专利名称：一种单晶硅棒的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单晶硅棒。
背景技术：
单晶硅棒是硅的单晶体，是具有基本完整点阵结构的晶体，不同的方向具有不同 的性质，是一种良好的半导材料。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导 率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。在超纯单晶硅中掺入微量的IIIA族元素，如 硼可提高其导电的程度，而形成P型硅半导体；如掺入微量的VA族元素，如磷或砷也可提高 导电程度，形成N型硅半导体。 在线切割过程中，两根需要对接的晶棒之间间保持5毫米的缝隙，缝隙的存在使 得两根晶棒对接没有任何保护，切割过程中钢线带着液体磨料以每分钟600多米的线速度 冲击晶片，对接面的晶片因为没有任何保护措施，晶片本身厚度非常薄，材料非常脆，这样 一来，晶片同样很容易被磨料冲碎，另外切割过程中对接端面产生的碎片会直接掉到线网 上，断线的机率因此大大提升。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种单晶硅棒，可以有效解决现有单晶硅棒在线切割 过程中线网容易被磨料冲碎，成品率低，断线率高的问题。 为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案一种单晶硅棒，包括若干 晶棒单元本体，其特征在于相邻两晶棒单元本体固定连接在一起。 进一步，相邻两晶棒单元本体之间采用环氧树脂沾粘在一起，相邻两晶棒单元本 体之间形成连接缝。 进一步，晶棒单元本体底部固定连接在底座上，通过底座将晶棒单元本体固定在 切割设备上。 更进一步，晶棒单元本体底部通过环氧树脂沾粘在底座上。 本实用新型由于采用了上述技术方案，对接的两根晶棒直接固定连接在一起没有 任何缝隙，等同整棒切割，对接面的晶片不会被冲碎，提高了成品率，切割过程中对接端面 产生的碎片不会掉下来，降低了断线率。
以下结合附图对本实用新型作进一步说明
图1为本实用新型一种单晶硅棒的结构示意图。
具体实施方式如图1所示为本实用新型一种单晶硅棒，包括若干晶棒单元本体l，相邻两晶棒单 元本体1固定连接在一起，相邻两晶棒单元本体1之间采用环氧树脂沾粘在一起，相邻两晶棒单元本体1之间形成连接缝2，有效提高了晶片的成品率，降低了断线率。晶棒单元本体 1底部固定连接在底座3上，晶棒单元本体1底部通过环氧树脂沾粘在底座3上。
权利要求一种单晶硅棒，包括若干晶棒单元本体(1)，其特征在于所述相邻两晶棒单元本体(1)固定连接在一起。
2. 根据权利要求1所述的一种单晶硅棒，其特征在于所述相邻两晶棒单元本体(1) 之间采用环氧树脂沾粘在一起，所述相邻两晶棒单元本体(1)之间形成连接缝(2)。
3. 根据权利要求1所述的一种单晶硅棒，其特征在于所述晶棒单元本体(1)底部固 定连接在底座(3)上。
4. 根据权利要求3所述的一种单晶硅棒，其特征在于所述晶棒单元本体(1)底部通 过环氧树脂沾粘在底座(3)上。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶硅棒，包括若干晶棒单元本体，相邻两晶棒单元本体固定连接在一起，相邻两晶棒单元本体之间采用环氧树脂沾粘在一起，相邻两晶棒单元本体之间形成连接缝，晶棒单元本体底部固定连接在底座上，通过底座将晶棒单元本体固定在切割设备上，晶棒单元本体底部通过环氧树脂沾粘在底座上。本实用新型对接的两根晶棒直接固定连接在一起没有任何缝隙，等同整棒切割，对接面的晶片不会被冲碎，提高了成品率，切割过程中对接端面产生的碎片不会掉下来，降低了断线率。
文档编号C30B29/06GK201459280SQ20092012517
公开日2010年5月12日 申请日期2009年7月17日 优先权日2009年7月17日
发明者徐礼健 申请人:林永健