发光装置制造方法

发光装置制造方法
【专利摘要】本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。
【专利说明】发光装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种具有串联元件的发光装置。
【背景技术】
[0002]有机EL显示器的商品化日益加速。为了使显示器能够承受在室外的使用，对显示器亮度的要求也逐年增高。另一方面，已知有机EL元件的发光亮度与电流成正比地变高且可以以闻売度发光。
[0003]但是,施加大量电流会加快有机EL元件的劣化。所以，如果能够以少量电流实现高亮度，就可以延长发光元件的使用寿命。于是，作为能够以少量电流实现高亮度的发光元件，已提出了层叠有多个发光单元的串联元件(例如，参照专利文献I)。
[0004]注意，在本说明书中，发光单元是指具有一个使从两端注入的电子和空穴复合的区域的层或层叠体。
[0005]在电极之间层叠有η个一个结构的发光单元的串联元件中，通过对发光单元施加一个发光元件(单元件)的l/η的密度的电流，可以得到同样的发光。另外，该串联元件能够以相同的电流密度实现该单元件的η倍的亮度。
[0006]在其中相邻地设置有串联元件的发光面板中存在串扰现象的问题。串扰现象是指，当在相邻的串联元件之间设置有一个导电性高的层时，电流泄漏到隔着该导电性高的层相邻的串联元件而导致发光的现象。
[0007]在串联元件中，隔着导电性高的中间层层叠有多个层，且结构上具有导电性高的层和导电性低的层。此外，为了降低驱动电压，在串联元件中常采用含有有机化合物和金属氧化物的混合材料或导电高分子等的导电性高的载流子注入层。另外，与单元件相比串联元件的阳极和阴极之间的电阻大，所以电流容易经过导电性高的层扩散到相邻的像素。
[0008]图12是用来说明导电性高的中间层86导致串扰现象发生的示意图，并且是示出在发射呈现白色的光的串联元件被设置为三个条状的发光面板(白色面板)中，仅驱动第二串联元件(B行、蓝色行)时的状况的截面图。
[0009]发光面板具有被彼此相邻地配置的第一串联元件至第三串联元件。第一串联元件(R行、红色行)配置在上部电极81和第一下部电极82之间。第二串联元件配置在上部电极81和第二下部电极83之间。第三串联元件(G行、绿色行)配置在上部电极81和第三下部电极84之间。
[0010]在第一串联元件至第三串联元件中分别依次层叠有第一发光单元85、中间层86和第二发光单元87。例如，在采用如下结构时，可以从各个串联元件获得呈现白色的发光。该结构为:第一发光单元85具有发射呈现蓝色的光的发光层且第二发光单元87具有发射呈现绿色的光的发光层和发射呈现红色的光的发光层。
[0011]在图12中采用具有透光性的上部电极，在上部电极上配置有对置玻璃衬底88。对置玻璃衬底88具有未图示的蓝色滤光片、红色滤光片和绿色滤光片。红色滤光片重叠于第一下部电极82，蓝色滤光片重叠于第二下部电极83，绿色滤光片重叠于第三下部电极84。[0012]在上述发光面板中对第二下部电极83和上部电极81施加电压并仅驱动蓝色行时，电流有时泄漏到隔着导电性高的中间层86相邻的第一串联元件或第三串联元件，从而使红色行或绿色行发光而发生串扰现象。
[0013]图13是用来说明导电性高的载流子注入层(空穴注入层或电子注入层)89导致串扰现象发生的示意图，并且是示出在发光面板(白色面板)中仅驱动蓝色行时的状况的截面图。
[0014]在第一串联元件至第三中分别依次层叠有含有导电性高的载流子注入层89的第一发光单元85、中间层86和第二发光单元87。作为载流子注入层89例如可以举出包含有机化合物和金属氧化物的混合材料或导电高分子等的导电性高的层。
[0015][专利文献I]日本专利申请公开2008-234885号公报

【发明内容】

[0016]本发明的一个方式的目的是抑制具有串联元件的发光装置中的串扰现象发生。
[0017]本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括:形成在绝缘层上的第一电极及第二电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一电极与所述第二电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的第三电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。
[0018]此外，在上述本发明的一个方式中，优选在所述突起物的侧面与所述隔壁之间有空间。
[0019]此外，在本发明的一个方式中，优选所述第一发光单元和所述中间层在所述突起物处断开。
[0020]此外，在本发明的一个方式中，所述突起物的端部优选形成在倾斜于所述隔壁的被形成面的所述隔壁的表面上。
[0021]此外，在本发明的一个方式中，所述凹处的拐点形成在所述隔壁上。
[0022]此外，在本发明的一个方式中，当将从所述突起物在与所述隔壁的被形成面平行的方向上最突出的第一点向所述被形成面画的垂直线与所述隔壁的表面的交点设定为第二点时，所述第一点与所述第二点之间的距离优选比位于所述第一电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度大，并是位于所述第一电极上的所述第一发光单元、所述中间层、所述第二发光单元和所述第三电极的总厚度以下。
[0023]此外，在本发明的一个方式中，当将从所述突起物在与所述隔壁的被形成面平行的方向上最突出的第一点向所述被形成面画的垂直线与所述第二发光单元的表面的交点设定为第三点时，所述第一点与所述第三点之间的距离优选比所述第三电极的厚度小。
[0024]此外，在本发明的一个方式中，因为当所述第一发光单元具有载流子注入层时，可以降低驱动电压，所以是优选的。在本发明的一个方式的发光装置中，在突起物(以下，也称为“间隔物”)处，可以使载流子注入层断开。因此，即使在为了降低驱动电压设置载流子注入层的情况下，也可以抑制串扰现象的发生。
[0025]此外，在本发明的一个方式中优选包括配置于所述第一电极和所述第二电极上的滤色片，并且所述滤色片具有与所述第一电极重叠的第一颜色以及与所述第二电极重叠的
第二颜色。
[0026]注意，本说明书中的发光装置包括在像素(或子像素)中具备有发光元件的显示装置。另外，发光面板包括其中相邻设置有具有发光元件的像素的显示面板。此外，发光模块具有包含发光元件的结构，发光元件具备含有发光层的发光单元。
[0027]通过应用本发明的一个方式可以抑制具有串联元件的发光装置中的串扰现象发生。
【专利附图】

【附图说明】
[0028]图1A是可以用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构的俯视图，图1B是包括沿图1A的切断线A-B及C-D的截面的结构的侧面图；
图2A是像素的俯视图，图2B是图2A的虚线M-N之间的截面图，图2C是示出图2A的变形例子的像素的俯视图，图2D是示出图2A的变形例子的像素的俯视图；
图3A和图3B是将图2B所示的隔壁、间隔物及发光元件放大的截面图；
图4A和图4B是示出图2B的变形例子的截面图；
图5A是用来说明层叠有两个发光单元的串联型发光元件的结构的图，图5B是示出发光单元的具体结构的一个例子的图，图5C是示出层叠有多个发光单元的串联型发光元件的结构的图；
图6是示出图3A的变形例子的截面图；
图7A是示出实施例的发光元件的隔壁和间隔物的截面结构的照片，图7B是放大图7A所示的凹处153的照片，图7C是放大图7A所示的区域154的照片；
图8A至图SC是示出与图7B相同的截面并详细地说明凹处的高度等的照片；
图9是示出与图7B相同的截面的照片并详细地说明凹处的高度等的照片；
图10是示出使具备实施例的发光元件的发光面板表示蓝单色的状态的照片；
图1lA是示出比较例的发光元件的隔壁的截面结构的照片，图1lB是示出使具备比较例的发光元件的发光面板表示蓝单色的照片；
图12是用来说明导电性高的中间层导致串扰现象发生的示意图；
图13是用来说明导电性高的载流子注入层导致串扰现象发生的示意图。
本发明的选择图为图3A和图3B。
【具体实施方式】
[0029]下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属【技术领域】的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
[0030]实施方式I
<显示面板的结构>
图1A和图1B示出可以用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构。图1A是可以用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构的俯视图，图1B是包括沿图1A的切断线A-B及C-D的截面的结构的侧面图。
[0031 ] 在本实施方式中例示说明的显示面板400在第一衬底410上具有显示部401，在显示部401设置有多个像素402。另外，在像素402中设置有多个(例如，三个)子像素(参照图1A)。此外，在第一衬底410上与显示部401 —起设置有驱动该显示部401的源极一侧的驱动电路部403s、栅极一侧的驱动电路部403g。注意，也可以将驱动电路部设置在外部，而不设置在第一衬底410上。
[0032]显示面板400包括外部输入端子，通过FPC (柔性印刷电路)409接收视频信号、时
钟信号、起始信号、复位信号等。
[0033]密封材料405将第一衬底410和第二衬底(以下，也称为“对置衬底”)170贴合，在它们之间形成的空间431中密封有显示部401 (参照图1B)。
[0034]参照图1B说明包括显示面板400的截面的结构。显示面板400具备源极一侧的驱动电路部403s、像素402所包含的子像素402G及子像素402B、引绕布线408。注意，本实施方式所例示的显示面板400的显示部401向在附图中示出的箭头的方向发射光而显示图像。
[0035]源极一侧的驱动电路部403s包括组合η沟道型晶体管413和ρ沟道型晶体管414的CMOS电路。注意，驱动电路不局限于上述结构，也可以由各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路构成。
[0036]引绕布线408将从外部输入端子输入的信号传送到源极一侧的驱动电路部403s及栅极一侧的驱动电路部403g。
[0037]子像素402G包括开关用晶体管411、电流控制用晶体管412和发光模块450G。此夕卜，在晶体管411等上形成有绝缘层416和隔壁150。发光模块450G包括具有第一电极(以下，也称为“第一下部电极”)118a、第三电极(以下，也称为“上部电极”)122以及第一下部电极118a和上部电极122之间的有机层120的发光元件130a。同样地，子像素402B所具有的发光模块450B包括第二电极(以下，也称为“第二下部电极”)118b、上部电极122、在第二下部电极118b与上部电极122之间具备有机层120的发光元件130b。在发射发光元件130a、发光元件130b所发射的光的上部电极122—侧设置有滤色片171。另外，显示部401显不图像的方向取决于取出发光兀件130a、发光兀件130b所发射的光的方向。
[0038]此外，在发光元件中，下部电极和上部电极中的至少一个透过有机层120的发光即可。例如，图1B示出上部电极122透过有机层120的发光的结构。
[0039]另外，以围绕滤色片171的方式形成有具有遮光性的膜(以下，也称为“黑矩阵”)
172。黑矩阵172是防止显示面板400反射外光的现象的膜，并有提高显示部401所显示的图像的对比度的效果。另外，滤色片171和黑矩阵172形成在对置衬底170上。
[0040]绝缘层416是用来使起因于晶体管411等的结构的台阶平坦化或抑制杂质扩散到晶体管411等的具有绝缘性的层，并且既可以是单层又可以是多层的叠层体。隔壁150是具有开口部的绝缘层，并且发光元件130a、发光元件130b形成在隔壁150的开口部。
[0041]〈晶体管的结构〉
图1A所例示的显示面板400虽然应用顶栅型晶体管，但不限于此，也可以应用底栅型晶体管。源极一侧的驱动电路部403s、栅极一侧的驱动电路部403g以及子像素可以应用各种结构的晶体管。此外，在形成这些晶体管的沟道的区域中，可以使用各种半导体。具体来说，除了可以使用非晶硅、多晶硅、单晶硅，还可以使用氧化物半导体等。作为氧化物半导体的一个例子，可以举出至少含有铟(In)或锌(Zn)的氧化物半导体，优选含有In和Zn的氧化物半导体。另外，特别优选包含选自镓(Ga)或锡(Sn)中的一种或多种的氧化物半导体。
[0042]通过在被形成晶体管的沟道的区域中使用单晶半导体，可以实现晶体管尺寸的微型化，因此在显示部中可以进一步实现像素的高清晰化。
[0043]作为构成半导体层的单晶半导体，除了可以使用单晶硅衬底等的半导体衬底之外，还可以使用在绝缘表面上设置有单晶半导体层的SOI (Silicon On Insulator:绝缘体上硅)衬底。
[0044]〈像素的结构〉
参照图2A和图2B以及图3A和图3B说明设置在显示部401中的像素402的结构。
[0045]图2A至图2D示出隔壁150、间隔物155 (也称为突起物)、发光部160R、发光部160G、发光部160B的位置关系的一个例子。图2A是像素402的俯视图，图2B是图2A的虚线M-N之间的截面图的一个例子。图3A和图3B是将图2B所示的隔壁、间隔物及发光元件130b放大的截面图的一个例子。注意，在图2A中省略了有机层120、上部电极122、外敷层173、滤色片171、黑矩阵172和对置衬底170。
[0046]在本实施方式中例示的像素402包括发射呈现红色的光R的子像素402R、发射呈现绿色的光G的子像素402G以及发射呈现蓝色的光B的子像素402B。子像素402R包括红色发光部160R，子像素402G包括绿色发光部160G，子像素402B包括蓝色发光部160B。红色发光部160R、绿色发光部160G和蓝色发光部160B都位于隔壁150的开口部(参照图2A)。
[0047]各颜色的发光部160R、发光部160G和发光部160B都包括由下部电极、有机层和上部电极122构成的发光元件。例如，绿色发光部160G包括由第一下部电极118a、有机层120和上部电极122构成的发光元件130a，蓝色发光部160B包括由第二下部电极118b、有机层120和上部电极122构成的发光元件130b (参照图2B)。有机层120包括第一发光单元141、中间层142和第二发光单元143 (参照图3A)。另外，在对置衬底170上形成有:设置在与发光部重叠的位置的滤色片171、设置在与隔壁150重叠的位置的黑矩阵172以及覆盖滤色片171和黑矩阵172的外敷层173 (参照图2B)。如果不需要，也可以不设置外敷层
173。
[0048]各颜色的发光部160R、发光部160G和发光部160B都包括具有下部电极、上部电极122以及含有第一发光单元141、中间层142和第二发光单元143的有机层120的发光元件。中间层142的导电性高于第一发光单元141。
[0049]此外，子像素402G包括驱动用晶体管和发光模块450G。其他的子像素402R和子像素402B也具有与子像素4 02G同样的结构。发光模块分别包括具有下部电极、上部电极122以及位于下部电极与上部电极122之间的有机层120的发光元件(参照图1B)。
[0050]作为发光元件的结构，在下部电极与上部电极之间具备包括第一发光单元141、中间层142及第二发光单元143的有机层120。
[0051]此外，在发光元件中，下部电极和上部电极中的至少一个透过有机层的发光即可。例如，可以将反射膜用作第一下部电极118a和第二下部电极118b，并将半透射.半反射膜用作上部电极122。通过重叠反射膜和半透射?半反射膜构成微谐振器，并在其间设置有机层120，可以从半透射?半反射膜(上部电极122)—侧高效地取出具有特定的波长的光。取出的光的波长依赖于反射膜和半透射.半反射膜之间的距离，可以在反射膜和半透射.半反射膜之间形成光学调整层来调整该距离。
[0052]作为可以用于光学调整层的材料，除了对可见光具有透光性的导电膜之外，还可以应用包含发光有机化合物的层。例如，也可以采用通过调整电荷产生区域的厚度来使电荷产生区域兼作光学调整层的结构。或者，也可以采用以下结构:通过调整包含空穴传输性高的物质以及对该空穴传输性高的物质呈现受主性的物质的区域(混合材料层)的厚度，来使该混合材料层兼作光学调整层。通过采用该结构，即使使用厚的光学调整层也可以抑制驱动电压的上升，所以是优选的。
[0053]另外，在实施方式2中详细地说明发光元件的结构例子。
[0054]在本实施方式所例示的发光模块450G中，设置在每个发光模块中的发光元件的上部电极122兼作半透射.半反射膜。详细地说，在每个发光元件中共用的上部电极122兼作每个发光模块的半透射.半反射膜。
[0055]另外，在每个发光模块中以电独立的方式设置有发光元件的下部电极，下部电极兼作发光模块的反射膜。
[0056]兼作每个发光模块的反射膜的下部电极具有在反射膜上层叠有光学调整层的结构。光学调整层由对可见光具有透光性的导电膜形成，反射膜优选是对可见光的反射率高且具有导电性的金属膜。
[0057]根据从发光模块取出的光的波长的长度来调整光学调整层的厚度。以下进行详细说明。
[0058]例如，发光模块(蓝色)包括透射呈现蓝色的光的滤色片、兼作反射膜的下部电极以及兼作半透射.半反射膜的上部电极，其中下部电极与上部电极之间的光程被调整为加强具有400nm以上且低于500nm的波长的光的距离。
[0059]此外，发光模块450G包括透射呈现绿色的光的滤色片、反射膜以及半透射.半反射膜，其中反射膜与半透射.半反射膜之间的光程被调整为加强具有500nm以上且低于600nm的波长的光的距离。
[0060]此外，发光模块(红色)包括透射呈现红色的光的滤色片、反射膜以及半透射.半反射膜，其中反射膜与半透射.半反射膜之间的光程被调整为加强具有600nm以上且低于800nm的波长的光的距离。
[0061]在采用这种结构的发光模块中，发光元件所发射的光在反射膜和半透射.半反射膜之间互相干涉，具有400nm以上且低于SOOnm的波长的光中的特定的光互相加强，且滤色片吸收不需要的光。
[0062]另外，每个发光模块都包括具有第一发光单兀141、中间层142和第二发光单兀143的有机层120。此外,每个发光兀件的一对电极(下部电极和上部电极)都是其中一个兼作反射膜，另一个兼作半透射.半反射膜。
[0063]这种结构的发光模块可以通过同一工序形成发光单元。
[0064]<隔壁和间隔物(突起物)的结构>
隔壁150形成在像素402的周围以及子像素402B、子像素402G、子像素402R的周围以及发光部160R、发光部160G、发光部160B的周围(参照图2A)。
[0065]隔壁150形成在第一下部电极118a与第二下部电极118b之间，并以覆盖第一下部电极118a和第二下部电极118b的每一个的端部的方式形成。在隔壁150上形成有间隔物155，间隔物155可以具有在与隔壁150的被形成面平行的方向上突出的形状，并且由间隔物155的侧面和隔壁150的侧面形成凹处，即可。就是说，也可以在隔壁150的外表面上形成凸形状的间隔物155，并且由间隔物155的侧面和隔壁150的侧面形成凹处。由此，优选在间隔物155的侧面与隔壁150之间有空间(空隙)156。作为隔壁150及间隔物155的材料，分别可以使用正型或负型的光敏树脂(参照图2B)。
[0066]如图3A所示那样，将间隔物155在与隔壁150的被形成面平行的方向上最突出的点设定为第一点X，将从该第一点X向隔壁150的被形成面或衬底的表面画的垂直线与隔壁150的表面的交点设定为第二点Y1，将第一点X与第二点Yl之间的距离设定为凹处的高度LI。此时，凹处的高度LI优选比位于第二下部电极118b上的第一发光单元141和中间层142的总厚度Al大，并是位于第二下部电极118b上的第一发光单元141、中间层142、第二发光单元143和上部电极122的总厚度A2以下。由此，在间隔物155的侧面处可以使第一发光单元141与导电性高的中间层142断开，并可以防止上部电极122的断开。此外，在连接第一点X和第二点Yl的线的内侧存在有空间(空隙)156。
[0067]在此，由于设置间隔物155而产生上部电极122的膜厚度薄的区域，于是起因于上部电极122的电阻的电位下降的发光不良有时导致显示的亮度不均匀等的问题发生。因此，如图6所示，优选通过使第二发光单元143不断开，而不仅使上部电极122不断开，还可以抑制上部电极122的薄膜化。
[0068]如图3B所示那样，将间隔物155在与隔壁150的被形成面平行的方向上最突出的点设定为第一点X，将从该第一点X向隔壁150的被形成面或衬底的表面画的垂直线与第二发光单元143的表面的交点设定为第三点Y2，将第一点X与第三点Y2之间的距离设定为L2。此时，距离L2可以比上部电极122的厚度A3小。由此，即使构成有机层120的所有层都断开，也可以防止上部电极122的断开。此外，厚度Al、厚度A2、厚度A3是从各层的表面向第二下部电极118b的被形成面或衬底的表面画的垂直线上的值。
[0069]此外，根据本发明的一个方式的有机EL元件的例子如下。
第一发光单元141的膜厚度:大约75nm (30nm至200nm)
中间层142的厚度:大约30nm (Inm至IOOnm)
第二发光单元143的膜厚度:大约90nm (30nm至200nm)
上部电极122 (透明电极或反射电极)的膜厚度:15nm厚的MgAg和70nm厚的ITO (氧化铟锡；Indium Tin Oxide)的叠层(总厚度为5nm至200nm)
[0070]间隔物155的配置不局限于图2A所示的配置，而也可以采用图2C或图2D所示的配置。在图2A中，间隔物155设置在相邻的所有发光部之间。在图2C和图2D中，间隔物155设置在相邻并呈现不同颜色的发光部之间，而没有设置在相邻并呈现相同颜色的发光部之间。就是说，间隔物155至少设置在相邻并呈现不同颜色的发光部之间，即可。由此，使第一发光单元141和中间层142在位于相邻并呈现不同颜色的发光部之间的间隔物155处断开。
[0071]由间隔物155和隔壁150形成的凹处的形状不局限于图2B所示的形状，而优选为图4A所示的形状。在图2B中，凹处的拐点形成在隔壁150与间隔物155的接触面，但是在图4A中，凹处的拐点形成在隔壁150上。就是说，也可以在隔壁150的外表面上形成凸形状的间隔物155，并且在隔壁150的侧面上形成凹处的拐点。当形成间隔物155时，通过将间隔物155用作掩模而对隔壁150进行蚀刻，可以在隔壁150上形成凹处的拐点。由此，可以使上述凹处的高度LI更高。
[0072]间隔物155的配置不局限于图2B所示的配置，而优选采用图4B所示的配置。就是说，如图2B所示，间隔物155的端部设置在隔壁150的表面的平坦部分(即，具有大致平行于隔壁150的被形成面的面的区域)上，但是如图4B所示，间隔物155的端部优选设置在隔壁150的表面的倾斜部分(即，具有倾斜于或不平行于隔壁150的被形成面的面的区域)上。如此，通过在隔壁150的表面的倾斜部分上配置间隔物155的端部，可以使上述凹处的闻度LI更闻。
[0073]另外，作为一个例子，图2B、图4A和图4B示出相邻的发光部之间的有机层120断开且上部电极122没有断开的情况。另外，在图2C和图2D中省略了有机层120、上部电极122、外敷层173、滤色片171、黑矩阵172和对置衬底170。隔壁150的开口部相当于发光部(红色发光部160R、绿色发光部160G或蓝色发光部160B)。
[0074]根据本实施方式，通过使第一发光单元141在由间隔物155和隔壁150形成的凹处断开，可以使第一发光单元141所包含的导电性高的层(例如载流子注入层)也断开。因此，该导电性高的层的导电性受损且流过的电流被抑制，从而可以抑制相邻的发光颜色不同的像素之间或子像素之间的串扰现象。
[0075]此外，通过使中间层142在由间隔物155和隔壁150形成的凹处断开，而使中间层142的导电性受损且流过的电流被抑制，从而可以抑制相邻的发光颜色不同的像素之间或子像素之间的串扰现象。
[0076]另外，通过使上 部电极122不断开，在相邻的像素中上部电极122的电位变为相等，上部电极122平面状地变为等电位，优选上部电极122整体变为等电位，由此得到能够降低电压等的效果。
[0077]此外，在第一衬底410 —侧设置半透射?半反射膜，将发光模块所发射的光取出到第一衬底410 —侧来显不图像的结构中，对隔壁150应用吸收可见光的材料,该隔壁吸收设置在第一衬底410上的半透射.半反射膜所发射的外光，而可以抑制其反射。
[0078]<密封结构>
本实施方式所例不的显不面板400具有在由第一衬底410、第二衬底170和密封材料405围绕的空间431密封发光元件的结构(参照图1A和图1B)。
[0079]空间431除了填充有惰性气体(氮或氩等)的情况以外，有时填充有树脂。另外，也可以向空间431引入杂质(典型的是，水及/或氧)的吸附材料(例如，干燥材料等)。
[0080]密封材料405和第二衬底170优选为尽量不使大气中的杂质(典型的是，水及/或氧)透过的材料。作为密封材料405可以使用环氧类树脂或玻璃粉等。
[0081]作为可以用于第二衬底170的材料的例子，除了玻璃衬底或石英衬底之外还可以举出由PVF (聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸类树脂等构成的塑料衬底或FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics:玻璃纤维增强塑料)等。
[0082]<发光装置的制造方法>
参照图2B以及图3A和图3B说明根据本发明的一个方式的发光装置的制造方法。
[0083]在绝缘层416上形成电极层，在该电极层上形成光抗蚀剂膜(未图示)，对该光抗蚀剂膜进行露光及显影，由此在电极层上形成抗蚀剂掩模。接着，将该抗蚀剂掩模用作掩模对电极层进行蚀刻加工，来在绝缘层416上形成第一下部电极118a及第二下部电极118b (参照图2B)。
[0084]接着，在第一下部电极118a的端部、第二下部电极118b的端部上以及在绝缘层416上形成隔壁150。接着，在隔壁150、第一下部电极118a、第二下部电极118b上涂敷光敏正型材料膜，对该光敏正型材料膜进行露光及显影，由此在隔壁150上形成间隔物155。间隔物155具有在与隔壁150的被形成面平行的方向上突出的形状，由间隔物155的侧面和隔壁150的侧面形成凹处。
[0085]接着，在第一下部电极118a、第二下部电极118b、隔壁150以及间隔物155上利用蒸镀法形成第一发光单元141，在第一发光单元141上利用蒸镀法形成中间层142。中间层142的导电性比第二发光单元143的导电性高。接着，在中间层142上利用蒸镀法形成第二发光单元143，并且在第二发光单元143上形成上部电极122。
[0086]间隔物155的侧面和隔壁150的侧面所形成的凹处的高度LI比位于第二下部电极118b上的第一发光单元141和中间层142的总厚度Al大，并是位于第二下部电极118b上的第一发光单元141、中间层142、第二发光单元143和上部电极122的总厚度A2以下。由此，在凹处，第一发光单元141、导电性高的中间层142及第二发光单元143断开，而不使上部电极122断开(参照图3A)。
[0087]接着，配置与隔壁上的上部电极122接近或接触的滤色片171，使用密封材料以惰性气体或树脂来密封发光元件。滤色片171例如具有与第一下部电极118a重叠的绿色滤光片以及与第二下部电极118b重叠的蓝色滤光片，并且在蓝色滤光片与绿色滤光片之间形成有遮光膜172 (参照图2B)。
[0088]实施方式2
参照图5A至图5C对可以用于本发明的一个方式的发光模块的发光元件的结构进行说明。
[0089]本实施方式所例示的发光元件具备下部电极、上部电极及下部电极与上部电极之间的有机层。上部电极和下部电极的任一个用作阳极，而另一个用作阴极。有机层设置在下部电极和上部电极之间，该有机层的结构根据下部电极和上部电极的材料适当地选择，即可。
[0090]<发光元件的结构例子>
图5A示出发光元件的结构的一个例子。图5A所例示的发光元件在阳极1101和阴极1102之间设置有包括发光单元1103a和发光单元1103b的有机层。再者，发光单元1103a与发光单元1103b之间设置有中间层1104。
[0091]当对阳极1101和阴极1102之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，来自阳极1101 —侧的空穴以及来自阴极1102—侧的电子注入到有机层。被注入的电子和空穴在有机层中复合，于是包含在有机层的发光物质发光。
[0092]设置在阳极1101和阴极1102之间的发光单元的数量不局限于两个。图5C所例示的发光元件具有层叠有多个发光单元1103的所谓串联型发光元件的结构。但是，当在阳极和阴极之间设置η (η是2以上的自然数)层的发光单元1103时，在第m发光单元和第(m+1)发光单元之间的每一个都设置中间层1104。[0093]发光单兀1103具有至少一个以上的包含发光物质的发光层，即可。发光单兀1103也可以采用发光层与发光层以外的层的叠层结构。作为发光层以外的层，例如可以举出包含高空穴注入性物质、高空穴传输性物质、低空穴传输性(阻挡)物质、高电子传输性物质、高电子注入性物质以及双极性(电子及空穴的传输性高)的物质等的层。尤其是，与阳极接触地设置的包含高空穴注入性物质的层以及与阴极接触地设置的包含高电子注入性物质的层可以减少从电极到发光单元的载流子的注入势垒。可以将这些层称为载流子注入层。
[0094]图5B示出发光单元1103的具体结构的一个例子。图5B所示的发光单元1103从阳极1101 —侧按顺序层叠有空穴注入层1113、空穴传输层1114、发光层1115、电子传输层1116以及电子注入层1117。
[0095]图5A示出中间层1104的具体结构的一个例子。中间层1104至少包括电荷产生区域而形成，即可，也可以是层叠电荷产生区域与电荷产生区域以外的层的叠层结构。例如，可以采用如下结构:从阴极1102—侧按顺序层叠第一电荷产生区域1104c、电子中继层1104b及电子注入缓冲层1104a。
[0096]对中间层1104中的电子和空穴的举动进行说明。当对阳极1101和阴极1102之间施加高于发光兀件的阈值电压的电压时，在第一电荷产生区域1104c中产生空穴和电子，空穴移动到设置在阴极1102 —侧的发光单元1103b，电子移动到电子中继层1104b。
[0097]电子中继层1104b的电子传输性高，因此可将在第一电荷产生区域1104c中产生的电子快速传送到电子注入缓冲层1104a。电子注入缓冲层1104a缓和将电子注入到发光单元1103a的势垒，而提高对发光单元1103a的电子注入效率。因此，在第一电荷产生区域1104c中产生的电子经过电子中继层1104b和电子注入缓冲层1104a注入到发光单元1103a的最低空分子轨道能级(以下称为“LUM0能级”)。
[0098]另外，电子中继层1104b可以防止构成第一电荷产生区域1104c的物质和构成电子注入缓冲层1104a的物质在界面起反应而损坏彼此功能等的相互作用。
[0099]注入到设置在阴极一侧的发光单元1103b的空穴与从阴极1102注入的电子复合，由此包含在该发光单元1103b中的发光物质发光。注入到设置在阳极一侧的发光单元1103a的电子与从阳极一侧注入的空穴复合，而包含在该发光单元1103a中的发光物质发光。因此，在中间层1104中产生的空穴和电子分别在彼此不同的发光单元中发光。
[0100]另外，当通过将发光单元设置为彼此接触，并在两者之间形成与中间层同样的结构时，可以将发光单元设置为彼此接触。具体而言，当在发光单元的一个面形成有电荷产生区域时，因为该电荷产生区域用作中间层的第一电荷产生区域，所以可以将发光单元设置为彼此接触。
[0101]另外，也可以在阴极和第η发光单元之间设置中间层。
[0102]<可以用于发光元件的材料>
接着，关于可以用于具备上述结构的发光元件的具体材料，依次说明阳极、阴极、有机层、电荷产生区域、电子中继层以及电子注入缓冲层。
[0103]〈可以用于阳极的材料〉
阳极1101优选使用功函数大(具体而言,优选为4.0eV以上)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体而言，例如可以举出铟锡氧化物(ΙΤ0 =Indium Tin Oxide)、含有娃或氧化娃的铟锡氧化物、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide)、含有氧化鹤及氧化锌的氧化钢等。
[0104]此外，可以举出下述物质:金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钥(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、|fi(Pd)、钛(Ti)、金属材料的氮化物(例如氮化钛等)、钥氧化物、钥；氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物、钛氧化物等。
[0105]但是，当以与阳极1101接触的方式设置第二电荷产生区域时，可以不考虑功函数地将各种导电材料用于阳极1101。具体而言，不仅可以使用功函数大的材料，还可以使用功函数小的材料。在后面描述构成第一电荷产生区域的材料及构成第二电荷产生区域的材料。
[0106]〈可以用于阴极的材料〉
虽然阴极1102优选使用功函数小(具体地低于4.0eV)的材料，但是通过将第一电荷产生区域与阴极1102接触地设置在阴极1102和发光单元1103之间，阴极1102可以与功函数的大小无关地使用各种导电材料。
[0107]另外，使用使可见光透过的导电膜形成阴极1102和阳极1101中的至少一方。作为使可见光透过的导电膜，例如可以举出含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物、含有氧化钛的铟锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等。此外，也可以使用能够透过光的厚度(优选为5nm以上且30nm以下左右)的金属薄膜。
[0108]<可以用于有机层的材料>
以下示出可以用于构成上述发光单元1103的各层的材料的具体例子。
[0109]〈空穴注入层〉
空穴注入层是包含具有高空穴注入性物质的层。作为高空穴注入性物质，例如可以使用钥氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。此外，还可以使用酞菁类化合物如酞菁(简称:H2Pc)或酞菁铜(简称:(:迎(3)、高分子如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)等形成空穴注入层。
[0110]另外，可以使用第二电荷产生区域来代替空穴注入层。当使用第二电荷产生区域时，如上所述，可以不考虑功函数地使用各种导电材料作为阳极1101。在后面描述构成第一电荷产生区域的材料及构成第二电荷产生区域的材料。
[0111]〈空穴传输层〉
空穴传输层是包含空穴传输性高的物质的层。空穴传输层不限于单层，也可以层叠两层以上的包含高空穴传输性物质的层。作为空穴传输层使用空穴传输性高于电子传输性的物质即可。因为可以降低发光元件的驱动电压，所以尤其优选使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。
[0112]〈发光层〉
发光层是包含发光物质的层。发光层不限于单层，也可以为层叠有两层以上的包含发光物质的层的叠层。作为发光物质，可以使用荧光化合物或磷光化合物。将磷光化合物用于发光物质可以提高发光元件的发光效率，所以是优选的。
[0113]优选将发光物质分散在施主材料中使用。作为施主材料，优选使用其激发能量大于发光物质的激发能量的材料。
[0114]〈电子传输层〉 电子传输层是包含电子传输性高的物质的层。电子传输层不局限于单层结构，也可以是层叠两层以上的包含电子传输性高的物质的层的结构。作为电子传输层使用电子传输性高于空穴传输性的物质即可。因为可以降低发光元件的驱动电压，所以特别优选使用具有10_6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。
[0115]〈电子注入层〉
电子注入层是包含电子注入性高的物质的层。电子注入层不限于单层，也可以是层叠两层以上的包含电子注入性高的物质的层的叠层。通过采用设置电子注入层的结构，可以提高来自阴极1102的电子注入效率而降低发光元件的驱动电压，所以是优选的。
[0116]作为电子注入性高的物质，例如可以举出锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等碱金属、碱土金属或它们的化合物。另外，还可以使用其中含有碱金属、碱土金属、镁(Mg)或它们的化合物的具有电子传输性的物质，例如，其中含有镁(Mg)的Alq等。
[0117]<可以用于电荷产生区域的材料>
第一电荷产生区域1104c和第二电荷产生区域是包含空穴传输性高的物质和受主物质的区域。另外，电荷产生区域既可以在同一个膜中含有空穴传输性高的物质和受主物质，又可以层叠有包含空穴传输性高的物质的层和包含受主物质的层。但是，在与阴极接触地设置的第一电荷产生区域采用叠层结构的情况下，含有空穴传输性高的物质的层与阴极1102接触。在与阳极接触地设置的第二电荷产生区域采用叠层结构的情况下，含有受主物质的层与阳极1101接触。
[0118]另外，优选的是，在电荷产生区域中，以受主物质与空穴传输性高的物质的质量比为0.1以上且4.0以下的比率添加受主物质。
[0119]作为用于电荷产生区域的受主物质，优选使用过渡金属氧化物，尤其是属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。具体而言，氧化钥是特别优选的。另外，氧化钥具有吸湿性低的特征。
[0120]此外，作为用于电荷产生区域的高空穴传输性物质，可以使用各种有机化合物诸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烃、高分子化合物(包括低聚物、树状聚合物、聚合体)等。具体而言，优选使用具有10_6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用上述以外的物质。
[0121]<可以用于电子中继层的材料>
电子中继层1104b是能够快速接收由受主物质在第一电荷产生区域1104c中抽出的电子的层。因此，电子中继层1104b是包含高电子传输性物质的层，并且其LUMO能级位于第一电荷产生区域1104c中的受主物质的受主能级与发光单元1103的LUMO能级之间。具体而言，优选设定为-5.0eV以上且-3.0eV以下。
[0122]作为用于电子中继层1104b的物质，例如，可以举出二萘嵌苯衍生物和含氮稠环芳香化合物。另外，因为含氮稠环芳香化合物是稳定的化合物，所以作为用于电子中继层1104b的物质是优选的。再者，通过使用含氮稠环芳香化合物中的具有氰基或氟等电子吸引基的化合物，能够使电子中继层1104b中的电子接受变得更容易，所以是优选的。
[0123]<可以用于电子注入缓冲层的材料>
电子注入缓冲层1104a是使电子容易从第一电荷产生区域1104c注入到发光单元1103a的层。通过在第一电荷产生区域1104c和发光单元1103a之间设置电子注入缓冲层1104a，可以缓和两者的注入势垒。
[0124]电子注入缓冲层1104a可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及它们的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、齒化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸盐))等高电子注入性物质。
[0125]另外，在电子注入缓冲层1104a包含高电子传输性物质和施主物质而形成的情况下，优选以施主物质与高电子传输性物质的质量比为0.001以上且0.1以下的比率添加施主物质。另外，作为施主物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和它们的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、齒化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸盐))以外，还可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称:TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外，作为高电子传输性物质，可以使用与以上说明的可以形成在发光单元1103中的一部分的电子传输层的材料同样的材料来形成。
[0126]〈发光元件的制造方法〉
对发光元件的制造方法的一个方式进行说明。通过在下部电极上适当地组合上述层来形成有机层。根据用于有机层的材料可以采用各种方法(例如干式法或湿式法等)。例如，可以选择使用真空蒸镀法、喷墨法、旋涂法等。此外，也可以分别采用不同的方法形成每个层。在有机层上形成上部电极，来制造发光元件。
[0127]通过组合上述材料可以制造本实施方式所示的发光元件。从该发光元件能够获得来自上述发光物质的发光，并可以通过改变发光物质的种类来选择发光颜色。
[0128]另外，通过使用发光颜色不同的多个发光物质，可以扩大发光光谱的幅度，例如能够得到白色发光。在要得到白色发光的情况下，例如采用具备至少两个包含发光物质的层的结构，并构成为使每个层分别发射呈现互补色的关系的颜色的光，即可。作为具体的互补色的关系，例如可以举出蓝色与黄色、蓝绿色与红色等。
[0129]再者，在要得到演色性良好的白色发光的情况下，优选使用发光光谱扩大到可见光全区域的结构，例如，采用一个发光元件具备发射呈现蓝色的光的层、发射呈现绿色的光的层及发射呈现红色的光的层的结构，即可。
[0130]注意，本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。 实施例
[0131]图7A是示出实施例的发光元件的隔壁和间隔物(突起物)的截面结构的照片，图7B是放大图7A所示的间隔物的侧面和隔壁的侧面所形成的凹处153的照片，并且图7C是放大图7A所示的区域154的照片。
[0132]在本实施例中，与图4B所示相同地配置间隔物155，就是在隔壁150的表面的倾斜部分上配置间隔物155的端部。
[0133]构成本实施例的发光元件的材料如下。
第一下部电极118a、第二下部电极118b:包含镧的铝-镍合金膜(膜厚度为200nm)和钛膜(膜厚度为6nm)的叠层
微腔结构149:包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)膜(在包含于蓝色发光部的发光元件中膜厚度为Onm，在包含于绿色发光部的发光元件中膜厚度为40nm，在包含于红色发光部的发光元件中膜厚度为80nm。)；
隔壁150:茶色抗蚀剂材料(在460nm、540nm、620nm的波长中，其透过率分别为50%以下的被着色的绝缘材料)
间隔物155:正型光敏聚酰亚胺
第一发光单元141:包含空穴传输性的蒽衍生物及氧化钥的复合材料层(空穴注入层，膜厚度为20nm)、空穴传输层(膜厚度为20nm)、蓝色发光层(膜厚度为30nm)和电子传输层(膜厚度为20nm)的叠层
中间层142:氧化锂膜(膜厚度为0.lnm)、铜酞菁膜(膜厚度为2nm)和包含空穴传输性的蒽衍生物及氧化钥的复合材料膜(膜厚度为20nm)的叠层
第二发光单元143:空穴传输层(膜厚度为20nm)、绿色发光层(膜厚度为20nm)、红色发光层(膜厚度为20nm)、电子传输层(膜厚度为30nm)和电子注入层(膜厚度为Inm)的叠层上部电极122:银-镁合金膜(膜厚度为15nm)和ITO (膜厚度为70nm)的叠层
[0134]本实施例的发光元件的制造方法为如下。
在TFT衬底上形成第一下部电极和第二下部电极(阳极)之后，在该第一下部电极和第二下部电极上形成光抗蚀剂膜，对该光抗蚀剂膜进行露光及显影，由此以覆盖第一下部电极和第二下部电极的每一个的端部的方式形成由抗蚀剂材料构成的隔壁。该光抗蚀剂材料例如是着色为茶色的光吸收材料。
[0135]接着，在该隔壁上例如形成正型光敏聚酰亚胺膜作为正型光敏树脂，对该正型光敏聚酰亚胺膜进行露光及显影，由此在隔壁上形成由正型光敏聚酰亚胺膜构成的间隔物。如此，当在被着色的隔壁上使用正型光敏树脂形成间隔物时，光被吸收到当正型光敏聚酰亚胺膜的露光时被着色的隔壁中，被着色的隔壁的温度上升，而光反应容易进展。在间隔物中，特别在与被着色的隔壁接触的底面光反应容易进展。因此，只去除与被着色的隔壁接触的底面可以形成锥角大的结构(凹处)。因此，隔壁和隔壁上的间隔物的两层结构形成具有凹处的结构物。
[0136]接着，在第一下部电极、第二下部电极、隔壁和间隔物上利用蒸镀法形成第一发光单元，在第一发光单元上利用蒸镀法形成中间层。第一发光单元包括作为载流子注入层的空穴注入层。接着，在中间层上利用蒸镀法形成第二发光单元，并且在第二发光单元上形成上部电极。此外，优选使中间层或载流子注入层薄膜化，并且优选防止上部电极的断开。
[0137]除了串扰现象对策以外，被着色的隔壁的使用还意味着视角依赖性对策。通过给隔壁着色，可以防止从倾斜方向看面板时的邻接像素的发光的混色，所以是优选的。
[0138]图8A至图9是示出与图7B相同的截面的照片，是用来详细地说明凹处的高度等的照片。
[0139]如图8A所示，将间隔物155的最突出的点设定为点E，将从该点E向隔壁150的被形成面或第一衬底的表面画的垂直线与隔壁150的交点设定为点F。将点E与点F之间的距离定义为凹处的高度LI。此外，如图7C所示，将从第一发光单元141到上部电极122的厚度设定为A2，将从第一发光单元141到中间层142的厚度设定为Al。此外，Al和A2分别是向第一衬底的表面或第二下部电极118b的被形成面(发光元件的被形成面)画的垂直线上的厚度。[0140]本实施例的发光元件的具体尺寸是:凹处的高度LI为230nm;厚度Al为IlOnm;厚度A2为280nm。
[0141]上述尺寸L1、A1、A2满足下述公式(I)。
Al < LI ≤ A2...(I)
[0142]因为满足上述公式(1)，本实施例具有使最上层的发光单元的发光层之下的作为导电性高的层的中间层或载流子注入层(复合材料层)断开的结构。就是说，在本实施例中，在隔壁上设置间隔物，形成凹处，并且凹处的高度LI比到有机层的中间层的厚度Al厚，并是有机层和上部电极的总厚度A2以下。其结果是，确认到可以使有机层中的电阻特别低的中间层和载流子注入层断开。此外，由有机层的侧面与最凹下的部分接触的结构填埋空间，其结果是，确认到可以防止上部电极的断开。
[0143]如图7C、图8A所示，确认到当作为点E与点F之间的距离的凹处的高度LI比从第一发光单元到中间层的厚度Al大时，第一发光单元和中间层断开。此外，确认到当作为点E与点F之间的距离的凹处的高度LI是从第一发光单元到上部电极的厚度A2以下时，第一发光单元和中间层断开，并且防止上部电极的断开。
[0144]如图SB所示，在由虚线H围绕的区域中，由于有机层填埋凹处，而对于上部电极的凹处的高度比对于有机层的凹处的高度低。
[0145]如图SC所示，将从点E向隔壁的被形成面或衬底的表面画的垂直线与第二发光单元的表面的交点设定为点J。将点J与点E之间的距离设定为L2。因为该距离L2相当于对于上部电极的凹处的高度，所以确认到只要距离L2比上部电极的厚度A3小，就不使上部电极断开。此外，A3是向第一衬底的表面或下部电极的被形成面(发光元件的被形成面)画的垂直线上的上部电极的厚度(参照图7C)。
[0146]如图9所示，将连接最凹下的点L与在隔壁150 —侧上离开点L极微小的距离的点的直线设定为直线N，将平行于衬底的表面的直线设定为直线K。在此，为了形成具有有机层的中间层的膜厚度以上的高度的凹处，优选直线N和直线K所形成的角度Θ大于0，并且隔壁150有倾斜。通过使隔壁150有倾斜以凹处的高度LI高，容易满足凹处的高度LI比从第一发光单元141到中间层142的厚度Al大的条件。
[0147]图10是示出使具备本实施例的发光元件的发光面板表示150cd/m2的蓝单色的状态的照片。
图1lA是示出比较例的发光元件的隔壁的截面结构的照片，图1lB是示出使具备比较例的发光元件的发光面板以150cd/m2的蓝单色表示的状态的照片。
此外，在图10和图1lB中，以B表示发射呈现蓝色的光的子像素，以G表示发射呈现绿色的光的子像素，以R表示发射呈现红色的光的子像素。
[0148]图1lA所示的比较例的发光元件具有从图7A所示的实施例的发光元件去除间隔物的结构，除了不形成间隔物这一点以外，使用与实施例的发光元件的制造方法相同的方法制造图1lA所示的比较例的发光元件。
[0149]在图1lB所示的具备比较例的发光元件的发光面板中，电流通过导电性高的中间层泄漏到相邻的串联元件，邻接像素的红色行和绿色行发光，而发生串扰现象。另一方面，在图10所示的本实施例的发光面板中，在间隔物和隔壁所形成的凹处，使第一发光单元和导电性高的中间层断开，因此确认到可以抑制电流通过中间层泄漏到相邻的串联元件，而可以抑制邻接像素的红色行和绿色行发光的串扰现象的发生。
符号说明 [0150] 118a第一下部电极 118b第二下部电极 120有机层 122上部电极 130a发光元件 130b发光元件 141第一发光单元 142中间层 143第二发光单元 150隔壁 153 凹处
155间隔物(突起物)
156空間(空隙)
160R红色发光部 160G绿色发光部 160B蓝色发光部 170第二衬底(对置衬底)
171滤色片 172黑矩阵 173外敷层 400显示面板 401显示部 402像素
402B发射呈现蓝色的光的子像素 402G发射呈现绿色的光的子像素 402R发射呈现红色的光的子像素 403g栅极一侧的驱动电路部 403s源极一侧的驱动电路部 405密封材料 408引绕布线 409 FPC (柔性印刷电路)
410第一衬底 411开关用晶体管 412电流控制用晶体管 416绝缘层 450G发光模块
【权利要求】
1.一种发光装置，包括: 绝缘层上的第一电极和第二电极； 所述第一电极和所述第二电极之间的侧壁，该侧壁位于所述绝缘层上； 所述侧壁上的突起物； 所述第一电极、所述侧壁、所述突起物以及所述第二电极上的第一发光单元； 所述第一发光单元上的中间层； 所述中间层上的第二发光单元；以及 所述第二发光单元上的第三电极， 其中，由所述突起物的侧面和所述侧壁的侧面形成凹处。
2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括所述侧壁和所述突起物的所述表面之间的空间。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光单元和所述中间层在所述突起物处断开。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述突起物的端部位于所述侧壁的表面上并倾斜于被形成所述侧壁的表面上。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述凹处在所述侧壁上具有拐点。
6.根据权利要求1所述的发光装置， 其中第一点与第二点之间的距离大于位于所述第一电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度，并是位于所述第一电极上的所述第一发光单元、所述中间层、所述第二发光单元以及所述第三电极的总厚度以下， 所述第一点是所述突起物的在平行于被形成所述侧壁的表面的方向上最突出的点，并且所述第二点是所述侧壁的表面与从所述第一点向被形成所述隔壁的所述表面垂直地画的第一线的交点。
7.根据权利要求6所述的发光装置， 其中所述第一点与第三点之间的距离小于所述第三电极的厚度， 并且所述第三点是所述第二发光单元与所述第一线的交点。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光单元包括载流子注入层。
9.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 所述第一电极上的第一滤色片；以及 所述第二电极上的第二滤色片， 其中所述第一滤色片的颜色与所述第二滤色片的颜色不同。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述侧壁包括着色为茶色的光吸收材料。
11.一种发光装置，包括: 绝缘层上的第一电极和第二电极； 所述第一电极和所述第二电极之间的侧壁，该侧壁位于所述绝缘层上； 具有第一层和该第一层上的第二层的两层结构的结构物，该结构物包括凹处； 所述第一电极、所述结构物以及所述第二电极上的第一发光单元； 所述第一发光单元上的中间层； 所述中间层上的第二发光单元；以及所述第二发光单元上的第三电极， 其中，所述第一层包括所述凹处的拐点。
12.根据权利要求11所述的发光装置，还包括所述第一层和所述第二层的侧面之间的空间。
13.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一发光单元和所述中间层在所述第二层处断开。
14.根据权利要求11所述的发光装置，其中第一点与第二点之间的距离大于位于所述第一电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度，并是位于所述第一电极上的所述第一发光单元、所述中间层、所述第二发光单元以及所述第三电极的总厚度以下， 所述第一点是所述第二层的在平行于被形成所述第一层的表面的方向上最突出的点，并且所述第二点是所述第一层的表面与从所述第一点向被形成所述第一层的所述表面垂直地画的第一线的交点。
15.根据权利要求14所述的发光装置， 其中所述第一点与第三点之间的距离小于所述第三电极的厚度， 并且所述第三点是所述第二发光单元的表面与所述第一线的交点。
16.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一发光单元包括载流子注入层。
17.根据权利要求11所述的发光装置，还包括:` 所述第一电极上的第一滤色片；以及 所述第二电极上的第二滤色片， 其中所述第一滤色片的颜色与所述第二滤色片的颜色不同。
18.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一层包括着色为茶色的光吸收材料。
【文档编号】H05B33/12GK103781215SQ201310487747
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年10月17日 优先权日:2012年10月17日
【发明者】波多野薰, 千田尚之, 二星学, 菊池克浩, 川户伸一, 越智贵志, 塚本优人, 小坂知裕, 大崎智文 申请人:株式会社半导体能源研究所, 夏普株式会社