的表面上。
综上所述，本发明通过工艺上的改变(利用单边激光通孔的方式)，不 但能够解决激光通孔双边对位精度偏移的问题，并且可简化公知的加工工艺 及降低产品的生产时间。
以上所述，仅为本发明最佳的一具体实施例的详细说明与附图，.但本发 明的特征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明的保护范围应以随附 的权利要求书为准，凡符合于本发明权利要求的精神与其类似变化的实施 例，都应包含于本发明的范畴中，任何本领域的普通技术人员在本发明的领 域内，可轻易思及的变化或修饰都可涵盖在本发明的保护范围内。
权利要求
1、一种解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法，其特征在于，包括提供一上下表面都具有保护层的基板；移除位于该基板上层的一部分保护层，以形成至少一开口；移除该至少一开口下端的一部分基板，以形成至少一盲孔；清除所述步骤所产生的胶渣，并移除其余的保护层，以露出该基板并使得该至少一盲孔形成至少一通孔；形成一导电层于该基板的所有表面上；以及形成一具有预定图案的细线路于该导电层的表面上。
2 、如权利要求1所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板 的制造方法，其特征在于该保护层为预先形成于该基板的上下表面的双面 铜。
3 、如权利要求1所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板 的制造方法，其特征在于所述移除位于该基板上层的一部分保护层的步骤是通过蚀刻技术来完成的。
4 、如权利要求1所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板 的制造方法，其特征在于所述具有预定图案的细线路通过半加成法以形成 于该导电层的表面上。
5 、如权利要求4所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板 的制造方法，其特征在于，该半加成法包括下列步骤进行上覆光致抗蚀剂，以成形光致抗蚀剂于该导电层上； 进行光刻，以使得该光致抗蚀剂形成一具有一预定镂空图案的图案化光 致抗蚀剂；进行电镀，以形成导电材料于该图案化光致抗蚀剂的预定镂空图案内；以及进行去除光致抗蚀剂，以移除该图案化光致抗蚀剂及该图案化光致抗蚀 剂下方的导电层，进而形成所述具有预定图案的细线路。
6 、 一种解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法，其 特征在于，包括下列步骤提供一上下表面都具有保护层的基板； 移除该保护层；形成光源吸收层于该基板的上下表面上；提供一光源来贯穿该光源吸收层及该基板，以使得该基板形成至少一通孔；清除所述步骤所产生的胶渣，并移除其余的光源吸收层，以露出该基板; 形成一导电层于该基板的所有表面上；以及 形成一具有预定图案的细线路于该导电层的表面上。
7 、如权利要求6所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板 的制造方法，其特征在于该保护层为预先形成于该基板的上下表面的双面 铜。
8 、如权利要求6所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板 的制造方法，其特征在于该光源从顶面或底面照射，以贯穿该吸收层及该 基板。
9 、如权利要求6所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板 的制造方法，其特征在于所述具有预定图案的细线路通过半加成法以形成 于该导电层的表面上。
10、如权利要求9所述的解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法，其特征在于，该半加成法包括下列步骤进行上覆光致抗蚀剂，以成形光致抗蚀剂于该导电层上；进行光刻，以使得该光致抗蚀剂形成一具有一预定镂空图案的图案化光致抗蚀剂；进行电镀，以形成导电材料于该图案化光致抗蚀剂的预定镂空图案内；以及进行去除光致抗蚀剂，以移除该图案化光致抗蚀剂及该图案化光致抗蚀 剂下方的导电层，进而形成所述具有预定图案的细线路。
全文摘要
本发明提供一种解决激光通孔双边对位精度偏移的通孔线路板的制造方法，其步骤包括首先，提供一上下表面都具有保护层的基板；接着，移除位于该基板上层的一部分保护层，以形成至少一开口；然后，移除该至少一开口下端的一部分基板，以形成至少一盲孔；接下来，清除所述步骤所产生的胶渣(desmear)，并移除其余的保护层，以露出该基板并使得该至少一盲孔形成至少一通孔；紧接着，形成一导电层于该基板的所有表面上；最后，形成一具有预定图案的细线路于该导电层的表面上。通过工艺上的改变(利用单边激光通孔的方式)，不但能够解决激光通孔双边对位精度偏移的问题，并且可简化加工工艺及降低产品的生产时间。
文档编号H05K3/00GK101668388SQ20081021584
公开日2010年3月10日 申请日期2008年9月5日 优先权日2008年9月5日
发明者范智朋 申请人:欣兴电子股份有限公司