近场噪声抑制薄膜的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种降低电磁波噪声吸收能力的不均的噪声抑制薄膜，利用蒸镀法在由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜的一方的面上形成有Ni薄膜，然后在能够引起热收缩的110～170℃的范围内的温度下进行10分钟～1小时热处理，由此形成所述噪声抑制薄膜，(a)所述Ni薄膜的透光率(波长为660nm的激光)为3～50％，(b)在所述Ni薄膜的10cm×10cm的正方形的试验片TP的对置边部配置具有覆盖边整体的长度的一对电极，通过平坦的加压板施加3.85kg的载荷而测定出的表面电阻为10～200Ω/单位面积。
【专利说明】近场噪声抑制薄膜【技术领域】
[0001]本发明涉及一种廉价的噪声抑制薄膜，其能够吸收移动电话、智能手机等移动信息终端、个人计算机等电子仪器等中的近场的数百MHz至数GHz的电磁波。
【背景技术】
[0002]近年来，移动通信终端、电子仪器等在实现多功能化以及高性能化之外，还谋求小型化以及轻型化，在狭小的空间内高密度地配置有电子元件，并且也谋求高速化。因此，电路或部件间的电磁波噪声、尤其是是数百MHz至数GHz的高频噪声成为较大问题。为了抑制这样的近场的电磁波噪声，提出各种噪声抑制薄膜的方案，并将其实用化。
[0003]这样的噪声抑制薄膜大多含有磁性材料以及/或者导电材料。例如，日本特开2010-153542号公开了一种电磁波噪声抑制薄膜,其具有:基材；由含有Cu等金属或者碳的颗粒、鳞片或者细线的导电性涂敷材料构成的导电层；以及含有铁酸盐、山达斯特合金、高导磁铁镍合金等软磁性材料的磁性涂敷材料构成的磁性层。另外，日本特开2006-278433号公开有一种复合电磁波噪声抑制薄膜，其例如将由具有Febd-Ci^-Si^-NbfCi^-Bd原子％)的组成的非晶体薄片那样的软磁性体粉末与树脂构成的砑光加工后的两枚以上的片进行层叠，进一步利用砑光加工实现一体化。然而，日本特开2010-153542号或者日本特开2006-278433号所公开的噪声抑制薄膜皆不具有足够的近场噪声的吸收能力，且由于将磁性材料以及/或 者导电材料炼入树脂而成形为片，因此存在薄壁化困难且制造成本高这样的问题。
[0004]日本特开2006-279912号公开有A10、CoAlO、CoSiO等溅射薄膜，其作为近场电磁波噪声抑制薄膜，相对于准微波带域所产生的电磁波噪声，为了将其反射系数(Sn)设为-10dB以下，并且将噪声抑制效果(AP1()SS/Pin)设为0.5以上，将电阻值控制为与空间的特性阻抗Z (377 Ω)整合的10~1000 Ω/单位面积。然而，该近场电磁波噪声抑制薄膜的电磁波吸收能力并不足够。
[0005]日本特开2008-53383号公开有散热特性优异的电波吸收.密封薄膜，其包括:在面方向与厚度方向上导热率不同的石墨薄膜；包含形成在其上的Fe、C0、FeS1、FeN1、FeC0、FeSiAl、FeCrS1、FeBSiC等软磁性体；Mn_Zn系、Ba_Fe系、Ni_Zn系等铁酸盐；以及碳颗粒的软磁性层。然而，该电波吸收.密封薄膜的电磁波吸收能力也并不足够。
[0006]日本特开平05-226873号在实施例1中公开有一种电波吸收体，其在厚度为50 μ m的聚酰亚胺薄膜上蒸镀有厚度为12nm的镍之后，在空气中以200°C加热1小时，将获得的热处理镍蒸镀薄膜借助粘合剂进行层叠而成。然而，在日本特开平05-226873号的技术方案中存在如下问题:(1)当在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上利用蒸镀法来形成的Ni薄膜的表面电阻为数十Ω/单位面积左右时，相对于近场电磁波噪声具有优异的吸收能力，但精度良好地形成这样薄的Ni薄膜是非常困难的，实际上形成的Ni薄膜的表面电阻存在较大不均，以及(2)这样薄的Ni薄膜的表面电阻受到较大经时变化，为了完全稳定而不仅需要长时间，通过其间的环境条件(温度、湿度等)使表面电阻的经时变化不同。[0007]因而，在日本特开平05-226873号中并不具有减弱电磁波吸收能力的不均以及经时变化且稳定具有优异的电磁波吸收能力这样的目的。因此，日本特开平05-226873号中的热处理条件扩大为50~400°C以及30分钟~5小时，在实施例1中为200°C以及1小时。另外，日本特开平05-226873号中没有对Ni薄膜的热处理时的薄膜的热收缩问题进行任何研究。因此，日本特开平05-226873号中，作为Ni薄膜的基材，举出了聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚、聚氯乙烯等塑料薄板、黄铜、铜、铁、不锈钢、铝等金属，在实施例1中使用了聚酰亚胺薄膜这样的在热处理温度下不进行热收缩的耐热性树脂。 [0008]日本特开2006-295101号公开了一种平均厚度为2~lOOnm的噪声抑制体，其具有支承体、形成在所述支承体上的镍薄膜，从镍薄膜的表面电阻的实测值换算出的体积电阻率R1 ( Ω.cm)与镍的体积电阻率R0 ( Ω.cm)满足0.5≤logRl-logRO ( 3的条件。在薄膜中镍形成微小的组(cluster)。但是，日本特开2006-295101号对热处理没有进行任何记载。
[0009]日本特开平08-59867号公开了一种透明导电性薄膜，其在透明高分子薄膜基材的至少一面上配置由金、银、铜、氧化铟、氧化锡、氧化铟-氧化锡混合物等金属以及/或者金属氧化物构成的透明导电层。日本特开平08-59867号记载有期望在配置透明导电层之后以120°C~200°C左右的温度进行1~30分钟左右退火处理。但是，在日本特开平08-59867号中热处理的透明导电层并非电磁波吸收层，并且实施例所示的透明导电层仅是ΙΤ0 (金属氧化物)。
【发明内容】
[0010]发明要解决的课题
[0011]因而，本发明的目的在于，提供一种廉价的噪声抑制薄膜，其对于数百MHz至数GHz的电磁波噪声稳定地具有较高的吸收能力，适用于移动信息终端、电子仪器等。
[0012]解决方案
[0013]为了获得通过在塑料薄膜上蒸镀Ni而对数百MHz至数GHz的电磁波噪声具有较高吸收能力的噪声抑制薄膜，进行了认真研究，其结果如下所述。
[0014](1)当在塑料薄膜上利用蒸镀法形成的Ni薄膜的表面电阻为数十Ω/单位面积左右时，对于近场电磁波噪声具有优异的吸收能力，但精度优良地形成这样薄的Ni薄膜是非常困难的，实际上形成的Ni薄膜的表面电阻出现较大不均。
[0015](2)这样薄的Ni薄膜的表面电阻受到较大经时变化，为了完全稳定不仅需要长时间，且利用其间的环境条件(温度、湿度等)使表面电阻的经时变化不同。
[0016]为了解决上述问题而进行了认真研究，其结果是，本发明人发现如下内容，以至想到本发明:尽管由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜与金属相比耐热性显著变差，有可能由于加热而受到较大热收缩，但当对于形成于塑料薄膜的Ni的蒸镀薄膜在110~170°C的范围内的温度下实施10分钟~1小时热处理时，不仅提高Ni薄膜的电磁波吸收能力，且降低电磁波吸收能力的不均以及经时变化，并且获得稳定地具有优良的电磁波吸收能力的噪声抑制薄膜。
[0017]即，降低电磁波噪声吸收能力的不均的本发明的噪声抑制薄膜的特征在于，利用蒸镀法在由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜的一方的面上形成有Ni薄膜，然后在110?170°C的范围内的温度下进行10分钟?1小时热处理，由此形成所述噪声抑制薄膜，(a)所述Ni薄膜的透光率(波长为660nm的激光)为3?50%，(b)在所述Ni薄膜的lOcmXIOcm的正方形的试验片的对置边部配置具有覆盖边整体的长度的一对电极，通过平坦的加压板施加3.85kg的载荷而测定出的表面电阻为10?200 Ω/单位面积。
[0018]所述Ni薄膜的热处理温度优选为130?160°C。
[0019]所述Ni薄膜的热处理时间优选为20?40分钟。
[0020]优选在所述Ni薄膜的表面上层叠有保护薄膜。
[0021]发明效果
[0022]本发明的噪声抑制薄膜是在进行Ni薄膜的蒸镀后热处理而成的，对于数百MHz至数GHz的电磁波噪声具有较高吸收能力，并且表面电阻稳定化而经时变化实际上不存在，并且电磁波吸收能力的经时变化也不存在。具有这样的特征的本发明的噪声抑制薄膜对吸收移动电话、智能手机等各种移动信息终端、个人计算机等电子仪器中的近场的数百MHz至数GHz的电磁波噪声是有效的。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是表示本发明的噪声抑制薄膜的剖视图。
[0024]图2是表示本发明的噪声抑制薄膜的Ni薄膜的详细情况的局部剖视图。
[0025]图3(a)是表示测定噪声抑制薄膜的表面电阻的装置的立体图。
[0026]图3(b)是表示使用图3(a)的装置而测定噪声抑制薄膜的表面电阻的样子的俯视图。
[0027]图3 (c)是图3 (b)的A-A剖视图。
[0028]图4(a)是表示评价噪声抑制薄膜的电磁波吸收能力的系统的俯视图。
[0029]图4(b)是表示评价噪声抑制薄膜的电磁波吸收能力的系统的局部剖面主视图。
[0030]图5(a)是表示对于蒸镀有Ni薄膜的塑料薄膜进行热处理的装置的剖视图。
[0031]图5(b)是表示使用图5(a)的装置对Ni蒸镀薄膜进行热处理的样子的俯视图。
[0032]图6是表示实施例1以及比较例1的蒸镀薄膜样本在0.1?6GHz下的Rtp的最高值以及最低值的图表。
[0033]图7 (a)是表示实施例1的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0034]图7 (b)是表示比较例1的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0035]图8是表示实施例2以及比较例2的蒸镀薄膜样本在0.1?6GHz下的Rtp的最高值以及最低值的图表。
[0036]图9 (a)是表示实施例2的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0037]图9 (b)是表示比较例2的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0038]图10是表示实施例3以及比较例3的蒸镀薄膜样本在0.1?6GHz下的Rtp的最高值以及最低值的图表。
[0039]图11 (a)是表示实施例3的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0040]图11 (b)是表示比较例3的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0041 ] 图12是表示实施例4以及比较例4的蒸镀薄膜样本在0.1?6GHz下的Rtp的最高值以及最低值的图表。[0042]图13 (a)是表示实施例4的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0043]图13 (b)是表示比较例4的蒸镀薄膜样本在6GHz下的Rtp的分布的图表。
[0044]图14是表示实施例4的蒸镀薄膜样本在0.1?6GHz下的P1()SS/Pin的图表。
[0045]图15是表示比较例5的实施热处理的蒸镀薄膜样本以及未实施热处理的蒸镀薄膜样本在0.1?6GHz下的Rtp的图表。
[0046]图16是表示比较例6的实施热处理的蒸镀薄膜样本以及未实施热处理的蒸镀薄膜样本在0.1?6GHz下的Rtp的最高值以及最低值的图表。
【具体实施方式】
[0047]参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，若没有特别说明，则与一个实施方式相关的说明也可以应用于其他实施方式。另外下述说明并非限定性说明，也可以在本发明的技术思想的范围内进行各种变更。
[0048][1]噪声抑制薄膜
[0049]如图1所示，本发明的噪声抑制薄膜10通过如下方式形成，即，在由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜1的一方的面上形成有Ni薄膜2之后进行热处理。
[0050](1)塑料薄膜
[0051]由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜1具有足够的绝缘性、耐热性以及强度。塑料薄膜10的厚度可以是10?100 μ m左右，尤其是优选10?30 μ m。
[0052]⑵Ni薄膜
[0053]Ni薄膜2能够通过溅射法、真空蒸镀法等公知的方法来形成。
[0054](a)Ni薄膜的透光率
[0055]Ni薄膜2非常薄，因此如图2所示，厚度不均匀，具有较厚形成的区域2a、较薄形成的区域或者完全没有形成的区域2b。因此，难以正确测定Ni薄膜2的厚度。因此，在本发明中将Ni薄膜2的厚度以波长为660nm的激光的透过率(仅称作“透光率”。)来表示。透光率是通过对Ni薄膜2的任意多个位置的测定值进行平均而求得的。当测定位置数为5以上时，透光率的平均值稳定。当塑料薄膜1的厚度为30 μ m以下时，塑料薄膜1自身的透光率为大致100%，因此噪声抑制薄膜10的透光率与Ni薄膜2的透光率一致。然而，在塑料薄膜1比上述情况厚的情况下，从噪声抑制薄膜10的透光率减去塑料薄膜1的透光率后的值为Ni薄膜2的透光率。
[0056]Ni薄膜2的透光率需要处于3?50%的范围内。当透光率为3%以下时，Ni薄膜2变得过厚而显示出金属箔那样的举动，电磁波反射率较高，电磁波噪声的吸收能力较低。另一方面，当透光率超过50%时，Ni薄膜2过薄而电磁波吸收能力不充分。Ni薄膜2的透光率优选为5?45 %，更优选为8?30 %。
[0057](b)表面电阻
[0058]已知有透光率为3?50%且较薄的Ni薄膜2的表面电阻因测定方法而存在较大不同。因此，使用图3所示的装置，利用加压下的直流二端子法(仅称为“加压二端子法”)以使Ni薄膜2与电极的接触面积尽可能增大且Ni薄膜2与电极尽可能均匀紧贴的方式来测定表面电阻。具体来说，在以Ni薄膜2朝上的方式载置在硬质的绝缘性平坦面上的lOcmXIOcm的噪声抑制薄膜10的正方形试验片TP1的对置边部，载置由长度lOcmX宽度lcmX厚度0.5mm的电极主体部11a与从电极主体部11a的中央侧部延伸的宽度lcmX厚度0.5mm的电极延长部1 lb构成的一对电极11、11，以完全覆盖试验片TP1与两电极11、11的方式在其上载置lOcmX lOcmX厚度5mm的透明丙烯酸板12，在透明丙烯酸板12之上载置直径10cm的圆柱状重物13(3.85kg)之后，从两电极延长部lib、lib间流动的电流求得表面电阻。
[0059]热处理后的Ni薄膜2的表面电阻需要处于10?200 Ω /单位面积的范围内。当表面电阻处于不足10 Ω/单位面积时，Ni薄膜2过厚而显示出金属箔那样的举动，电磁波噪声的吸收能力较低。另一方面，当表面电阻超过200 Ω/单位面积时，Ni薄膜2过薄还是使电磁波吸收能力不充分。热处理后的Ni薄膜2的表面电阻优选为15?150 Ω/单位面积，更优选为20?120 Ω/单位面积，最优选为30?100 Ω/单位面积。
[0060][2]热处理
[0061]透光率为3?50%、表面电阻为10?200 Ω/单位面积且非常薄的Ni薄膜2如图2所示在整体上存在厚度不均，具有比较厚的区域2a与比较薄(或者不具有薄膜)的区域2b。考虑将比较薄的区域2b用作磁间隙以及高电阻区域，在近场噪声的作用下使Ni薄膜2内流通的磁通以及电流衰减。但是，这样薄的Ni薄膜2的状态因制造条件而存在较大不同，可知稳定形成具有恒定的透光率以及表面电阻的Ni薄膜2是非常困难的。因此经过认真研究，其结果是，对于利用蒸镀法形成的Ni薄膜2而言，当以能够引起热收缩的超过100°C的温度对延伸聚对苯二甲酸乙二醇酯塑料薄膜1进行热处理时，Ni薄膜2的表面电阻稍微降低并且稳定化，经时变化实际上不存在。以超过100°C的温度对能够引起热收缩的延伸聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜进行热处理这样的做法在以往完全没有考虑过。其中，当在110?170°C的范围内的温度下进行短时间(10分钟?1小时)热处理时，仅使聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜1稍微热收缩，Ni薄膜2的表面电阻稍微降低并且稳定化，并且电磁波噪声吸收能力也实现稳定化。在此，电磁波噪声吸收能力的稳定化是指不仅电磁波噪声吸收能力的经时变化实际上不存在、也降低基于制造条件的不均以及制造批次间的不均。
[0062]能够通过改变热处理条件而调整表面电阻。例如，相对于表面电阻较高的Ni薄膜2，能够通过提高热处理温度或者延长热处理时间而使表面电阻降低至期望值。相反，相对于表面电阻较低的Ni薄膜2，能够通过降低热处理温度或缩短热处理时间而抑制表面电阻的降低。
[0063]即便是具有相同的表面电阻的蒸镀薄膜，对于不具有热处理的结构与热处理后的结构，其电磁波吸收能力中存在显著差异，通过热处理调整到期望的表面电阻的蒸镀薄膜一方具有较高电磁波吸收能力。其理由并不明显。这样说是因为，对非常薄的Ni薄膜的状态(特别是组织)基于热处理的变化进行评价是非常困难的。由实验的结果可知，Ni薄膜的电磁波吸收能力与热处理温度相应地变化，因此在本发明中假定Ni薄膜的组织状态由热处理温度规定。
[0064]热处理温度处于110?170°C的范围内。当热处理温度不足110°C时，无法实际获得基于热处理的电磁波吸收能力提高以及不均的减少的效果。另一方面，当热处理温度超过170°C时，不仅引起Ni薄膜2的表面氧化，对于不具有足够的耐热性的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜而言，热收缩也变得过大。热处理温度优选为120?170°C，更优选为130?160°C。热处理时间因热处理温度而不同，通常是10分钟?1小时，优选为20?40分钟。[0065]优选在热处理后的Ni薄膜2的表面上层叠保护薄膜，从而保护Ni薄膜2并且确保绝缘性。作为保护薄膜，也可以使用与聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜1相同的材料。
[0066][3]近场电磁波噪声的吸收能力
[0067](1)传送衰减率
[0068]传送衰减率Rtp如图4(a)以及图4(b)所示，使用由50 Ω的微带线MSL(64.4mmX4.4mm)、支承微带线MSL的绝缘基板20、与绝缘基板20的下表面接合的接地电极21、与微带线MSL的两端连接的导电性销22和22、网络分析仪NA、以及将网络分析仪NA与导电性销22和22连接的同轴电缆23和23构成的系统，在微带线MSL上利用粘着剂来粘贴噪声抑制薄膜的试验片TP2，相对于0.1?6GHz的入射波，测定反射波Sn的电力以及透射波S12的电力，并由下述式⑴:
[0069]Rtp = -10 X log[10S21/10/ (1-10S11/1CI) ]...(1)来求得。
[0070](2)噪声吸收率
[0071]通过从向图4(a)以及图4(b)所示的系统入射的电力减去反射波Sn的电力以及透射波s12的电力，求得电力损失匕_，通过将匕_除以入射电力Pin而求得噪声吸收率P1()SS/Pin。
[0072]利用以下的实施例来进一步详细说明本发明，但本发明并不限定于此。
[0073]实施例1、比较例1
[0074]在厚度为16 μ m的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜1上通过真空蒸镀法来形成目标透光率(波长为660nm)为9%的Ni薄膜2，制作出长条的蒸镀薄膜。从蒸镀薄膜的任意部分切出5枚lOcmX 10cm的试验片TP1。使用株式会社KEYENCE制的透射式激光传感器(IB-05)，通过波长为660nm的激光来测定各试验片TP1的任意五处位置的透光率并对其进行平均。另外，如图3所示利用加压二端子法来测定各试验片TP1的表面电阻。各电极11由长度lOcmX宽度lcmX厚度0.5mm的电极主体部11a与宽度lcmX厚度0.5mm的电极延长部lib构成，透明丙烯酸板12是lOcmXIOcmX厚度5mm，圆柱状重物13具有10cm的直径，为3.85kg。两电极11、11与鹤贺电机株式会社制的电阻计(型号:3565)连接，由获得的电流值来求得表面电阻。整个试验片TP1的平均透光率为9.1%，平均表面电阻为43Ω/单位面积。
[0075]将从长条的蒸镀薄膜的任意部分切出的20枚试验片TP2 (55.2mm X 4.7mm)各自通过粘着剂粘贴在图4(a)以及图4(b)所示的系统的微带线MSL上，测定0.1?6GHz的频率范围下的反射波Sn的电力以及透射波S12的电力，利用上述式⑴来求得0.1?6GHz的频率范围下的传送衰减率Rtp。将未进行热处理的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为比较例1表示在图6中。
[0076]接着，从长条的蒸镀薄膜的任意部分切取20枚A4尺寸(210mmX 297mm)的样本S,如图5 (a)以及图5 (b)所示，将各样本S以Ni薄膜2朝下的方式载置于加热装置40的热板41上，在载置A4尺寸且厚度为3mm的PTFE (注册商标)制隔热片42、以及A4尺寸且厚度为2mm的铁板43之后，在150°C下进行30分钟热处理。基于热处理的热收缩为大约1%。
[0077]对于从热处理后的各样本S切出的lOcmX 10cm的5枚试验片TP1，利用与上述相同的方法来测定透光率以及表面电阻。其结果是，热处理后的试验片TP1的平均透光率为8.9 %，平均表面电阻为39 Ω/单位面积。另外，对于从热处理后的20枚蒸镀薄膜样本S各自切取的各试验片TP2 (55.2mmX 4.7mm)，与上述相同地测定0.1?6GHz的频率范围内的反射波Sn的电力以及透射波S12的电力，利用上述式⑴来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将热处理后的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为实施例1表示在图6中。
[0078]将实施例1的20枚试验片TP2 (具有热处理)以及比较例1的20枚试验片TP2 (不具有热处理)在6GHz下的传送衰减率Rtp的分布分别表示在图7(a)以及图7(b)中。各Rtp的频度例如在Rtp的值为30dB的情况下，由具有30dB ( Rtp < 31dB的范围内的Rtp的试验片的数量来表示(以下相同)。由图6以及图7明显可知，由热处理后的蒸镀薄膜构成的实施例1的试验片的Rtp与由未热处理的蒸镀薄膜构成的比较例1的试验片的Rtp相t匕，不仅更高且其分布也较窄(不均也较小)。
[0079]实施例2、比较例2
[0080]除了将Ni薄膜2的目标透光率(波长为660nm)设为15%以外，通过与实施例1相同的方法来制作长条的蒸镀薄膜，对于从其任意部分分别切出的5枚试验片TP1，利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。整个试验片TP1的平均透光率为15.5%,平均表面电阻为52 Ω /单位面积。
[0081]对于从长条的蒸镀薄膜的任意部分切出的20枚试验片TP2 (55.2mmX4.7mm)，各自利用与实施例1相同的方法来测定0.1?6GHz的频率范围内的反射波Su的电力以及透射波S12的电力，由上述式(1)来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将未进行热处理的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为比较例2表示在图8中。
[0082]接着，从长条的蒸镀薄膜的任意部分切取20枚A4尺寸(210mmX 297mm)的样本S，利用与实施例1相同的方法以150°C进行30分钟热处理。基于热处理的热收缩为大约1%。对于从热处理后的各样本S切出的10cmX 10cm的5枚试验片TP1,利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。热处理的试验片TP1的平均透光率为15.2%，平均表面电阻为48 Ω /单位面积。
[0083]对于从热处理后的20枚蒸镀薄膜样本S分别切取的试验片TP2 (55.2mm X 4.7mm)，利用与实施例1相同的方法来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将热处理后的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为实施例2表示在图8中。
[0084]将实施例2的20枚试验片TP2 (具有热处理)以及比较例2的20枚试验片TP2 (不具有热处理)在6GHz下的传送衰减率Rtp的分布分别表示在图9(a)以及图9(b)中。由图8以及图9明确可知，由热处理后的蒸镀薄膜构成的实施例2的试验片的Rtp与由未进行热处理的蒸镀薄膜构成的比较例2的试验片的Rtp相比，不仅更高且其分布也较窄(不均也较小)。
[0085]实施例3、比较例3
[0086]除了将Ni薄膜2的目标透光率(波长为660nm)设为28%以外，利用与实施例1相同的方法来制作长条的蒸镀薄膜，对于从其任意部分分别切出的5枚试验片TP1，利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。整个试验片TP1的平均透光率为27.0%,平均表面电阻为107 Ω/单位面积。
[0087]对于从长条的蒸镀薄膜的任意部分切出的20枚试验片TP2 (55.2mmX4.7mm)，各自利用与实施例1相同的方法来测定0.1?6GHz的频率范围内的反射波Sn的电力以及透射波S12的电力，由上述式(1)来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将未进行热处理的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为比较例3表示在图10中。
[0088]接着，从长条的蒸镀薄膜的任意部分切取20枚A4尺寸(210mmX 297mm)的样本S,利用与实施例1相同的方法以150°C进行30分钟热处理。基于热处理的热收缩为大约1%。对于从热处理后的各样本S切出的10cmX 10cm的5枚试验片TP1,利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。热处理后的试验片TP1的平均透光率为26.5%，平均表面电阻为99 Ω /单位面积。
[0089]对于从热处理后的20枚蒸镀薄膜样本S各自切取的试验片TP2 (55.2mm X 4.7mm)，利用与实施例1相同的方法来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将热处理后的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为实施例3表示在图10中。
[0090]将实施例3的20枚试验片TP2 (具有热处理)以及比较例3的20枚试验片TP2 (不具有热处理)在6GHz下的传送衰减率Rtp的分布分别表示在图11(a)以及图11(b)中。由图10以及图11明确可知，由热处理后的蒸镀薄膜构成的实施例3的试验片的Rtp与由未进行热处理的蒸镀薄膜构成的比较例3的试验片的Rtp相比，不仅更高且其分布也较窄(不均也较小)。
[0091]实施例4、比较例4
[0092]除了将Ni薄膜2的目标透光率(波长为660nm)设为48 %以外，利用与实施例1相同的方法来制作长条的蒸镀薄膜，对于从其任意部分分别切出的5枚试验片TP1，利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。整个试验片TP1的平均透光率为47.5%,平均表面电阻为217 Ω/单位面积。
[0093]对于从长条的蒸镀薄膜的任意部分切出的20枚试验片TP2 (55.2mmX4.7mm)，各自利用与实施例1相同的方法来测定0.1?6GHz的频率范围内的反射波Su的电力以及透射波S12的电力，由上述式(1)来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将未进行热处理的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为比较例4表示在图12中。
[0094]接着，从长条的蒸镀薄膜的任意部分切取20枚A4尺寸(210mmX 297mm)的样本S,利用与实施例1相同的方法以150°C进行30分钟热处理。基于热处理的热收缩为大约1%。对于从热处理后的各样本S切出的10cmX 10cm的5枚试验片TP1,利用与实施例1相同的方法来检测透光率以及表面电阻。热处理后的试验片TP1的平均透光率为46.5%，平均表面电阻为185 Ω/单位面积。
[0095]对于从热处理后的20枚蒸镀薄膜样本S的各自切取的试验片TP2(55.2mmX 4.7mm)，利用与实施例1相同的方法来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将热处理后的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值作为实施例4表示在图12中。
[0096]将实施例4的20枚试验片TP2 (具有热处理)以及比较例4的20枚试验片TP2 (不具有热处理)在6GHz下的传送衰减率Rtp的分布分别表示在图13(a)以及图13(b)中。由图12以及图13明确可知，由热处理后的蒸镀薄膜构成的实施例4的试验片的Rtp与未进行热处理的蒸镀薄膜构成的比较例4的试验片的Rtp相比，不仅更高且其分布也较窄(不均也较小)。
[0097]将由热处理后的蒸镀薄膜构成的实施例4的试验片TP2通过粘着剂粘贴在图4 (a)以及图4(b)所示的系统的微带线MSL上，测定反射波Sn的电力以及透射波S12的电力，利用上述[3]⑵的方法来求得噪声吸收率P1()SS/Pin。将结果表示在图14中。由图14明确可知，实施例4的试验片TP2在0.1?6GHz的频率范围内表示良好的噪声吸收率P1()SS/Pin。
[0098]比较例5
[0099]除了将Ni薄膜2的目标透光率(波长为660nm)设为0.3 %以外，与比较例1相同地制作长条的蒸镀薄膜，对于从其任意部分分别切出的5枚试验片TP1，利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。整个试验片TP1的平均透光率为0.3%，平均表面电阻为3.8Ω/单位面积。另外，从长条的蒸镀薄膜的任意部分切取一枚A4尺寸(210mmX297mm)的样本S，测定传送衰减率Rtp。将结果表示在图15中。
[0100]对于相同的样本S,在利用与实施例1相同的方法以150°C进行30分钟热处理之后，利用与实施例1相同的方法来测定透光率、表面电阻。平均透光率为0.3%，平均表面电阻为3.7Ω/单位面积。另外，对于从热处理后的样本S切出的试验片TP2 (55.2mm X 4.7mm),利用与实施例1相同的方法来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将结果表示在图15中。
[0101]由图15明确可知，在透光率为0.3%的Ni蒸镀薄膜中，与有无热处理无关，0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp是不充分的。
[0102]比较例6
[0103]除了将Ni薄膜2的目标透光率(波长为660nm)设为60 %以外，与比较例1相同地制作长条的蒸镀薄膜，对于从其任意部分分别切出的5枚试验片TP1，利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。整个试验片TP1的平均透光率为60.5%，平均表面电阻为390 Ω/单位面积。
[0104]对于从长条的蒸镀薄膜的任意部分切出的20枚试验片TP2 (55.2mmX4.7mm)，各自利用与实施例1相同的方法来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将未进行热处理的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值表示在图16中。
[0105]接着，从长条的蒸镀薄膜的任意部分切取20枚A4尺寸(210mmX297mm)的样本S,利用与实施例1相同的方法以150°C进行30分钟热处理。基于热处理的热收缩为大约1%。对于从热处理后的各样本S切出的10cmX 10cm的5枚试验片TP1,利用与实施例1相同的方法来测定透光率以及表面电阻。热处理后的试验片TP1的平均透光率为59.0%，平均表面电阻为350 Ω/单位面积。
[0106]对于从热处理后的20枚蒸镀薄膜样本S各自切取的试验片TP2 (55.2mm X 4.7mm)，利用与实施例1相同的方法来求得0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp。将热处理后的20枚试验片TP2的传送衰减率Rtp的最高值以及最低值表示在图16中。
[0107]由图16明确可知，在透光率为大约60%的Ni蒸镀薄膜中，与有无热处理无关，0.1?6GHz的频率范围内的传送衰减率Rtp不充分。
[0108]将实施例1?4的试验片(具有150°C下30分钟的热处理)及比较例1?6的试验片的透光率以及表面电阻、以及6GHz下的平均传送衰减率Rtp、以及平均噪声吸收率PioSS/Pin表不在表1中。
[0109][表1]
【权利要求】
1.一种噪声抑制薄膜，该噪声抑制薄膜降低电磁波噪声吸收能力的不均，其特征在于，利用蒸镀法在由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜的一方的面上形成有Ni薄膜，然后在能够引起热收缩的110?170°C的范围内的温度下进行10分钟?1小时热处理，由此形成所述噪声抑制薄膜，(a)所述Ni薄膜的透光率(波长为660nm的激光)为3?50%, (b)在所述Ni薄膜的lOcmXIOcm的正方形的试验片TP的对置边部配置具有覆盖边整体的长度的一对电极，通过平坦的加压板施加3.85kg的载荷而测定出的表面电阻为10?200 Ω/单位面积。
2.根据权利要求1所述的噪声抑制薄膜，其特征在于，所述Ni薄膜的热处理温度为130?160°C。
3.根据权利要求1或2所述的噪声抑制薄膜，其特征在于，所述Ni薄膜的热处理时间为20?40分钟。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的噪声抑制薄膜，其特征在于，在所述Ni薄膜的表面上层叠有保护薄膜。
【文档编号】H05K9/00GK103636299SQ201280032039
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年6月27日 优先权日:2011年6月30日
【发明者】加川清二 申请人:加川清二