用于制作电子部件的层积体和层积体制造方法、膜传感器和具备膜传感器的触控面板装 ...的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于制作膜传感器等电子部件的层积体和层积体制造方法。另外，本 发明涉及膜传感器和具备膜传感器的触控面板装置。
【背景技术】
[0002] 目前，作为输入手段，广泛使用触控面板装置。触控面板装置包含膜传感器（触 控面板传感器）、用于检测在膜传感器上的接触位置的控制电路、配线和FPC (柔性印刷基 板）。多数情况下，触控面板装置作为针对组装有液晶显示屏或等离子体显示屏等显示装置 的各种装置等（例如，售票机、ATM装置、移动电话、游戏机）的输入手段而与显示装置同时 使用。在这样的装置中，膜传感器被配置在显示装置的显示面上，由此能够对显示装置进行 极为直接的输入。膜传感器中的与显示装置的显示区域面对的区域是透明的，膜传感器的 该区域构成能够检测接触位置（接近位置）的活动区域（active area)。
[0003] 膜传感器等电子部件通常由用于实现光学特性的层、用于实现电气特性的层等多 个层构成。作为用于制作这样的电子部件的方法，已知有下述方法：首先准备包含基材膜和 透明导电层、含有金属的遮光导电层等多个层的层积体，接着利用照相平版印刷法等对该 层积体的任意层进行图案化。
[0004] 作为制造层积体的方法之一，已知有下述方法：首先准备基材膜，接下来，利用溅 射法、EB蒸镀法等物理蒸镀成膜法在基材膜上层积透明导电层、遮光导电层。例如在专利 文献1中公开了下述内容：使用溅射法在聚酯膜上形成ITO层，其后使用溅射法在ITO层上 形成铬层，由此得到用于制作膜传感器的层积体。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 :日本特开平4-160624号公报
【发明内容】
[0008] 在使用照相平版印刷法等将层积体图案化之后、或者在图案化后的制造工序时， 为了防止图案化后的层积体表面发生损伤，有时在层积体的表面贴上保护膜。这样的保护 膜在最终装运前通常被剥掉。此时，若透明导电层与遮光导电层之间的密合力小，则在剥落 保护膜时遮光导电层可能从透明导电层上部分地剥离。这样的剥离在遮光导电层中包含以 银为主成分并同时含有铜和钯的Ag-Pd-Cu系银合金、即所谓APC合金的情况下变得特别显 著。
[0009] 本发明是考虑到这样的方面而进行的，其目的在于提供充分确保了透明导电层与 遮光导电层之间的密合力的层积体及这样的层积体的制造方法。
[0010] 本发明涉及一种层积体，其具备：基材膜；第1透明导电层，其设置在上述基材膜 的一侧，具有透光性和导电性；第1遮光导电层，其设置在上述第1透明导电层的一侧；以 及第1中间层，其按照与上述第1透明导电层和上述第1遮光导电层这两者相接的方式设 置在上述第1透明导电层与上述第1遮光导电层之间；上述第1中间层包含第1合金和第 2合金；上述第1遮光导电层包含上述第2合金；与上述第2合金相比，上述第1合金对上 述第1透明导电层的密合力高。
[0011] 本发明的层积体中，优选与上述第1合金相比，上述第2合金对碱性溶液的耐性 尚。
[0012] 本发明的层积体中，上述第1中间层可以按照下述方式构成：随着从上述第1透 明导电层与上述第1中间层之间的界面向上述第1中间层与上述第1遮光导电层之间的界 面，每单位体积中的上述第1合金的含量降低，并且每单位体积中的上述第2合金的含量增 尚。
[0013] 本发明的层积体的上述第1中间层中，优选上述第1合金的含量与上述第2合金 的含量之比为1:1~1:15的范围内。
[0014] 本发明的层积体中，上述第1合金可以含有MoNb合金、上述第2合金可以含有APC 合金。
[0015] 本发明的层积体可以进一步具备：第2透明导电层，其设置在上述基材膜的另一 侦U，具有透光性和导电性；第2遮光导电层，其设置在上述第2透明导电层的另一侧；以及 第2中间层，其按照与上述第2透明导电层和上述第2遮光导电层这两者相接的方式设置 在上述第2透明导电层与上述第2遮光导电层之间。此处，上述第2中间层包含上述第1 合金和上述第2合金；上述第2遮光导电层包含上述第2合金。
[0016] 本发明涉及层积体制造方法，该方法具备下述工序：准备中间层积体的工序，该中 间层积体包含基材膜以及第1透明导电层，该第1透明导电层设置在上述基材膜的一侧，具 有透光性和导电性；通过使用了含有第1合金的第1靶材和含有第2合金的第2靶材的成 膜法，在上述第1透明导电层的一侧的面上形成第1中间层的工序；以及，通过使用了含有 上述第2合金的靶材的成膜法，上述第1中间层的一侧的面上形成第1遮光导电层的工序； 与上述第2合金相比，上述第1合金对上述第1透明导电层的密合力高。
[0017] 本发明的层积体制造方法中，优选与含有上述第2合金的上述第2靶材相比，含有 上述第1合金的上述第1靶材被配置在上述中间层积体的传送方向的上游侧。
[0018] 本发明的层积体制造方法中，上述第1合金可以含有MoNb合金，上述第2合金可 以含有APC合金。
[0019] 本发明涉及膜传感器，其具备：基材膜；第1透明导电图案，其以规定的图案设置 在上述基材膜的一侧，具有透光性和导电性；以及第1取出图案，其以规定的图案设置在第 1透明导电图案上，具有遮光性和导电性；上述第1取出图案包含设置在第1透明导电图案 上的第1中间层、以及设置在上述第1中间层上的第1遮光导电层；上述第1中间层包含第 1合金和第2合金；上述第1遮光导电层包含上述第2合金；与上述第2合金相比，上述第 1合金对上述第1透明导电层的密合力高。
[0020] 本发明涉及一种触控面板装置，其包含膜传感器以及控制电路，该控制电路检测 在上述膜传感器上的接触位置，其中，上述膜传感器具备如上所述的膜传感器。
[0021] 本发明涉及一种成膜方法，其为在被传送的被成膜体上进行浓度梯度型的金属层 的成膜的成膜方法，其中，该方法具备下述工序：在被间隔壁区划出的1个区域内对第1靶 材和第2革E材施加放电电力，在上述被成膜体上形成上述金属层；与上述第2革E材相比，上 述第1靶材被配置在上述被成膜体的传送方向的上游侧；上述第1靶材由第1合金构成，上 述第2靶材由与上述第1合金不同的第2合金构成。
[0022] 本发明的成膜方法中，与上述第2合金相比，上述第1合金对上述被成膜体的表面 可以具有更尚的密合力。
[0023] 根据本发明，在透明导电层与遮光导电层之间设有与透明导电层和第1遮光导电 层这两者相接的中间层。该中间层包含第1合金和第2合金。另一方面，第1遮光导电层 含有第2合金但不含有第1合金。并且，与第2合金相比，第1合金对第1透明导电层的密 合力高。因此，能够充分确保透明导电层与遮光导电层之间的密合力。
【附图说明】
[0024] 图1为表示本发明的实施方式中的层积体制造装置的图。
[0025] 图2为表示图1所示的层积体制造装置的成膜装置的图。
[0026] 图3为表示从传送滚筒侧对配置在图2所示的成膜装置的第1区域的第1靶材和 第2靶材进行观察的情况的图。
[0027] 图4为表示通过使用图2所示的成膜装置而形成的包含第1中间层和第1遮光导 电层的层积体的截面图。
[0028] 图5为表不图4所不的层积体的变形例的截面图。
[0029] 图6为表示通过将图5所示的层积体图案化而得到的膜传感器的俯视图。
[0030] 图7为图6所示的膜传感器沿线VII-VII的截面图。
[0031] 图8(a)~图8(e)为用于说明实施例中的第1遮光导电层的附着力的评价基准的 图。
【具体实施方式】
[0032] 下面参照图1~图7对本发明的实施方式进行说明。首先参照图4对本实施方式 中制造的层积体10进行说明。
[0033] 层积体
[0034] 图4为表示层积体10的截面图。如图4所示，层积体10包含：基材膜12 ;在基材 膜12的一侧的面12a上顺次设置的第1硬涂层13a、第1高折射率层14a、第1低折射率层 15a、第1氧化娃层16a和第1透明导电层17a ;设置在第1透明导电层17a的一侧的第1遮 光导电层19a ;以及按照与第1透明导电层17a和第1遮光导电层19a这两者相接的方式 设置在第1透明导电层17a与第1遮光导电层19a之间的第1中间层18a。另外，"一侧" 和后述的"另一侧"为用于在不依赖于层积体10的载置方式的情况下相对地表现层积体10 的各层的位置关系的术语。例如，在图4所示的示例中，"一侧"和"另一侧"分别相当于上 侧和下侧，但"一侧"和"另一侧"所指的方向并不限于上侧和下侧，根据层积体10的方向， "一侧"和"另一侧"所指的方向发生变化。
[0035] 下面分别对基材膜12、第1硬涂层13a、第1高折射率层14a、第1低折射率层15a、 第1氧化硅层16a、第1透明导电层17a、第1遮光导电层19a和第1中间层18a进行说明。
[0036] (基材膜）
[0037] 作为基材膜12,使用具有充分的透光性的膜。作为构成基材膜12的材料，例如可 以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、环烯烃聚合物（COP)、环状烯烃共聚物（COC)、聚碳酸 酯（PC)、三乙酸纤维素（TAC)、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)等。基材膜12的厚度例如为25~ 200 μ m的范围内。
[0038] (硬涂层）
[0039] 第1硬涂层13a是为了防止擦伤的目的、或者为了防止低分子聚合物（低聚物）在 层间的界面析出而看起来发白且浑浊的目的而设置的层。作为第1硬涂层13a，例如使用丙 烯酸类树脂等。另外，如图4所示，也可以在基材膜12的另一个面12b上进一步设置由与 第1硬涂层13a