一种探索暗物质用的屏蔽装置的制作方法

本实用新型涉及核辐射屏蔽技术领域，具体涉及一种探索暗物质用的屏蔽装置。

背景技术：

核辐射主要指α射线、β射线、γ射线和中子以能量形式传播，来源于放射源、自然环境和宇宙射线等。在加速器实验，工业，放射医疗中都涉及放射源的使用，必须通过有效的屏蔽手段减小辐射对人体的伤害。

现有技术中，多数的屏蔽材料中都含铅，因为对放射性射线的防护主要是对穿透能力强的γ射线的屏蔽防护，γ射线是一种比紫外线波长短得多的电磁波，通常由重核裂变、裂变产物衰变、辐射俘获、非弹性散射、活化产物衰变产生。γ光子不带电，与物质相互作用机制不同于带电粒子，主要以光电效应、康普顿效应和电子对效应为主，与物质发生一次相互作用会导致其损失大部分或全部能量。而铅是目前已知防护材料中除金外对于γ射线的吸收系数最强的材料，考虑到铅比金的成本低得多，在生产过程中便于加工的因素，通常选用铅作为防辐射的基本防护材料，比如铅玻璃、铅板、铅砖等。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种探索暗物质用的屏蔽装置，结构简单，使用方便，能有效对核辐射产生的射线进行屏蔽，保证屏蔽体内各种物质不受外界干扰，对推动科学研究、暗物质探索具有重要意义。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种探索暗物质用的屏蔽装置，包括屏蔽壳体和放射源，所述放射源设置在屏蔽壳体内，所述屏蔽壳体包括由内向外依次设置的第一合金屏蔽层、树脂屏蔽层、第二合金屏蔽层。

进一步地，所述第一合金屏蔽层的材质为铜、钨、铅中至少一种合金。

进一步地，所述第一合金屏蔽层为铜基合金屏蔽层。

进一步地，所述第二合金屏蔽层的材质为铜、钨、铅中至少一种合金。

进一步地，所述第二合金屏蔽层为铅基合金屏蔽层。

进一步地，所述树脂屏蔽层为聚四氟乙烯屏蔽层。

进一步地，所述屏蔽壳体由屏蔽砖均匀堆砌而成，所述屏蔽砖包括自上而下依次设置的铜基合金屏蔽层、聚四氟乙烯屏蔽层、铅基合金屏蔽层。

进一步地，所述屏蔽壳体上设有操作孔，所述屏蔽装置还包括与操作孔相匹配的屏蔽门，所述屏蔽门包括自下而上依次设置的铜基合金屏蔽层、聚四氟乙烯屏蔽层、铅基合金屏蔽层。

本实用新型的有益效果是：本实用新型屏蔽装置的结构简单，使用方便，能有效对核辐射产生的射线进行屏蔽，保证屏蔽装置内的各种物质不受外界干扰，对推动科学研究、暗物质探索具有重要意义。

附图说明

图1为本实用新型装置的结构示意图；

图2为本实用新型装置的剖面图；

图中，1-屏蔽壳体，2-操作孔，3-屏蔽门，4-第一合金屏蔽层，5-树脂屏蔽层，6-第二合金屏蔽层，7-放射源，8-铜基合金屏蔽层，9-聚四氟乙烯屏蔽层，10-铅基合金屏蔽层。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1和图2所示，一种探索暗物质用的屏蔽装置，包括屏蔽壳体1和放射源7，所述放射源7设置在屏蔽壳体1内，所述屏蔽壳体1包括由内向外依次设置的第一合金屏蔽层4、树脂屏蔽层5、第二合金屏蔽层6。

具体地，所述第一合金屏蔽层4的材质为铜、钨、铅中至少一种合金。

具体地，所述第一合金屏蔽层4为铜基合金屏蔽层。

具体地，所述第二合金屏蔽层6的材质为铜、钨、铅中至少一种合金。

具体地，所述第二合金屏蔽层6为铅基合金屏蔽层。

具体地，所述树脂屏蔽层5为聚四氟乙烯屏蔽层。

具体地，所述屏蔽壳体1由屏蔽砖均匀堆砌而成，所述屏蔽砖包括自上而下依次设置的铜基合金屏蔽层、聚四氟乙烯屏蔽层、铅基合金屏蔽层。

具体地，所述屏蔽壳体1上设有操作孔2，所述屏蔽装置还包括与操作孔2相匹配的屏蔽门3，所述屏蔽门3包括自下而上依次设置的铜基合金屏蔽层8、聚四氟乙烯屏蔽层9、铅基合金屏蔽层10。

使用时，将待测屏蔽体放入屏蔽壳体1内，通过由内向外依次设置的铜基合金屏蔽层、聚四氟乙烯屏蔽层、铅基合金屏蔽层构成的屏蔽壳体1，即可实现有效对核辐射产生的射线进行屏蔽，保证屏蔽壳体1内待测屏蔽体不受外界干扰，对推动科学研究、暗物质探索具有重要意义。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。